对比文件名称：2005-12-15_JP2005538550A_发明专利_JP2005538550A Light emitting die package of power surface mount
目标专利名称：1261载体和基于这种载体的光学半导体器件CN101584053B
本次调用的模型名称：深度推理模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：所述载体能够使得光学元件(45)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位。 《直接公开》 | 对比文件[2]：“反射板４０は、レンズ５０を支持し、それと結合する１つの棚４４を含む。” 以及“レンズ５０は、反射板４０に支持され、それと結合する１つの棚４４を含む。” 透镜50通过突出部44支撑在反射板40上，从而相对于LED组件60准确定位。 | 对比文件明确公开了透镜（光学元件）通过反射板上的突出部定位，相对于LED（光学半导体元件）准确定位，因此实现了载体使得光学元件准确定位的功能。 |
| 特征B：61)相对于要连接到所述载体(40)的光学半导体元件(41)准确定位，所述方法包括以下步骤。 《未公开》 | 无直接引用。 | 特征B实质上是方法权利要求的前序部分，对比文件主要描述产品结构，未公开任何制造方法步骤，因此未公开此特征。 |
| 特征C：提供(201)导电多层载体基片(10)。 《未公开》 | 对比文件[2]：“基板２０は、高い熱伝導率を有する材料でできているが、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの電気的絶縁材料である。” | 对比文件中的基板由绝缘陶瓷材料制成，不是导电多层载体基片，因此未公开。 |
| 特征D：所述导电多层载体基片具有上部载体层、下部载体层以及所述上部载体层与所述下部载体层之间的中间载体层。 《未公开》 | 同上。 | 对比文件仅公开单层绝缘基板，未公开多层导电基片结构。 |
| 特征E：在所述上部载体层和所述中间载体层(13，12)中形成(206，207)上部导体结构(22)。 《未公开》 | 对比文件[2]：トレース２２および２４は、基板２０の上面２１に形成される。 | 对比文件中的迹线形成在基板表面，而不是在多层载体层中形成，因此未公开。 |
| 特征F：在所述载体基片(10)的上部载体层侧提供(208，209)图案化的绝缘间隔层(26)。 《未公开》 | 对比文件[2]：“上部ヒート・シンク４０は、アルミニウム、銅、セラミックス、プラスチックス、合成物、またはこれらの材料の１つの組合せのような材料から作られている。” | 对比文件中的上部散热器（反射板）是金属或塑料部件，不是图案化的绝缘间隔层，且未提供在基片上的绝缘间隔层，因此未公开。 |
| 特征G：所述绝缘间隔层(26)被图案化从而形成至少一个腔(27)。 《未公开》 | 同上。 | 对比文件未公开绝缘间隔层，腔由反射板与基板共同形成，而非绝缘间隔层图案化形成。 |
| 特征H：在该腔中所述光学半导体元件(41)能够连接到所述上部导体结构(22)。 《直接公开》 | 对比文件[2]：“上部ヒート・シンク４０は、取り付けパッド２８上に取り付けけられたＬＥＤアセンブリ６０を略囲む１つの反射面４２を含みうる。” 以及“ＬＥＤアセンブリ６０および第２トレース２４の上部は、互いに１つのボンド・ワイヤ６２によって接続される。” | 对比文件公开了LED组件在反射板围绕的腔中通过引线键合连接到迹线（导体结构），因此在该腔中光学半导体元件能够连接到上部导体结构。 |
| 特征I：当所述光学半导体元件(41)被连接到所述载体(40)时，所述腔(27)的深度大于所述光学半导体元件(41)的高度。 《隐含公开》 | 对比文件未明确记载深度，但反射板40的高度通常大于LED组件高度，且透镜50支撑在反射板突出部上，必然需要腔深大于LED高度以容纳LED和封装材料。 | 本领域技术人员根据对比文件描述的反射板包围LED并支撑透镜的结构，可以合理推断出腔的深度必然大于LED的高度，因此隐含公开。 |
