对比文件名称：2005-11-15_US6964877B_发明授权_US06964877B2 LED power package
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：GPT-4（通用语言模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A**：所述载体能够使得光学元件(45,61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤（未公开） | 对比文件未明确提及光学元件相对于光学半导体元件的准确定位功能。 | 对比文件主要涉及LED功率封装，未公开载体设计用于光学元件定位的目的，因此未公开。 |
| **特征B**：提供(201)导电多层载体基片(10)（未公开） | 对比文件[0038]：“提供合适的电绝缘晶圆作为子基板晶圆”。（"starts with a suitable electrically insulating wafer 82."） | 对比文件提供的是绝缘子基板（如陶瓷），而非导电多层载体基片，因此未公开。 |
| **特征C**：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)（未公开） | 对比文件未公开多层金属载体层结构。 | 对比文件子基板为绝缘体，没有上部、中间、下部金属载体层，因此未公开。 |
| **特征D**：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（未公开） | 对比文件未公开在金属层中形成导体结构。 | 对比文件通过在绝缘子基板中钻孔并填充导电材料形成通孔，而非在金属层中形成导体结构，因此未公开。 |
| **特征E**：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)（未公开） | （同特征D，此处重复，但按列表列出） | 同上，未公开。 |
| **特征F**：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)（未公开） | 对比文件[0061]描述将腔晶圆键合到子基板前侧，但腔晶圆是独立结构，并非直接在载体上提供图案化的绝缘间隔层。 | 对比文件未公开在载体基片上直接提供图案化的绝缘间隔层，因此未公开。 |
| **特征G**：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)（未公开） | 对比文件[0061]：“腔晶圆1078包括腔1080”。但腔位于独立晶圆中，并非绝缘间隔层图案化形成。 | 对比文件没有绝缘间隔层图案化形成腔的步骤，因此未公开。 |
| **特征H**：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)（隐含公开） | 对比文件[0061]：“每个反射器腔1080接收一个LED管芯1024”；结合[0034]：“LED管芯24的电极40被热超声键合到键合凸块44，凸块设置在导电通孔14的前端或印刷电路50上”。 | 虽然腔由独立晶圆形成，但LED管芯确实位于腔中，且其连接点（焊盘）位于腔底部，因此本领域技术人员能合理推断在腔中光学半导体元件可连接到上部导体结构，故隐含公开。 |
| **特征I**：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度（隐含公开） | 对比文件[0061]：腔接收LED管芯，但未明确深度。 | 为使LED管芯完全容纳于腔内，腔的深度必须大于LED管芯高度，这是本领域技术人员的常识，因此隐含公开。 |
| **特征J**：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45,61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置（未公开） | 对比文件[0061]：腔作为反射器，未提及限定光学元件位置。 | 对比文件未公开腔用于限定光学元件位置，因此未公开。 |
| **特征K**：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的（未公开） | 对比文件无多层金属层，无此特征。 | 未公开。 |
| **特征L**：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻（未公开） | 对比文件无此内容。 | 未公开。 |
| **特征M**：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样（未公开） | 对比文件无此内容。 | 未公开。 |
| **特征N**：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固（未公开） | 对比文件无此内容。 | 未公开。 |
| **特征O**：还包括以下步骤（未公开） | 对比文件无对应限定。 | 该过渡特征无实质技术内容，对比文件未明确公开。 |
| **特征P**：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层（未公开） | 对比文件[0050]提及底部填充材料，但并非在载体层与绝缘间隔层之间提供中间绝缘层。 | 对比文件未公开中间绝缘层，因此未公开。 |
| **特征Q**：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22（未公开） | 对比文件[0041]描述铜凸块热超声键合，直接连接，无中间绝缘层。 | 对比文件没有中间绝缘层辅助连接的配置，因此未公开。 |
| **特征R**：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接（未公开） | 同特征Q，未公开。 | 未公开。 |
| **特征S**：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22（未公开） | 对比文件凸块直接面向焊盘，无中间膜。 | 未公开。 |
| **特征T**：43)。（未公开） | 无实质内容。 | 未公开。 |
| **特征U**：还包括以下步骤（未公开） | 过渡特征，无实质内容。 | 未公开。 |
| **特征V**：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线（未公开） | 对比文件[0034]：“导电通孔14的后端电连通到可焊接接触焊盘”，但焊盘形成在绝缘子基板背面，并非在下部载体层中形成。 | 对比文件没有下部载体层，因此未公开该特征。 |
| **特征W**：所述引线彼此电隔离（直接公开） | 对比文件[0034]：“导电通孔14的后端电连通到可焊接接触焊盘”。本领域技术人员可知这些焊盘彼此分离，电隔离。 | 对比文件公开了后侧焊盘，这些焊盘由绝缘子基板隔开，彼此电隔离，因此直接公开。 |
| **特征X**：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 对比文件[0034]：“每个LED管芯24的电极40被热超声键合到键合凸块44，凸块设置在导电通孔14的前端或印刷电路50上”。 | 对比文件明确公开了凸块与焊盘（上部导体结构）的连接，因此直接公开。 |
| **特征Y**：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)（直接公开） | 同特征X，对比文件[0034]明确公开。 | 直接公开。 |
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