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对比文件列表
1990-08-14_US4949350A_发明授权_US4949350A Surface emitting semiconductor laser_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_R_S_U+++.docx
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1996-10-22_US5568499A_发明授权_US5568499A Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors_+++A_B_C_D_E_J_O_V_X+++.docx
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1997-04-15_None_发明专利_JPH09102648A Low-noise surface light-emitting laser for multi-mode optical link_+++A_B_C_D_E_F_G_I_J_K_O_P_S_U_V_X_r+++.docx
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2001-07-05_US2001006528A_发明申请_US20010006528A1 Surface emitting semiconductor laser, and its fabrication method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_X+++.docx
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2001-09-14_JP2001251016A_发明专利_JP2001251016A Surface emitting semiconductor laser and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_F_G_J_O_P_S_U_V_r+++.docx
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2003-01-14_US6507595B_发明授权_US06507595B1 Vertical-cavity surface-emitting laser comprised of single laser elements arranged on a common substrate_+++A_B_C_D_E_J_S_V_f_o_p_u+++.docx
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2003-04-15_US6549556B_发明授权_US06549556B1 Vertical-cavity surface-emitting laser with bottom dielectric distributed bragg reflector_+++A_B_C_D_E_F_G_M_N_O_P_S_V_W_X+++.docx
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2004-04-15_JP2004119582A_发明专利_JP2004119582A Surface-emitting semiconductor laser, its manufacturing method, optical module, light transmission device_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2004-08-26_JP2004241422A_发明专利_JP2004241422A Surface emission laser element_+++A_B_C_D_E_J_V_X+++.docx
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2006-09-21_JP2006253635A_发明专利_JP2006253635A Surface-emitting semiconductor laser device and its manufacturing method_+++A_B_C_D_E_V_X+++.docx
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2007-12-06_US2007280320A_发明申请_US20070280320A1 Electrically-pumped (Ga,In,Al)N vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_G_J_K_M_N_S_U_X_e_v+++.docx
