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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
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1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置_+++A_B_E_G_O_P_T_U_X_f_m_q+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME_+++A_B_C_E_O_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx

对比文件名称:2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:未指定

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括,衬底(2)《直接公开》段落[0032]:“垂直腔表面发射激光器300包括半导体衬底302”。对比文件明确公开了半导体衬底,与目标专利的衬底实质相同,因此直接公开。
技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)《直接公开》段落[0032]:“下反射镜310……依次堆叠在半导体衬底302上”。对比文件中的下反射镜是布拉格反射器叠层,设置于衬底上,与目标专利的第一布拉格反射器叠层实质相同,直接公开。
技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)《直接公开》段落[0032]:“上反射镜350”。对比文件中的上反射镜是布拉格反射器叠层,与目标专利的第二布拉格反射器叠层实质相同,直接公开。
技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔《直接公开》段落[0033]:“产生的光在上反射镜与下反射镜350和310之间谐振多次,谐振光作为振荡激光发射”。对比文件的上、下反射镜构成谐振腔,光轴隐含在中心,形成激光腔,直接公开。
技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出《直接公开》段落[0033]:“谐振光作为振荡激光发射”。激光从谐振腔沿着光轴方向发射,对比文件公开了激光束沿光轴发出,直接公开。
技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)《未公开》段落[0035]:“光阻挡层303b位于上电极303a形成的孔的中心”。对比文件的光阻挡层设置在上反射镜上方的接触层上,并未终止布拉格反射器叠层,而是作为附加反射层。上反射镜仍为完整布拉格反射器(26对),未被金属性反射器层替代或终止,因此未公开。
技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴定位并且覆盖一定区域《直接公开》段落[0035]:“光阻挡层303b位于上电极303a形成的孔的中心”。对比文件的光阻挡层由金属材料形成,位于光轴中心,覆盖中央区域,相当于环绕光轴并覆盖一定区域,直接公开。
技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域《未公开》对比文件未涉及TEM00模式强度分布与光阻挡层尺寸的关系。对比文件未公开光阻挡层尺寸与模式强度分布的具体数值关系,本领域技术人员无法毫无疑义地得出该尺寸条件,且对比文件未给出任何相关教导或暗示,因此未公开。
技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)《未公开》第一部分:未公开;第二部分:段落[0033]:“电流阻挡层320中形成有允许电流通过和振荡光发射的孔径332”。对比文件未公开被金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层,其上反射镜具有26对(见段落[0039]),远多于15对;虽公开了电流阻挡层(相当于电流限制层),但特征I要求同时满足两个条件,整体未公开。
技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)《直接公开》段落[0033]:“电流阻挡层320中形成有允许电流通过和振荡光发射的孔径332”。对比文件的电流阻挡层中的孔径限制电流通过,与目标专利的电流孔功能相同,直接公开。
技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域《未公开》对比文件未限定光阻挡层尺寸与电流阻挡层孔径尺寸的关系。对比文件未描述光阻挡层与电流阻挡层孔径的尺寸比较,本领域技术人员无法直接或隐含得知该尺寸关系,因此未公开。
技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10《未公开》对比文件未公开任何比例关系。对比文件未提及金属性反射器层与孔的区域比例,未公开。
技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上《未公开》对比文件未提及绝缘层;光阻挡层直接设置在接触层(半导体)上。对比文件的光阻挡层下方无绝缘层,且未暗示需要绝缘层,因此未公开。
技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层《未公开》对比文件未公开绝缘层,更未指定氧化硅。基于特征M未公开,特征N亦未公开。
技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管《未公开》对比文件实施例均为顶部发射(光从上方电极侧发出)。对比文件明确为上电极出光,属于顶部发射结构,未公开底部发射,因此未公开。
技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上《未公开》对比文件的光阻挡层设置在上反射镜上,但上反射镜并非最顶部布拉格反射器叠层(对于顶部发射,最顶部布拉格反射器叠层是上反射镜,但光阻挡层在其上)。然而特征P结合底部发射,对比文件无底部发射结构。对比文件为顶部发射,光阻挡层位于上反射镜上方,但目标专利特征P明确针对底部发射时金属性反射器层位于最顶部布拉格反射器叠层上,对比文件未公开此结构,因此未公开。
技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕《直接公开》段落[0035]:“上电极303a以环形形式布置,具有中心孔”;“光阻挡层303b位于该孔的中心”。对比文件的上电极为环形且围绕光阻挡层,相当于环接触围绕金属性反射器层,直接公开。
技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5《未公开》对比文件未提及折射率数值。对比文件未公开光阻挡层材料的折射率实部,本领域技术人员无法直接得知,也未暗示该数值范围,因此未公开。
技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组《未公开》段落[0036]:“光阻挡层303b可由金属材料形成,例如能导电的材料”。对比文件仅泛泛提到金属,未具体列出金、银、铜及其合金,本领域技术人员无法直接或隐含确定该具体选择,因此未公开。
技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低《未公开》对比文件的光阻挡层为均匀圆盘,覆盖度无变化。对比文件未公开覆盖度逐渐降低的结构,也未暗示,因此未公开。
技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分《直接公开》段落[0051]:“光阻挡层503b与上电极503a电连接”。对比文件第三实施例中光阻挡层与上电极电连接,形成电接触的一部分,直接公开。
技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管《直接公开》整体结构显示激光从顶部(上电极侧)发出。对比文件所有实施例均为顶部发射,直接公开。
技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下《未公开》对比文件的光阻挡层位于上反射镜之上,未埋置在叠层之下。对比文件无埋置结构,也未教导,因此未公开。
技术特征X:还包括电接触层《直接公开》段落[0032]:“接触层340”。对比文件明确有接触层作为电接触层,直接公开。
技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分《未公开》对比文件的接触层在光阻挡层下方,未形成相交部分。对比文件未公开电接触层与金属性反射器层相交的结构,也未暗示,因此未公开。

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