对比文件的名称：2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser
目标专利的名称：1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括，衬底（2）** <br> **《直接公开》** | 段落[0030]：“在优选实施例中，结构由形成在衬底(1)上的平凹腔或平平腔构成。” | 对比文件明确公开了衬底(1)，其作用与目标专利的衬底(2)相同，均为激光器的基底支撑结构。本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| **技术特征B：设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层（5）** <br> **《直接公开》** | 段落[0033]：“光学腔由两个DBR反射镜限定，如附图标记(5)和(6)所示。这些反射镜(5)和(6)可以由交替折射率的介电层或外延层构成。在优选实施例中，反射镜堆叠(5)和(6)是介电的，由低折射率和高折射率材料的交替层组成。” | 对比文件中的底部反射镜(6)是设置在衬底(1)上的DBR叠层，与目标专利的第一布拉格反射器叠层(5)作用相同，均为构成激光腔的反射镜。因此直接公开。 |
| **技术特征C：第二布拉格反射器叠层（9）** <br> **《直接公开》** | 段落[0033]（同上）：“光学腔由两个DBR反射镜限定，如附图标记(5)和(6)所示。” | 对比文件中的顶部反射镜(5)是另一DBR叠层，与目标专利的第二布拉格反射器叠层(9)作用相同，均为构成激光腔的另一反射镜。因此直接公开。 |
| **技术特征D：所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）形成具有光轴（3）的激光腔** <br> **《直接公开》** | 段落[0033]：“光学腔由两个DBR反射镜限定。”<br>段落[0030]：“集成微镜用于控制VCSEL的光学模式。” | 对比文件明确公开了由两个DBR反射镜形成光学腔，激光腔必然具有光轴（即光学模式中心轴），本领域技术人员能直接识别该腔体结构。 |
| **技术特征E：在操作中激光束沿着该光轴发出** <br> **《隐含公开》** | 段落[0025]：“集成微镜允许大而稳定的单光学模式直径。”<br>段落[0030]：“用于控制VCSEL的光学模式。” | 对比文件虽未明确写出“激光束沿光轴发出”，但VCSEL的工作原理决定了激光束必然沿光学腔的光轴方向输出。本领域技术人员从对比文件描述的光学腔和模式控制可以合理推断出激光束沿光轴发出。因此隐含公开。 |
| **技术特征F：使布拉格反射器叠层（5，9）之一终止的金属性反射器层（15）** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件中的薄金属层(9)是放置在腔内光学驻波节点处的接触/电流扩展层，其功能是改善欧姆接触和电流分布，并非用于在光学上终止布拉格反射器叠层。对比文件的顶部反射器(5)是DBR，位于金属层(9)之上，即金属层并未终止DBR。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G：所述金属性反射器层（15）环绕所述光轴（15）定位并且覆盖一定区域** <br> **《直接公开》** | 段落[0049]：“图1还示出了VCSEL可以包括用于金属层(9)的孔径(7)，用于选择性地将电流限制在VCSEL的中心，即光学模式最强处。可以在包层(3)上沉积介电材料(8)，通过图案化限定孔径(7)，其中金属层(9)沉积在介电材料(8)上及其周围，并沉积在孔径(7)内部。” | 对比文件中的金属层(9)沉积在孔径(7)内，孔径(7)位于VCSEL中心（对应光轴），因此金属层(9)环绕光轴定位并覆盖了中心区域。该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及金属层尺寸与TEM00模式强度分布的具体数值关系，也未给出任何关于“不大于三分之一最大强度区域”的限制。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该具体条件。因此未公开。 |
| **技术特征I：其中被所述金属性反射器层（15）终止的布拉格反射器叠层（5，9）包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层；并且中所述垂直腔表面发射激光二极管（1）还包括电流限制层（8）** <br> **未公开** | 第一部分：无相关公开内容。<br>第二部分：段落[0034]：“腔内电流孔径(7)的尺寸由介电材料(8)的光刻图案化限定，在优选实施例中，该介电材料是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。” | 对比文件未公开被金属层终止的DBR叠层（且不存在这样的终止关系），也未公开DBR的对数（至多15对）。虽然对比文件公开了电流限制层（介电材料(8)限定孔径(7)），但特征I的两部分必须同时满足，第一部分未被公开，因此整体未公开。 |
| **技术特征J：该电流限制层（8）具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔（81）** <br> **《直接公开》** | 段落[0035]：“该孔径(7)用于将电流限制在器件的中心，即光学模式最强处。” | 对比文件明确公开了电流孔径(7)用于限制电流，其功能与目标专利的电流孔(81)完全相同。因此直接公开。 |
| **技术特征K：其中所述金属性反射器层（15）覆盖其大小不超过被所述孔（81）覆盖的区域的大小的区域** <br> **《直接公开》** | 段落[0049]：“金属层(9)沉积在介电材料(8)上及其周围，并沉积在孔径(7)内部。” | 金属层(9)沉积在孔径(7)内部，因此其覆盖区域必然小于或等于孔径(7)所覆盖的区域。该特征被直接公开。 |
