对比文件名称：2003-11-28_发明专利_JP2003338773A High-frequency switching circuit
目标专利名称：223可切换的天线阵列CN105917581B
本次调用的模型名称：深度分析对比模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：阻抗电路<br>《直接公开》 | 【０００７】段落：“...キャパシタンス成分を含むインピーダンス素子を前記接続点と接地との間に接続した...”<br>【００１８】段落：“７４は接続点１４と接地との間に接続したインピーダンス素子である。 ５４はそのキャパシタンス成分、６４はそのインダクタンス成分である。” | 对比文件明确公开了在接地点（14）与地之间连接了包含电容成分（54）和电感成分（64）的阻抗元件（74）。该阻抗元件（74）在对比文件中用于改善由于寄生电感引起的阻抗失配，从而优化电压驻波比（VSWR）。目标专利中的“阻抗电路”同样是为了提供阻抗匹配功能（例如说明书[0031]段）。本领域技术人员可以毫无疑义地确定，对比文件中的“インピーダンス素子”（阻抗元件）即公开了“阻抗电路”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：以及<br>多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子，<br>《直接公开》 | 【０００４】段落：“図１１において、２１，２２はそれぞれスイッチ素子、３１，３２はスイッチ素子２１，２２にそれぞれ並列接続したインダクタである。”<br>【００１５】段落：“スイッチ素子２１とインダクタ３１との並列回路によって第１の回路を構成し、スイッチ素子２２とインダクタ３２との並列回路によって第２の回路を構成している。” | 对比文件公开了多个电感器（31, 32），每个电感器（31, 32）通过开关（21, 22）与一个共同的连接点（14，该点耦合至阻抗元件74）相连，并且每个电感器（31, 32）也连接到其各自对应的信号端子（11, 12）。这些信号端子（11, 12）在电路中作为输入或输出端，是非接地端子。因此，对比文件公开了“多个电感器，每个电感器耦合至阻抗电路（通过公共点14耦合至阻抗元件74）并且耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子”。 |
| **技术特征C**：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关，<br>《直接公开》 | 【０００４】段落：“３１，３２はスイッチ素子２１，２２にそれぞれ並列接続したインダクタである。”<br>【００１５】段落：“スイッチ素子２１とインダクタ３１との並列回路...スイッチ素子２２とインダクタ３２との並列回路...” | 对比文件图11及【０００４】、【００１５】段明确且反复地描述了电感器（31, 32）与开关（21, 22）之间是并联连接关系。这直接公开了“每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关”这一特征。 |
| **技术特征D**：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。<br>《直接公开》 | 【００１９】段落：“まず、第１の入出力端子１１から第３の入出力端子１３へ信号を通過させる場合について説明する。 このとき、スイッチ素子２１は単なる抵抗素子、スイッチ素子２２は単なる容量素子と等価になる。”<br>【００２０】段落：“第２の入出力端子１２から第３の入出力端子１３へ信号を通過させる場合も、同様にして...” | 对比文件描述了一个SPDT（单刀双掷）开关电路，其两个开关（21, 22）的状态是互补的，用于将信号从公共端（13）切换至不同的路径（11或12）。每个开关都可以独立地被控制其导通（ON）或断开（OFF）状态，以实现路径选择。因此，“至少一个开关被配置为独立地被激活”这一特征已被直接公开。 |
| **技术特征E**：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。<br>《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件公开的是一个选择/切换电路，其功能是在两个（或单个）输入/输出路径中选择一个连接到公共端（13）。其工作原理是“选择”而非“组合”。说明书及附图中均未提及或暗示存在一个将来自多个开关（或路径）的信号进行合并（加和）以产生一个组合信号的“组合器”。目标专利中的“组合器”（例如图4中的450）用于将多个选通开关的输出信号相加，这是实现可配置天线阵列（分配和加和网络）的关键部件。对比文件没有公开此特征。 |
| **技术特征F**：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。<br>《直接公开》 | 【００１６】段落：“したがってＦＥＴがオンの時には、そのドレイン−ソース間は低インピーダンスの抵抗素子と等価となり、オフ時にはドレイン−ソース間がキャパシタンス素子と等価となる。”<br>结合电路图（图1等）可知，当开关（FET）导通（ON）时，其源漏极间呈低阻，信号主要流经开关，并联的电感器被旁路；当开关断开（OFF）时，信号路径被高阻抗的电容隔断。 | 对比文件明确了开关（FET）在导通时相当于低阻抗电阻，在断开时相当于电容。在开关导通的状态下，由于开关阻抗远低于并联的电感器阻抗，从公共节点（14，耦合至阻抗元件74）来的信号将优先（即被选择性地）通过开关本身传播，而旁路并联的电感器。这直接公开了“开关被配置为选择性地使信号旁路相应的电感器”这一工作原理。 |
| **技术特征G**：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。<br>《未公开》 | 【００１６】段落：“スイッチ素子２１はＦＥＴからなり...” | 对比文件虽然公开了开关由FET（晶体管）构成，但全文仅描述了为改善VSWR（电压驻波比，与阻抗匹配相关）而设置阻抗元件（74等），以及利用电感与开关断开的寄生电容谐振来改善隔离度。说明书完全没有提及为了“平衡第一模式（开关闭合）中的阻抗匹配与第二模式（开关断开）中的串联损耗”这一特定“标准”来确定晶体管（FET）的尺寸（大小）。确定晶体管尺寸以平衡不同模式下的性能是目标专利的特定设计方法（见[0031]段），未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关。<br>《隐含公开》 | 【００１６】段落：“したがってＦＥＴがオンの時には、そのドレイン−ソース間は低インピーダンスの抵抗素子と等価となり、オフ時にはドレイン−ソース間がキャパシタンス素子と等価となる。” | 对比文件明确描述了开关（FET）具有“ON（导通）”和“OFF（断开）”两种状态。在目标专利中，“第一模式”和“第二模式”是用于性能分析的操作状态。本领域技术人员在阅读对比文件时，能够毫无困难地理解并合理推断出，当讨论电路性能（如阻抗匹配、隔离度）时，必然涉及开关的这两种物理状态。因此，可以认为对比文件隐含公开了“第一模式对应于闭合的开关，而第二模式对应于断开的开关”这一对应关系定义。 |
