对比文件名称：2004-03-18_CA2496937A_发明专利_CA2496937A1 POWER SURFACE MOUNT LIGHT EMITTING DIE PACKAGE
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45) （隐含公开） | 段落[0042]：“反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的凸缘44。” 段落[0043]：“透镜50放置在封装材料46的顶部并粘附于其上。” | 对比文件公开了透镜50由反射板40的凸缘支撑并覆盖LED，使得透镜相对于LED准确定位，因此载体能够实现光学元件的定位，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤 （未公开） | 无 | 对比文件未公开任何方法步骤，且光学元件61（漫射器）未在对比文件中出现，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10) （未公开） | 无 | 对比文件使用绝缘衬底（如AlN或Al2O3），未公开导电多层载体基片，因此未公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12) （未公开） | 无 | 对比文件无多层导电基片结构，因此未公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22) （未公开） | 无 | 对比文件未在导电层中形成导体结构，迹线形成于绝缘衬底表面，因此未公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26) （未公开） | 无 | 对比文件未提供绝缘间隔层，而是提供金属反射板，因此未公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27) （未公开） | 无 | 对比文件无绝缘间隔层，腔由金属反射板形成，因此未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22) （隐含公开） | 段落[0033]：“LED组件60安装在安装垫28上。” 段落[0040]：“顶部散热器40可包括基本上围绕安装在安装垫28上的LED组件60的反射表面42。” | 对比文件公开了LED组件安装在由反射板围成的腔中，并连接到迹线，因此隐含公开了光学半导体元件在腔中能够连接到上部导体结构。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度 （隐含公开） | 图3示出反射板40的厚度大于LED组件的高度；且反射板必须包围LED。 | 本领域技术人员可合理推断反射板形成的腔的深度大于LED的高度以容纳LED，因此隐含公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45、61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置 （隐含公开） | 段落[0042]：“反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的凸缘44。” | 对比文件公开了反射板上的凸缘支撑透镜，从而限定透镜相对于LED的位置，因此隐含公开腔限定光学元件位置。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的 （未公开） | 无 | 对比文件无多层导电基片，未公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻 （未公开） | 无 | 对比文件无相关教导，未公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样 （未公开） | 无 | 对比文件无相关教导，未公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 （未公开） | 无 | 对比文件无相关结构或方法，未公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤 （未公开） | 无 | 过渡特征，无实质技术内容，未公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层 （未公开） | 无 | 对比文件未提供中间绝缘层，未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 （未公开） | 无 | 对比文件未公开中间绝缘层及加热加压连接方式，未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接 （未公开） | 无 | 随附特征Q，未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22) （未公开） | 无 | 对比文件无相关教导，未公开。 |
| 技术特征T：43)。 （未公开） | 无 | 无实质内容，未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤 （未公开） | 无 | 过渡特征，未公开。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线 （未公开） | 无 | 对比文件底部焊盘形成于绝缘衬底，而非导电下部载体层，未公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离。 （未公开） | 无 | 对比文件迹线虽隔离，但非形成于导电载体层，未公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 （直接公开） | 段落[0033]：“在替代实施例中，安装垫28可以配置为允许LED组件60的倒装芯片附接。” | 对比文件明确公开倒装芯片附接，倒装芯片必然使用凸块和焊盘，因此直接公开了通过凸块和焊盘连接光学半导体元件。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 （直接公开） | 段落[0033]：“在替代实施例中，安装垫28可以配置为允许LED组件60的倒装芯片附接。” | 同上，直接公开。 |
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