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2007-12-13_None_发明专利_JPWO2005062434A1 面発光レーザおよびレーザ投射装置_+++A_B_E_G_O_P_T_U_X_f_m_q+++.docx
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2008-03-19_KR1020080024719A_发明公开_KR1020080024719A 수직 공진형 표면 방출 레이저_+++A_B_C_D_E_G_J_P_Q_U_V_X_r_s+++.docx
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2008-03-20_US2008069166A_发明申请_US20080069166A1 Vertical-cavity surface-emitting laser_+++A_B_C_D_E_G_J_Q_U_V_X+++.docx
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2008-09-25_WO2008114160A_发明申请_WO2008114160A1 VERTICAL EXTENDED CAVITY SURFACE EMISSION LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING COMPONENT OF THE SAME_+++A_B_C_E_O_X+++.docx
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JPH03148892A_Description_20260712_1453_+++A_D_E_V_X_b_c+++.docx
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JPH04318992A_Description_20260712_1453_+++A_B_C_D_E_F_G_O_P_S_U_X_r+++.docx
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WO2005062434A1_Description_20260712_1453_+++A_E_G_M_O_P_T_U_X_b_f_j+++.docx

对比文件名称:WO2005062434A1_Description_20260712_1453

目标专利名称:1265具有改善的模式选择性的垂直腔表面发射激光器CN102187534B

本次调用的模型名称:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:包括,衬底(2)**<br>《直接公开》[0072]:“该实施方式1的面发光激光器100a具有半导体系基板2a……”。对比文件明确公开了半导体基板作为衬底,因此该特征被直接公开。
**技术特征B:设置在该衬底上的第一布拉格反射器叠层(5)**<br>《隐含公开》[0072]:“……活性层3及反射层4(DBR层)”。[0074]:“反射层4是分散型布拉格反射层(DBR层)”。对比文件公开了在衬底上(通过活性层间接设置)形成有布拉格反射器叠层(DBR层4),虽然未明确标注“第一”,但本领域技术人员可以合理推断该特征存在,因此隐含公开。
**技术特征C:第二布拉格反射器叠层(9)**<br>未公开对比文件全文未公开第二个布拉格反射器叠层,其谐振腔由DBR层4和外部反射镜1构成,外部反射镜并非布拉格反射器叠层。对比文件没有公开任何与第二布拉格反射器叠层对应的结构,因此未公开。
**技术特征D:所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)形成具有光轴(3)的激光腔**<br>未公开对比文件全文未公开由两个布拉格反射器叠层组成的谐振腔。对比文件的谐振腔由DBR层和外部反射镜组成,而非两个布拉格反射器叠层,因此未公开。
**技术特征E:在操作中激光束沿着该光轴发出**<br>《直接公开》[0077]:“激光光8从外部反射镜1出射……激光光8的射出方向为垂直于半导体系基板2a表面的方向”。对比文件明确激光束沿垂直于基板表面的方向(即光轴方向)出射,因此直接公开。
**技术特征F:使布拉格反射器叠层(5,9)之一终止的金属性反射器层(15)**<br>《隐含公开》[0074]:“下部电极6……星形形状”。[0072]:“下部电极6形成在反射层4上”。对比文件的下部电极6为金属层,位于DBR层4之上,光学上可终止该布拉格反射器叠层(反射剩余光),虽然其主要功能为电接触,但本领域技术人员可合理推断其起到反射器作用,因此隐含公开。
**技术特征G:所述金属性反射器层(15)环绕所述光轴(3)定位并且覆盖一定区域**<br>《直接公开》[0074]:“下部电极6……其中心与环形上部电极5的中心一致”。[0074]描述星形形状覆盖一定区域。对比文件的下部电极6中心与光轴一致,环绕光轴并覆盖一定区域,因此直接公开。
**技术特征H:该区域不大于在其中TEM00激光模式的强度超过该TEM00激光模式的最大强度的三分之一的区域**<br>未公开对比文件全文未公开任何关于金属性反射器层尺寸与TEM00模式强度分布的关系。