**对比文件名称：** Switching circuit (US20050233706A1)
**目标专利名称：** 可切换的天线阵列 (CN105917581B)
**本次调用的模型名称：** 专利创造性评估模型
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：阻抗电路《未公开》** | 无对应描述。对比文件中存在电阻（如R101, R102, R106等）和电容（如C101, C102等），但并非构成目标专利中定义的“阻抗电路”。 | 目标专利中的“阻抗电路”（如说明书[0031]、[0034]段及图4的404）是一个特定的匹配网络，其作用是在所有开关配置（模式）下为输入端口提供足够的阻抗匹配，以平衡插入损耗和返回损耗。对比文件中的电阻（如R101-R106）仅用于为晶体管栅极提供偏置或作为高频信号线的隔离电阻（见[0034]，[0039]段），电容器（如C101-C104）与电感器（L101, L102）共同构成谐振电路以实现信号的通断（见[0040]-[0042]段）。这些元件的作用是形成特定的LC谐振状态（并联谐振以阻断信号，串联谐振以通过信号），而非目标专利中旨在横跨多种开关配置优化整体端口阻抗的“阻抗电路”。因此，对比文件未公开该技术特征。 |
| **B：以及多个电感器，所述多个电感器中的每个电感器被耦合至所述阻抗电路并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子，《直接公开》** | [0033]段： “The first internal connection switching circuit SW101 includes a reactance element L101, capacitors C101 and C102, transistors Q101 and Q102, and resistances R101 and R102.” <br> [0035]段： “The second internal connection switching circuit SW102 includes a reactance element L102, capacitors C103 and C104, transistors Q103 and Q104, and resistances R103 and R104.” <br> [0048]段及图7： “...in the switching circuit SW200 according to this embodiment, a reactance element L203 is additionally connected in parallel with the transistor Q105 of the third internal connection switching circuit SW103.” | 对比文件明确公开了多个电感器（电抗元件L101, L102, L203）。这些电感器（L101, L102）分别耦合在由电容C101、C102等和晶体管Q101、Q102等构成的信号路径上（可视为一个功能块，但其作用不同于目标专利的“阻抗电路”），并且每个电感器都连接到一个非接地输出端子：L101连接在发射端口（非接地）与天线端口之间；L102连接在接收端口（非接地）与天线端口之间；L203连接在待机端口（非接地）与天线端口之间（参见图5、图7）。因此，对比文件直接公开了“多个电感器，每个电感器被耦合至一个电路功能块并且被耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子”这一结构特征。尽管对比文件中的电路功能块（LC谐振开关网络）与目标专利的“阻抗电路”在具体结构和作用上不同，但“多个电感器...耦合到多个非接地输出端子中的一个相应端子”这一连接关系已被直接公开。 |
| **C：并且所述多个电感器中的每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关，《直接公开》** | [0033]段及图5： “...the reactance element L101 is connected in parallel with the capacitor C101 and the transistor Q101...” (L101与Q101并联) <br> [0048]段及图7： “...a reactance element L203 is additionally connected in parallel with the transistor Q105...” (L203与Q105并联) | 对比文件说明书和附图（图5、图7）明确示出并描述了电感器（电抗元件）与晶体管（作为开关）的并联连接关系。例如，L101与晶体管Q101（以及电容C101）并联；L203与晶体管Q105并联。晶体管Q101、Q105等在电路中起到开关作用（导通时连接端口，关断时隔离端口）。因此，对比文件直接公开了“每个电感器被并联耦合至多个开关中的对应开关”这一技术特征。 |
