**对比文件名称：** 2005-03-29_US6871982B_发明授权_US06871982B2 High-density illumination system
**目标专利名称：** 1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
**调用的模型名称：** 未指定（基于当前系统）
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断 | 第二栏：对比文件原文引用（中文翻译） | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45,61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件[00120]：“the bins arranged to work in conjunction with the design of certain reflective multi-layers placed just above them”（反射仓被布置成与设计置于它们上方的某些反射多层协同工作）。 | 对比文件公开了反射仓（相当于载体的一部分）与上方的光学多层（如棱镜片）协同工作，以控制光输出方向并实现均匀照明。这隐含了载体能够使光学元件相对于光学半导体元件准确定位，因为反射仓的几何形状和位置直接决定了光学多层相对于LED的位置。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件[00120]（同特征A）。 | 特征B与A实质相同，均表述定位功能。对比文件同样隐含公开了该功能，理由同特征A。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)《未公开》 | 对比文件[00028]：“a silicon substrate containing a pattern of electrically conductive circuitry enabling the electrical bonding and interconnection”（硅衬底，包含导电电路图案，用于实现LED的电连接和互连）。 | 对比文件公开了导电衬底（硅衬底），但未明确该衬底是“多层”结构，尤其未公开上部、下部、中间层的具体分层。虽然实际中可能包含多层导体，但对比文件未作描述，因此未公开特征C。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)《未公开》 | 对比文件未明确公开三层结构。 | 对比文件中的背板（back plane）和热提取层（heat extraction layer）均未形成明确的上、中、下三层载体层，且无中间载体层的教导。因此，未公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)《未公开》 | 对比文件[00139]：“solder-bumping is best used to re-flow solder material deposited between the LED electrodes and counter-positioned bars (or stripes) 100 and 108 placed on the mounting surface”（焊料凸块工艺，在LED电极和安装表面上的对位条之间回流焊料）。 | 对比文件中的导体结构（对位条）位于安装表面（背板），并非形成于上部载体层和中间载体层中。因此，未公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)《未公开》 | 对比文件[00136]：“shallow reflecting bins 82 with plane sidewalls 106 located just beneath a vertical stack of reflecting films covering the bin apertures”（浅反射仓82，具有平面侧壁106，位于覆盖仓孔的反射膜垂直堆叠的正下方）。 | 对比文件中的反射仓是金属或塑料涂有高反射金属膜，其表面导电，并非绝缘间隔层。虽然反射仓图案化形成腔，但材料不满足“绝缘”要求，因此未公开特征F。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)《直接公开》 | 对比文件[00136]：“shallow reflecting bins 82 with plane sidewalls 106”（浅反射仓82，具有平面侧壁106）。 | 对比文件明确公开了图案化的反射仓，每个反射仓即一个腔，用于容纳LED。因此，直接公开了形成腔。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)《直接公开》 | 对比文件[00139]：“solder-bumping is best used to re-flow solder material deposited between the LED electrodes and counter-positioned bars (or stripes) 100 and 108 placed on the mounting surface”（焊料凸块工艺，在LED电极和安装表面上的对位条之间回流焊料）。 | 对比文件公开了LED芯片放置在反射仓（腔）中，并通过焊料凸块与安装表面上的导体结构（对位条）连接。因此，直接公开了在腔中连接光学半导体元件。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度《隐含公开》 | 对比文件[00175]：“The importance of bin depth 102, G1, in effecting maximum possible output performance is traced... bin depth of 135 microns... 174 microns”（仓深度102，G1，对实现最大输出性能的重要性被追踪……仓深度135微米……174微米）。 | 对比文件给出了仓深度（如174微米），而通常LED芯片厚度约100微米，本领域技术人员可以合理推断仓深度必须大于LED芯片高度才能容纳LED并保证光路。因此，对比文件隐含公开了该特征。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45,61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置《隐含公开》 | 对比文件[00120]：“the bins arranged to work in conjunction with the design of certain reflective multi-layers placed just above them”（反射仓被布置成与设计置于它们上方的某些反射多层协同工作）。 | 对比文件中的反射仓（腔）通过其几何设计和位置，与上方的光学多层（如棱镜片）相互作用，从而限定光学多层相对于LED的位置。这隐含了腔具有限定光学元件位置的功能。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的《未公开》 | 对比文件未提及不同金属层。 | 对比文件没有公开中间载体层，也没有关于不同金属材料的选择性教导。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻《未公开》 | 无。 | 对比文件未涉及任何选择性蚀刻或材料选择。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开通过钻蚀形成凹槽以改善密封剂锚固的结构或方法。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤《未公开》 | 无。 | 过渡语，无具体技术内容，对比文件未包含相应步骤。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层《未公开》 | 对比文件[00140]：“encapsulated in as high a refractive index medium as feasible (typically around 1.49) 101”（在尽可能高的折射率介质中封装，通常约为1.49）。 | 对比文件中的介质填充在反射仓内，并非设置在上部载体层与图案化的绝缘间隔层之间。因此，未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22,43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接《未公开》 | 对比文件[00139]：“solder-bumping is best used to re-flow solder material deposited between the LED electrodes and counter-positioned bars (or stripes) 100 and 108 placed on the mounting surface”（焊料凸块工艺，在LED电极和安装表面上的对位条之间回流焊料）。 | 对比文件公开了通过焊料凸块实现电连接，但未涉及通过中间绝缘层并在加热加压下实现连接。因此，未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接《未公开》 | 同上。 | 特征R是Q的一部分，对比文件未公开通过中间绝缘层实现连接，故未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22,43)《未公开》 | 对比文件[00139]：“counter-positioned bars (or stripes) 100 and 108”（对位条100和108）。 | 对比文件公开了凸块与导体结构对应，但未涉及“面向中间膜”，且无中间膜的结构。 |
| 技术特征T：43)。《未公开》 | 无。 | 特征T是S的延续，对比文件未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤《未公开》 | 无。 | 过渡语，无技术内容，对比文件未包含相应步骤。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线《隐含公开》 | 对比文件[00028]：“a silicon substrate containing a pattern of electrically conductive circuitry enabling the electrical bonding and interconnection of one or two-dimensional arrays of physically separated flip chip LEDs, arranged in rows and columns”（硅衬底，包含导电电路图案，用于实现二维阵列中倒装LED芯片的电连接和互连）。 | 对比文件公开了在硅衬底（可视为下部载体层）上形成导电电路，用于电连接LED芯片和外部器件。这隐含公开了形成下部导体结构及引线。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离《隐含公开》 | 对比文件[00028]中的电路图案通常设计为隔离的引线。 | 在电路设计中，为确保正常工作，引线之间必须电隔离。对比文件虽未明确提及，但本领域技术人员可以合理推断其隐含公开了引线彼此电隔离的特征。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)《直接公开》 | 对比文件[00139]：“solder-bumping is best used to re-flow solder material deposited between the LED electrodes and counter-positioned bars (or stripes) 100 and 108 placed on the mounting surface”（焊料凸块工艺，在LED电极和安装表面上的对位条之间回流焊料）。 | 对比文件明确公开了通过焊料凸块（凸块）将LED电极（相当于凸块）连接到安装表面上的对位条（相当于焊盘）。因此，直接公开了通过凸块和焊盘连接。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)《直接公开》 | 对比文件[00139]（同特征X）。 | 同特征X，对比文件直接公开了通过凸块与焊盘连接。 |
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