| **技术特征I**：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。<br>《直接公开》 | 【００１９】段落：“この並列共振回路の共振周波数が、第１の入出力端子１１から入力される信号周波数に等しくなるように、インダクタ３２のインダクタンスを定めておく。”<br>【００２０】段落：“この並列共振回路の共振周波数が、第２の入出力端子１２から入力される信号周波数に等しくなるように、インダクタ３１のインダクタンスを定めておく。” | 对比文件明确教导了电感器（31, 32）的电感值（即其“大小”）是根据开关在断开（OFF）状态下的电容与电感形成的并联谐振频率等于工作信号频率这一“标准”来确定的（【００１９】、【００２０】段）。这个“标准”直接与开关的状态（断开时的电容）相关，而开关的不同状态（哪个导通哪个断开）即构成了电路的“多个配置”（例如信号从11到13，或从12到13）。因此，该特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。<br>《直接公开》 | 【００１５】段落：“第１の回路１を第１の入出力端子１１と接続点１４との間の第１の信号経路に直列接続し、第２の回路２を第２の入出力端子１２と接続点１４との間の第２の信号経路に直列接続している。”<br>【００１６】段落：“またゲートに、抵抗Ｒを介してゲート信号を印加するようにしている。” | 首先，对比文件图1及【００１５】段明确显示，两个并联支路（开关+电感）的一端共同连接到“接続点１４”（连接点14），而该连接点14又连接至阻抗元件74（见【００１８】段）。因此，“多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路”被直接公开。其次，【００１６】段说明向开关（FET）的栅极施加“ゲート信号”（栅极信号），这直接公开了开关基于控制信号（栅极信号）的值（高/低电平）而被激活（导通或断开）。 |
| **技术特征K**：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器<br>《未公开》 | 【００１８】段落：“７４は接続点１４と接地との間に接続したインピーダンス素子である。 ５４はそのキャパシタンス成分、６４はそのインダクタンス成分である。” | 对比文件中的阻抗元件（74）包含电感成分（64），但该电感成分（64）是与电容成分（54）并联，且整体连接在公共节点（14）与地之间。它并非如目标专利权利要求和附图4（阻抗电路404）所描述的，是一个串联在输入端口与多个电感器（430-436）之间的独立“第二电感器”。对比文件没有公开这种串联电感结构的阻抗电路。 |
| **技术特征L**：以及<br>电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地。<br>《未公开》 | 【００１８】段落：“７４は接続点１４と接地との間に接続したインピーダンス素子である。 ５４はそのキャパシタンス成分...” | 对比文件中的电容器（电容成分54）是阻抗元件（74）的一部分，其一端连接至公共节点（14），另一端接地。这里的“公共节点（14）”并非目标专利权利要求中定义的“输入”。在目标专利图4中，电容器（与电感器串联构成阻抗电路404）是直接耦合在“输入”（402）和地之间的。两者电路连接位置和拓扑结构不同，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征M**：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。<br>《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件描述的是一个独立的高频开关电路单元（如SPDT开关），其功能是信号路径选择。整个说明书及附图均未提及任何“分配和加和网络”（distribution and summation network），更没有将其描述为一个更大规模的多级网络中的“第一级”。目标专利的该特征限定了其电路结构在可切换天线阵列中的层级和功能（分配和加和），这在对比文件中完全没有对应。 |
| **技术特征N**：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。<br>《未公开》 | 未找到相关内容。 | 如特征M所述，对比文件未公开“分配和加和网络”，因此自然不存在其“第二级”。此外，对比文件完全没有提及“多个放大器”以及将任何电路“耦合至多个天线”。目标专利的该特征涉及完整的多级可配置天线阵列系统，与对比文件的单一开关电路单元有本质区别。 |
| **技术特征O**：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。<br>《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件未公开如特征M、N所述的“分配和加和网络”及其多级结构。虽然对比文件的高频开关电路在移动通信中可能用于收发切换（即共享），但说明书并未明确描述其电路在“发射路径和接收路径之间共享”。更重要的是，目标专利该特征的核心在于“分配和加和网络”的共享，而非一个简单开关的共享。此特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。<br>《未公开》 | 未找到相关内容。 | 对比文件全文未提及“射频集成电路”（RFIC）或将所述电路部件集成到RFIC内。该特征限定了具体的实施载体，未被对比文件公开。 |
| **技术特征Q**：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。<br>《隐含公开》 | 【０００３】段落：“携帯電話等の移動体通信における送受信の切り替えには、スイッチ回路として半導体スイッチ素子を用いた高周波スイッチ回路が用いられている。” | 对比文件在【０００３】段明确其背景技术是用于“携帯電話等の移動体通信”（手机等移动通信）中的收发切换。虽然其实施例描述的是一个电路模块，但本领域技术人员根据其应用领域可以合理且直接地推断，该高频开关电路（必然包含其所述的阻抗电路和多个电感器）旨在被包含（集成或应用于）移动通信设备（如手机）中。因此，该特征被隐含公开。 |
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