| **D：其中所述多个开关中的至少一个开关被配置为独立地被激活。《直接公开》** | [0040]段： “When the gate bias voltage of the control terminal T102 is 0 V, the transistors Q101 and Q102 are turned on...” <br> [0041]段： “On the other hand, when the gate bias voltage of the control terminal T102 is a reverse bias, the transistors Q101 and Q102 are turned off...” <br> 图6真值表： 明确显示了通过向控制终端T101, T102, T103施加不同电压（0V或正电压），可以独立地控制发射端口、接收端口、待机端口与天线端口的连接状态。 | 对比文件中的多个开关（晶体管Q101-Q105）通过独立的控制终端（T101, T102, T103）施加不同的栅极偏置电压来控制其导通（激活）或关断（去激活）。例如，通过控制T102的电压可以独立控制Q101和Q102的开关状态，从而独立选择发射路径的连接与否。说明书[0043]-[0046]段及图6真值表详细描述了如何通过不同的控制电压组合，独立地激活（连接）发射、接收或待机端口中的某一个。因此，对比文件直接公开了“至少一个开关被配置为独立地被激活”这一特征。 |
| **E：还包括组合器，所述组合器响应于所述多个开关并且被配置为组合由所述多个开关中的所选开关输出的信号以产生组合信号。《未公开》** | 无对应描述。对比文件仅描述了在任一时刻，通过开关选择将天线连接到三个端口（发射、接收、待机）中的一个，并未描述将来自多个开关（即多个路径）的信号进行组合的功能。 | 目标专利中的“组合器”（如说明书[0029]段及图4的450）用于将来自多个被选通的开关（即多个被激活的天线路径）的信号进行组合，以实现天线阵列的信号加和或分配功能。对比文件的开关电路（SW100, SW200, SW300）是一个多端口选择开关，其功能是在多个端口（发射、接收、待机）中选择一个连接到天线端口，或者在某些状态下将所有端口与天线隔离（通过形成并联谐振）。其工作原理是“选择”而非“组合”。信号流是单向的（从被选端口到天线或反之），不存在将多个端口的信号同时合并为一个组合信号的需求或结构。因此，对比文件未公开“组合器”及其“组合信号”的功能。 |
| **F：其中，每个开关被配置为选择性地使从所述阻抗电路接收的信号旁路相应的电感器并从所述开关的输入传播至所述开关的输出。《隐含公开》** | [0040]-[0041]段： 描述了当晶体管Q101、Q102关断（gate bias voltage is a reverse bias）时，由L101和C102构成的串联谐振电路允许高频信号通过（“the high-frequency signal can pass therethrough”）。当晶体管Q101、Q102导通（gate bias voltage is 0 V）时，由L101和C101构成的并联谐振电路阻断高频信号（“the high-frequency signal is cut off”）。 <br> [0048]段： “...a reactance element L203 is additionally connected in parallel with the transistor Q105... isolation between the antenna port and the standby port when the transistor Q105 is turned off can be improved...” | 在对比文件的电路中，开关（晶体管）和并联电感器（L101, L102, L203）共同工作。当开关导通时（如图6中连接待机端口时Q105导通），晶体管呈现低阻抗，信号主要从晶体管通道（源极-漏极）通过，此时并联的电感器被“旁路”，信号不流经电感器或电感器的影响被最小化。当开关关断时（如图6中连接发射或接收端口时Q105关断），晶体管呈现高阻抗（主要是关断电容），此时并联的电感器与该关断电容在特定频率谐振，形成高阻抗路径（并联谐振）或低阻抗路径（串联谐振），从而阻断或引导信号。虽然对比文件没有使用“旁路”（bypass）一词，但本领域技术人员能够理解，在开关导通状态下，信号必然选择阻抗更低的晶体管通道而非电感器路径，这实质上是“使信号旁路相应的电感器”的电路行为。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **G：其中，所述多个开关中的每个开关包括晶体管，并且每个所述晶体管的大小基于标准被确定以充分平衡第一模式中的阻抗匹配与第二模式中的串联损耗。《未公开》** | [0005]段： “If the size of the FET is reduced, the control current can be reduced, but this causes a problem that the property required as the high-frequency switching circuit becomes unobtainable.” | 对比文件提到了晶体管（FET）尺寸减小可以降低控制电流，但会导致无法获得所需的高频开关特性。这暗示了在尺寸（影响控制电流和射频性能）之间存在权衡。