**对比文件名称**：2005-06-22_KR1020050061464A_发明公开_KR1020050061464A 전력 표면 장착식 발광 다이 패키지
**目标专利名称**：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件 CN101584053B
**模型名称**：DeepSeek
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述载体能够使得光学元件(45) <br>**《直接公开》** | 对比文件[10]：“Embodiments of the present invention provide a package for a semiconductor, such as a light emitting diode, the package comprising a substrate having traces for connection of a mounting pad to the light emitting diode, a reflector plate coupled to the substrate and substantially surrounding the mounting pad, and a lens substantially covering the mounting pad.” 翻译：本发明的实施例提供一种用于诸如发光二极管的半导体的封装，所述封装包括：具有用于连接到安装焊盘的发光二极管的迹线的基板，结合到基板并基本上围绕安装焊盘的反射器板，以及基本上覆盖安装焊盘的透镜。 | 对比文件明确公开了光学元件（透镜）相对于光学半导体元件（LED）被准确定位的功能，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤<br>**《直接公开》** | 对比文件[10]同A；[29]“The light emitting die package 10 includes a bottom heat sink 20, a top heat sink 40, and a lens 50.” 翻译：发光管芯封装10包括底部散热器20、顶部散热器40和透镜50。 | 对比文件公开了封装包括透镜定位，且制造方法必然包括提供基板、反射器板、透镜等步骤，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)<br>**未公开** | 无相关公开。对比文件中的基板（20）由高导热性但电绝缘的材料制成（如AlN），不是导电多层载体基片。 | 对比文件未公开导电多层载体基片，故未公开。 |
| 技术特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开多层金属载体基片结构，故未公开。 |
| 技术特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)<br>**未公开** | 对比文件[30]：“The bottom heat sink 20 provides electrical traces 22, 24, solder pads 26, 32, 34 and support for the LED assembly 60.” 翻译：底部散热器20提供电迹线22、24、焊盘26、32、34和用于LED组件60的支撑。 | 对比文件公开了在基板表面形成导体结构，但不是在多层金属层中形成，且无上部载体层和中间载体层，故未公开。 |
| 技术特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)<br>**未公开** | 对比文件[29]公开了顶部散热器/反射器板（40），但该板是金属，并非绝缘间隔层。 | 对比文件未公开图案化的绝缘间隔层，而是提供金属反射器板，故未公开。 |
| 技术特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)<br>**未公开** | 对比文件[44]描述了由反射器板（40）和基板（20）围成的腔，但腔不是由绝缘间隔层图案化形成。 | 对比文件未公开绝缘间隔层，更未公开其图案化形成腔，故未公开。 |
| 技术特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)<br>**《直接公开》** | 对比文件[34]：“The LED assembly 60 is shown as die-attached to the substrate 20. In other embodiments, the mounting pad 28 can be configured to allow flip-chip attachment of the LED assembly 60.” 翻译：LED组件60被示出为管芯附着到基板20。在其他实施例中，安装焊盘28可以被配置为允许LED组件60的倒装芯片附着。 | 对比文件公开了LED安装在腔内的焊盘上并连接至迹线，因此直接公开。 |
| 技术特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度<br>**《隐含公开》** | 对比文件[44]描述反射器板围绕LED，且附图显示反射器板高度高于LED。 | 本领域技术人员从附图及描述可以合理推断出腔的深度大于LED的高度，故隐含公开。 |
| 技术特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(45,61)相对于所述光学半导体元件(41)的位置<br>**《直接公开》** | 对比文件[43]：“The reflector plate 40 includes a ledge 44 for supporting and engaging with the lens 50.” 翻译：反射器板40包括用于支撑透镜50并与其结合的凸缘44。 | 对比文件公开了透镜由反射器板支撑，腔的位置限定了透镜相对于LED的位置，直接公开。 |
| 技术特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开任何中间载体层，更未提及不同金属，故未公开。 |
| 技术特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征O：还包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未明确公开“还包括以下步骤”的表述，且未公开对应的方法步骤，故未公开。 |
| 技术特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开任何中间绝缘层，故未公开。 |
| 技术特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开中间绝缘层及其配置，故未公开。 |
| 技术特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征T：43)。<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未公开，故未公开。 |
| 技术特征U：还包括以下步骤<br>**未公开** | 无相关公开。 | 对比文件未明确公开，故未公开。 |
| 技术特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线<br>**未公开** | 对比文件[39]：“The substrate has a bottom surface 29 that includes a thermal contact pad 36.” 翻译：基板具有包括热接触焊盘36的底部表面29。 | 对比文件未公开在下部载体层中形成下部导体结构，且无下部载体层，故未公开。 |
| 技术特征W：所述引线彼此电隔离<br>**《隐含公开》** | 对比文件[30]：“The bottom heat sink 20 provides electrical traces 22, 24, solder pads 26, 32, 34 and support for the LED assembly 60.” 翻译：底部散热器20提供电迹线22、24、焊盘26、32、34和用于LED组件60的支撑。 | 本领域技术人员公知，不同迹线通常彼此电隔离，从对比文件公开的多个迹线可以合理推断出，故隐含公开。 |
| 技术特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)<br>**《隐含公开》** | 对比文件[34]：“In other embodiments, the mounting pad 28 can be configured to allow flip-chip attachment of the LED assembly 60.” 翻译：在其他实施例中，安装焊盘28可以被配置为允许LED组件60的倒装芯片附着。 | 倒装芯片附着通常涉及凸块与焊盘的连接，本领域技术人员可以合理推断出，故隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)<br>**《隐含公开》** | 对比文件[34]同上。 | 同特征X，隐含公开。 |
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