| **技术特征L：其特征在于，被所述金属性反射器层（15）覆盖的所述区域至少是被所述孔（81）覆盖的区域的1/10** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开金属层覆盖区域与孔径区域的任何具体比例数值，本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出“至少1/10”的限定。因此未公开。 |
| **技术特征M：其特征在于，所述金属性反射器层（15）被沉积到绝缘层（13）上** <br> **《直接公开》** | 段落[0049]：“可以在包层(3)上沉积介电材料(8)……其中金属层(9)沉积在介电材料(8)上及其周围。”<br>段落[0034]：“介电材料(8)……是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。” | 对比文件中的介电材料(8)是绝缘层，金属层(9)沉积在该绝缘层上，与目标专利中金属性反射器层沉积在绝缘层上的结构一致。因此直接公开。 |
| **技术特征N：其中所述绝缘层（13）是氧化硅层** <br> **《直接公开》** | 段落[0034]：“在优选实施例中，该介电材料是二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。” | 对比文件明确公开了绝缘层可以是二氧化硅（氧化硅），因此直接公开。 |
| **技术特征O：其特征在于，所述垂直腔表面发射激光二极管（1）是底部发射激光二极管** <br> **未公开** | 未明确提及发射方向。 | 对比文件未公开其VCSEL是底部发射还是顶部发射，从其结构描述（集成微镜在衬底背面）可推测可能为顶部发射，但并无明确或隐含公开底部发射方式。因此未公开。 |
| **技术特征P：所述金属性反射器层（15）设置在沉积于所述衬底（2）上的最顶部布拉格反射器叠层（9）上** <br> **未公开** | 对比文件中金属层(9)位于顶部DBR(5)下方，而非设置在其上。 | 目标专利中金属性反射器层设置在顶部DBR之上（远离衬底侧），而对比文件中的金属层(9)位于顶部DBR(5)与p型包层(3)之间，即设置在顶部DBR之下。因此该特征未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述金属性反射层（15）周边被环接触（11）围绕** <br> **未公开** | 段落[0041]：“附图标记(11)是附加金属接触，连接到薄金属电流扩展层(9)，可选地存在以简化制造。” | 对比文件仅提及附加金属接触(11)，但未描述其形状为环状，也未说明其围绕金属层(9)周边。因此未公开。 |
| **技术特征R：其中所述金属性反射器层（15）的折射率的实部低于0.5** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未提及金属层折射率的具体数值或范围。因此未公开。 |
| **技术特征S：其中所述金属性反射器层（15）的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组** <br> **《直接公开》** | 段落[0074]：“薄金属层(9)可以由但不限于Ni、Pd、Ag、Au、Pt、Mo、Ti、Ta等构成。” | 对比文件明确列出了Ag（银）、Au（金）以及合金（如Ni/Au、Pd/Au），这些材料属于目标专利所限定的组。因此直接公开。 |
| **技术特征T：其中所述金属性反射器层（15）的覆盖度从光轴（3）处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未描述金属层覆盖度的径向变化，亦未提及任何渐变结构。因此未公开。 |
| **技术特征U：其中所述金属性反射器层（15）形成电接触之一的至少一部分** <br> **《直接公开》** | 段落[0037]：“附图标记(9)代表接触和/或电流分布层。”<br>段落[0049]：“金属层(9)可以将电接触(11)电耦合到掺杂包层(3)。” | 对比文件明确金属层(9)用作接触层和电流分布层，是电接触的一部分。因此直接公开。 |
| **技术特征V：其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管** <br> **《隐含公开》** | 段落[0025]：“微镜被制造在衬底的背面上。”<br>段落[0030]：“集成微镜用于控制VCSEL的光学模式。” | 对比文件在衬底背面（光输出侧的反面）设置集成微镜和弯曲DBR，顶部DBR为平面，根据VCSEL设计常识，光通常从顶部（平面DBR侧）输出。本领域技术人员可以合理推断该VCSEL为顶部发射。因此隐含公开。 |
| **技术特征W：所述金属性反射器层（15）埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层（5，9）之下** <br> **未公开** | 对比文件中金属层(9)位于顶部DBR下方，并非埋置在DBR叠层之下（即不是位于衬底与第一DBR之间）。 | 目标专利中顶部发射实施例的金属性反射器层埋置在DBR叠层之下（靠近衬底），而对比文件中的金属层(9)位于顶部DBR与有源区之间，不属于此类埋置结构。因此未公开。 |
| **技术特征X：还包括电接触层** <br> **《直接公开》** | 段落[0041]：“附图标记(10)和(11)代表电接触，其中(10)代表n型材料的接触，(11)是附加金属接触。” | 对比文件明确公开了电接触层(10)和(11)，因此直接公开。 |
| **技术特征Y：该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分** <br> **未公开** | 无相关公开内容。 | 对比文件未公开电接触层与金属层相交的结构（如交叉条状部分），也未描述电接触层接触被金属层终止的DBR（因为对比文件不存在这种终止关系）。因此未公开。 |
### 公开性代码
根据上述判断，对比文件直接公开或隐含公开的技术特征代码输出如下：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<e>>><<<G>>><<<J>>><<<K>>><<<M>>><<<N>>><<<S>>><<<U>>><<<v>>><<<X>>>