然而，对比文件并未明确揭示目标专利所定义的“标准”：即基于所有可能的开关激活/未激活配置，通过模拟来确定晶体管尺寸，以横跨所有操作模式平衡（优化）插入损耗（由于开关上的压降导致）和返回损耗（由于阻抗失配导致）（参见目标专利[0031]段）。对比文件关注的是如何实现特定端口间的通断和隔离，以及降低待机功耗，并未涉及为在多开关、多配置的天线阵列中优化整体性能而确定晶体管尺寸的“标准”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **H：其中，所述第一模式对应于闭合的开关，而所述第二模式对应于断开的开关。《直接公开》** | [0040]段： “When the gate bias voltage of the control terminal T102 is 0 V, the transistors Q101 and Q102 are turned on...” (闭合/导通状态) <br> [0041]段： “On the other hand, when the gate bias voltage of the control terminal T102 is a reverse bias, the transistors Q101 and Q102 are turned off...” (断开/关断状态) <br> 图6真值表： 明确列出了晶体管“ON”（导通）和“OFF”（关断）两种状态。 | 对比文件明确定义了晶体管的两种操作模式：导通（turned on）和关断（turned off），这分别对应于目标专利中闭合的开关和断开的开关所定义的第一模式和第二模式。说明书和真值表多次描述了这两种状态。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **I：其中，所述多个电感器中的每个电感器的大小基于与所述多个开关的多个配置相关的标准被确定。《未公开》** | 无对应描述。对比文件仅说明了电感器（如L101, L102）与电容（如C101, C102）的值被设置为在使用频率谐振（[0042]段），以及L203的电感被设置为与晶体管Q105的关断电容在使用频率谐振（[0048]段）。 | 目标专利[0031]-[0032]段详细描述了确定电感器大小的“标准”：基于多个开关的所有可能配置（例如，4个开关有16种配置），通过模拟选择电感器值，使得在所有操作模式（开关配置）下，平均或最坏情况的插入损耗和返回损耗满足设计标准。对比文件仅教导了为每个端口切换支路中的LC谐振电路设置元件值，以在特定工作频率实现通断功能（串联谐振时导通，并联谐振时阻断）。其电感器大小的确定是基于单一工作频率和该支路内固定开关状态（开或关）下的谐振条件，而非基于“多个开关的多个配置”的整体性能优化标准。因此，该技术特征未被公开。 |
| **J：其中，所述多个电感器经由公共节点被耦合至所述阻抗电路，并且其中所述至少一个开关被配置为基于控制信号的值而被激活。《直接公开》** | [0033]段及图5： L101连接在节点（与C101、Q101、Q102连接点）和地之间，该节点可视为一个公共连接点。类似地，L102、L203也连接到各自支路的公共点。所有开关（晶体管）的栅极通过电阻连接到控制终端（T101, T102, T103），基于输入这些终端的电压值（0V或正电压）被激活（导通）或去激活（关断），见[0034], [0036], [0038], [0040]-[0041]段及图6。 | 首先，关于“公共节点”：对比文件中，每个电感器（L101, L102）确实连接在各自支路中电容、晶体管的公共连接点与地之间（图5）。虽然这个“公共节点”在结构上存在，但其连接的对象是地，而非目标专利中与“阻抗电路”连接的公共节点（如图4的406）。尽管如此，“多个电感器经由公共节点被耦合”这一连接关系本身被公开。其次，关于“基于控制信号的值而被激活”：对比文件明确且反复描述了开关（晶体管）基于施加到控制终端（T101, T102, T103）的电压值（0V或正电压）而被激活（导通）或去激活（关断）。这直接公开了“开关被配置为基于控制信号的值而被激活”。综合来看，该技术特征被直接公开。 |
| **K：其中，所述阻抗电路包括：第二电感器，被耦合至输入并被耦合至所述多个电感器《未公开》** | 无对应描述。对比文件中没有公开与目标专利图4中阻抗电路404结构相同的电路，即一个电感器（第二电感器）串联在输入与多个电感器的公共节点之间。 | 目标专利的阻抗电路（图4，404）是一个特定的匹配网络，其包括一个耦合在输入和公共节点之间的第二电感器（与特征K描述一致）。对比文件中不存在这样的电路结构。对比文件中的电感器（L101, L102, L203）是并联在开关两端用于谐振的，其连接方式和功能与目标专利中串联在信号路径中的“第二电感器”完全不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **L：以及电容器，被耦合至所述输入并被耦合至地。《未公开》** | 无对应描述。对比文件中没有公开与目标专利图4中阻抗电路404结构相同的电路，即一个电容器连接在输入和地之间。 | 目标专利的阻抗电路（图4，404）包括一个连接在输入和地之间的电容器。对比文件中虽然存在连接在端口和地之间的电容器（如C102, C104，以及图8中的C301, C302等），但这些电容器是各自谐振电路或分流电路的一部分，其连接点（并非直接接在“阻抗电路”的输入端口）和作用（构成谐振或提供接地路径）与目标专利中作为阻抗匹配网络一部分、直接耦合在阻抗电路输入与地之间的电容器不同。因此，该技术特征未被公开。 |
