对比文件名称：2004-03-18_WO2004023522A_发明申请_WO2004023522A2 POWER SURFACE MOUNT LIGHT EMITTING DIE PACKAGE
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：AI语言模型（资深专利代理师）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 特征A：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位。**（直接公开）** | [0026] “a lens covers the mounting pad”；[0042] “The reflective plate 40 includes a ledge 44 for supporting and coupling with the lens 50.” 翻译：透镜覆盖安装垫；反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的突出部44。 | 对比文件公开了透镜（光学元件）通过反射板的突出部支撑在安装垫上方，从而相对于LED（光学半导体元件）准确定位，因此公开了载体能够使得光学元件准确定位的功能，作用相同。 |
| 特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤。**（未公开）** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开光学元件61（漫射器）的定位，也未公开所述方法步骤。 |
| 特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)。**（未公开）** | [0030] “The substrate 20 is made of material having high thermal conductivity but is electrically insulating, for example, aluminum nitride (AlN) or alumina (Al2O3).” 翻译：衬底20由高导热但电绝缘的材料制成，例如氮化铝或氧化铝。 | 对比文件的衬底是电绝缘的，并非导电多层载体基片，且未公开多层金属结构。 |
| 特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层(13)、下部载体层(14)以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层(12)。**（未公开）** | 同特征C，对比文件未公开导电多层结构。 | 对比文件仅公开单层绝缘衬底，未公开上部、下部、中间载体层的多层金属结构。 |
| 特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)。**（未公开）** | [0029] “The traces 22 and 24 and the solder pads 32, 34, and 36 can be fabricated using conductive material.” 翻译：迹线22和24以及焊盘32、34、36可以使用导电材料制造。 | 对比文件在绝缘衬底表面形成迹线，并非在金属载体层中形成导体结构，且未公开中间载体层。 |
| 特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)。**（未公开）** | [0039] “A high temperature, mechanically tough, dielectric material can be used to overcoat the traces... to seal the traces and provide protection.” 翻译：可以使用高温、机械坚韧的介电材料覆盖迹线，以密封迹线并提供保护。 | 对比文件仅公开可选的绝缘涂层覆盖迹线，并非图案化的绝缘间隔层，也未形成腔。 |
| 特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)。**（未公开）** | [0042] “The reflective plate 40 includes a ledge 44 for supporting and coupling with the lens 50.” 翻译：反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的突出部44。 | 对比文件的反射板形成腔，但反射板为金属导电材料，并非绝缘间隔层，且未通过图案化绝缘层形成腔。 |
| 特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)。**（直接公开）** | [0029] “LED assembly 60 is mounted on the mounting pad 28 and connected to the traces 22 and 24 via bond wire 62 or flip-chip.” 翻译：LED组件60安装在安装垫28上，并通过引线键合62或倒装芯片连接到迹线22和24。[0033] “the mounting pad 28 can be configured to allow flip-chip attachment of the LED assembly 60.” 翻译：安装垫28可配置为允许LED组件60的倒装芯片安装。 | 对比文件公开了在由反射板形成的腔中，LED连接到迹线（上部导体结构），因此直接公开了光学半导体元件在腔中连接到上部导体结构。 |
| 特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度。**（隐含公开）** | 对比文件附图3（侧视图）显示反射板形成的腔深度大于LED芯片高度；说明书没有明确文字，但附图隐含公开。 | 本领域技术人员从对比文件附图3可以合理推断出，为了容纳LED芯片并确保透镜定位，腔的深度必然大于LED芯片的高度，因此该特征被隐含公开。 |
| 特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置。**（直接公开）** | [0042] “The reflective plate 40 includes a ledge 44 for supporting and coupling with the lens 50.” 翻译：反射板40包括用于支撑和耦合透镜50的突出部44。 | 对比文件公开了反射板上的突出部支撑透镜，从而腔（反射板围成的空间）限定了透镜相对于LED的位置，因此直接公开了腔形成为限定光学元件位置。 |
| 特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的。**（未公开）** | 对比文件未公开多层金属层，无相关记载。 | 对比文件未公开任何中间载体层，更未公开其由不同金属制成。 |
| 特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻。**（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开中间载体层材料的选择与蚀刻有关。 |
| 特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样。**（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开关于选择性蚀刻的任何内容。 |
| 特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。**（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开钻蚀形成凹槽以改善密封剂锚固的结构。 |
| 特征O：还包括以下步骤。**（未公开）** | 对比文件无方法步骤。 | 对比文件未公开制造方法，因此未公开该步骤。 |
| 特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层。**（未公开）** | [0039]提到绝缘涂层，但非位于载体层与图案化绝缘间隔层之间。 | 对比文件未公开在载体层和图案化绝缘间隔层之间提供中间绝缘层，且无图案化绝缘间隔层。 |
| 特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接。**（未公开）** | [0033]提到倒装芯片，但未涉及中间绝缘层及加热加压实现连接。 | 对比文件未公开通过中间绝缘层加热加压实现凸块连接的技术。 |
| 特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接。**（未公开）** | 对比文件未公开相关结构。 | 对比文件未公开该连接方式。 |
| 特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22)。**（未公开）** | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开凸块面向中间膜的结构。 |
| 特征T：43)。**（未公开）** | 无。 | 不构成完整特征，对比文件未公开。 |
| 特征U：还包括以下步骤。**（未公开）** | 无。 | 对比文件未公开方法步骤。 |
| 特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线。**（未公开）** | [0037] “bottom solder pads 34” 底部焊盘，但不是在载体层中形成。 | 对比文件未公开在金属载体层中形成下部导体结构，其底部焊盘形成于绝缘衬底。 |
| 特征W：所述引线彼此电隔离。**（未公开）** | 对比文件有多个迹线，但未涉及在载体层中形成的引线隔离。 | 对比文件未公开在载体层中形成彼此电隔离的引线。 |
| 特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。**（直接公开）** | [0033] “the mounting pad 28 can be configured to allow flip-chip attachment of the LED assembly 60.” 翻译：安装垫28可配置为允许LED组件60的倒装芯片安装。 | 对比文件明确公开了可通过倒装芯片方式将LED的凸块连接到焊盘，从而将光学半导体元件连接到上部导体结构，因此直接公开。 |
| 特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。**（直接公开）** | 同特征X引用的段落[0033]。 | 同特征X，直接公开。 |
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