| 特征J：所述腔(27)形成为限定所述光学元件(4561)相对于所述光学半导体元件(41)的位置。 《直接公开》 | 对比文件[2]：“反射板４０は、レンズ５０を支持し、それと結合する１つの棚４４を含む。” | 对比文件明确公开了透镜支撑在反射板的突出部上，从而限定了透镜相对于LED的位置，因此腔形成为限定光学元件位置。 |
| 特征K：所述中间载体层(12)是由与所述上部载体层(13)和所述下部载体层(14)不同的金属制成的。 《未公开》 | 对比文件未公开多层金属层，因此无中间载体层。 | 对比文件未公开任何多层金属层结构，无法比较金属差异。 |
| 特征L：所述金属被选择为使得所述中间载体层(12)能够被蚀刻剂蚀刻。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。 |
| 特征M：所述蚀刻剂使所述上部载体层(12)和所述下部载体层(14)基本保持原样。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开。 |
| 特征N：由此能够钻蚀所述上部载体层，从而在所述导体结构(22)中形成凹槽(23)，能够改善随后施加的密封剂(46)的锚固。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开钻蚀及凹槽结构。 |
| 特征O：还包括以下步骤。 《未公开》 | 无 | 无实质技术内容，对比文件未公开。 |
| 特征P：在所述上部载体层与所述图案化的绝缘间隔层之间提供中间绝缘层。 《未公开》 | 对比文件[2]：“被覆は、その上で、基板２０を上部ヒート・シンク４０に接着するＴＨＥＲＭＯＳＥＴ製の熱インタフェース材料のような１つの高温接着剤で被覆されてもよい。” | 对比文件中的粘合剂是用于固定反射板，并非在载体层与绝缘间隔层之间的中间绝缘层，且无绝缘间隔层，因此未公开。 |
| 特征Q：所述中间绝缘层被配置为，当所述光学半导体元件定位在所述中间膜上时，通过向所述光学半导体元件加热和加压能够通过所述中间绝缘层实现所述上部导体结构(22与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开中间绝缘层及通过加热加压实现电连接的方式。 |
| 特征R：43)与设置在所述光学半导体元件(41)上的连接器凸块(42)之间的电连接。 《未公开》 | 无。 | 同上。 |
| 特征S：所述凸块(42)面向所述中间膜以使得所述凸块的位置对应于所述导体结构(22。 《未公开》 | 无。 | 对比文件未公开凸块及中间膜。 |
| 特征T：43)。 《未公开》 | 无。 | 同上。 |
| 特征U：还包括以下步骤。 《未公开》 | 无 | 无实质内容。 |
| 特征V：在所述下部载体层中形成下部导体结构，从而形成使得能够将所述光学半导体元件电连接到外部器件的引线。 《未公开》 | 对比文件[2]：“基板２０は、１つの熱接点パッド３６を含む１つの底面２９を有する。” | 对比文件底部有热接触焊盘，但并非在下部载体层中形成的下部导体结构，且基板无下部载体层，因此未公开。 |
| 特征W：所述引线彼此电隔离。 《未公开》 | 对比文件[2]：トレース２２および２４は分離されている。 | 对比文件中的迹线是分离的，但未明确公开电隔离，且未公开引线由下部导体结构形成，因此未公开。 |
| 特征X：其中通过连接设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)和包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)来将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 《隐含公开》 | 对比文件[2]：“取り付けパッド２８は、ＬＥＤアセンブリ６０のフリップ・チップ取り付けを可能にするように構成されうる。” | 对比文件提到倒装芯片安装，本领域技术人员可以理解倒装芯片使用凸块和焊盘，因此隐含公开了通过凸块和焊盘的连接方式。 |
| 特征Y：其中通过使设置在所述光学半导体元件(41)上的凸块(42)与包括在所述上部导体结构(22)中的焊盘(43)相连接而将所述光学半导体元件(41)连接到所述上部导体结构(22)。 《隐含公开》 | 同上。 | 同特征X，隐含公开。 |
<<<A>>><<<H>>><<<J>>><<<i>>><<<x>>><<<y>>>