| **M：其中，所述多个电感器和所述多个开关形成分配和加和网络的第一级。《未公开》** | 无对应描述。对比文件的开关电路（SW100, SW200, SW300）是一个用于在单个天线端口和多个功能端口（发射、接收、待机）之间进行选择的单级开关网络。 | 目标专利的“分配和加和网络”是一个多级结构（如说明书[0022]段及图3所示），用于将多个天线元件的信号进行组合（加和）或将信号分配到多个天线（分配）。其特征M明确指出所述电感器和开关形成该网络的“第一级”。对比文件的电路不具备“分配”或“加和”多个并行信号路径的功能，它只是一个多选一的选择开关，且是单级结构。因此，对比文件未公开“分配和加和网络”，更未公开其“第一级”。 |
| **N：其中，所述分配和加和网络的第二级包括第二多个开关，其中，所述第二级经由多个放大器被耦合至多个天线。《未公开》** | 无对应描述。对比文件仅涉及单个天线（100）与多个电路端口之间的切换，没有描述多级网络结构，也没有描述通过多个放大器耦合到多个天线。 | 该特征依赖于特征M中定义的“分配和加和网络”。由于对比文件未公开这样的多级网络，因此自然也谈不上其“第二级”以及该第二级通过放大器耦合至多个天线。对比文件图5-8的系统只有一个天线（100）。因此，该技术特征未被公开。 |
| **O：其中，所述分配和加和网络的所述第一级以及所述分配和加和网络的所述第二级在被耦合至所述多个天线的发射路径和接收路径之间共享。《隐含公开》** | [0027]-[0032]段及图5： 描述了同一个开关电路（SW100）用于切换天线端口与发射电路（101）、接收电路（102）和待机电路（103）之间的连接。即，发射路径和接收路径共享同一套开关元件（Q101-Q105, L101, L102等）。 | 目标专利的特征O描述的是分配和加和网络的多级结构在发射和接收路径之间共享。虽然对比文件没有“分配和加和网络”的多级结构，但其核心的开关电路（SW100）确实在发射路径（通过SW101）、接收路径（通过SW102）和待机路径（通过SW103）之间共享。本领域技术人员可以理解，这种“路径共享”的概念是相似的：即同一套无源开关元件被复用于不同的信号方向（发射/接收）。尽管应用场景和网络复杂度不同，但“共享”这一核心思想在对比文件中有所体现。因此，可以认为对比文件隐含公开了“开关电路在发射路径和接收路径之间共享”这一概念，尽管其并非“分配和加和网络”的级。 |
| **P：其中，所述第一级、所述第二级和所述多个放大器在射频集成电路内。《隐含公开》** | [0066]段： “Furthermore, in the aforementioned embodiments, the switching circuits SW100, SW200, and SW300 are each implemented on one semiconductor chip, but the switching circuit, including the transmission circuit 101, the reception circuit 102, the standby circuit 103, and the control circuit 110, may be implemented on one semiconductor chip.” | 目标专利的特征P限定了分配和加和网络的多级及放大器集成在射频集成电路（RFIC）内。对比文件虽然没有公开目标专利所述的特定多级网络和放大器，但其明确教导了所描述的开关电路（SW100等）可以实现在单个半导体芯片上，并且甚至可以将包括发射电路、接收电路在内的整个系统集成在一个芯片上。本领域技术人员知晓，用于高频/射频应用的半导体芯片通常就是RFIC。因此，对比文件隐含公开了将开关电路（可视为包含其功能元件）集成在半导体芯片（即RFIC）内的技术方案。 |
| **Q：其中，所述阻抗电路和所述多个电感器被包含到移动通信设备中。《隐含公开》** | [0005]段： “In recent years, an active radio tag system is being studied.” （近年来，正在研究有源射频标签系统。） <br> 全文背景： 该开关电路应用于有源射频标签（RFID tag）系统，这类标签通常附着于物品上，可被视为一种移动或便携式设备。虽然未明确提及“移动通信设备”，但射频标签系统属于无线通信领域的一种应用。 | 目标专利明确其装置应用于无线设备/移动通信设备（如说明书[0004], [0013]段）。对比文件的应用场景是“有源射频标签系统”，这是一种典型的无线通信设备，虽然其通信模式和复杂度可能与蜂窝电话不同，但广义上属于移动通信设备范畴（例如，用于物流、仓储的移动标签）。本领域技术人员能够理解，对比文件中描述的开关电路可以应用于包含无线通信功能的移动设备中。因此，尽管对比文件未明确记载“移动通信设备”，但可以合理地推断其技术内容可被包含于此类设备中。 |
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