对比文件仅提及光强分布为高斯分布,但未将电极尺寸与模式强度三分之一宽度关联,因此未公开。
**技术特征I:其中被所述金属性反射器层(15)终止的布拉格反射器叠层(5,9)包括至多15对具有交替的较高和较低折射率的层;并且中所述垂直腔表面发射激光二极管(1)还包括电流限制层(8)**<br>未公开对比文件未公开布拉格反射器叠层的对数(未提及15对或更少)。[0101]有绝缘层11但并非目标专利所述的电流限制层(氧化限制层),且功能不同。对比文件没有公开布拉格反射器的具体对数,其绝缘层虽具有孔但并非用于限制电流的电流限制层(而是用于调整电流分布),因此该特征整体未公开。
**技术特征J:该电流限制层(8)具有横向地限制流过激光腔的电流的电流孔(81)**<br>《隐含公开》[0101]:“在下部电极600与DBR层4之间形成绝缘层11,该绝缘层11具有多个孔11a、11b、11c,使得接触面密度从中心到周边变化”。对比文件公开了绝缘层上具有孔,这些孔允许电流通过而其他区域绝缘,从而横向限制电流,本领域技术人员可合理推断其具有电流孔功能,因此隐含公开。
**技术特征K:其中所述金属性反射器层(15)覆盖其大小不超过被所述孔(81)覆盖的区域的大小的区域**<br>未公开对比文件[0101]中,下部电极600覆盖整个绝缘层区域,其覆盖区域远大于孔区域。对比文件中的金属性反射器层(下部电极)覆盖区域大于孔区域,而非不大于,因此未公开。
**技术特征L:其特征在于,被所述金属性反射器层(15)覆盖的所述区域至少是被所述孔(81)覆盖的区域的1/10**<br>未公开对比文件全文未公开任何关于金属性反射器层与孔覆盖区域的比例关系。对比文件未记载该比例关系,因此未公开。
**技术特征M:其特征在于,所述金属性反射器层(15)被沉积到绝缘层(13)上**<br>《直接公开》[0101]:“在下部电极600与DBR层4之间形成绝缘层11”。[0107]:“下部电极与DBR层之间配置电流停止层”。对比文件公开了在下部电极(金属性反射器层)与DBR层之间形成绝缘层,因此金属性反射器层沉积在绝缘层上,直接公开。
**技术特征N:其中所述绝缘层(13)是氧化硅层**<br>未公开对比文件仅提及“绝缘层”,未指定材料为氧化硅。对比文件未公开绝缘层的具体材料,因此未公开。
**技术特征O:其特征在于,所述垂直腔表面发射激光二极管(1)是底部发射激光二极管**<br>《直接公开》[0074]:“半导体系基板2a的位于上部电极5内侧的部分被蚀刻到活性层3附近并变薄”,[0077]“激光光8从外部反射镜1出射”(光从基板背面出射)。对比文件的光从基板背面出射,属于底部发射结构,因此直接公开。
**技术特征P:所述金属性反射器层(15)设置在沉积于所述衬底(2)上的最顶部布拉格反射器叠层(9)上**<br>《直接公开》[0072]:“反射层4(DBR层)形成在活性层3上”,[0074]:“下部电极6形成在反射层4上”。对比文件的DBR层4是离衬底最远的布拉格反射器叠层(唯一),下部电极6设置在其上,因此直接公开。
**技术特征Q:其中所述金属性反射层(15)周边被环接触(11)围绕**<br>未公开对比文件的上部电极5为环形,但位于基板背面,不围绕下部电极6;下部电极6周边未被环接触围绕。对比文件不存在环接触围绕金属性反射器层的结构,因此未公开。
**技术特征R:其中所述金属性反射器层(15)的折射率的实部低于0.5**<br>未公开对比文件全文未公开金属性反射器层的折射率。对比文件未涉及折射率数据,因此未公开。
**技术特征S:其中所述金属性反射器层(15)的材料选自金、银、铜及其合金所构成的组**<br>未公开对比文件未指定下部电极的材料。对比文件未公开金属性反射器层的具体材料,因此未公开。
**技术特征T:其中所述金属性反射器层(15)的覆盖度从光轴(3)处的覆盖度沿着径向地向外的方向逐渐降低**<br>《直接公开》[0081]:“下部电极6与DBR层4接触的部分的面密度从中心到周边减小”。对比文件的下部电极(星形)与DBR的接触面密度从中心向周边减小,即覆盖度逐渐降低,因此直接公开。
**技术特征U:其中所述金属性反射器层(15)形成电接触之一的至少一部分**<br>《直接公开》[0072]:“下部电极6”作为电极之一。[0077]“上部电极5与下部电极6之间施加驱动电压”。对比文件的下部电极6就是电接触层,因此金属性反射器层形成电接触的一部分,直接公开。
**技术特征V:其中所述垂直腔表面发射激光二极管是顶部发射激光二极管**<br>未公开对比文件为底部发射(光从基板背面出射)。对比文件不涉及顶部发射结构,因此未公开。
**技术特征W:所述金属性反射器层(15)埋置在所述第一和第二布拉格反射器叠层(5,9)之下**<br>未公开对比文件没有两个布拉格反射器叠层。对比文件不存在埋置在两个布拉格反射器叠层之下的结构,因此未公开。
**技术特征X:还包括电接触层**<br>《直接公开》[0072]:“上部电极5和下部电极6”。[0077]:“上部电极5与下部电极6”。对比文件公开了上部电极和下部电极作为电接触层,因此直接公开。
**技术特征Y:该电接触层接触被所述金属性反射器层终止的布拉格反射器叠层并且包括与所述金属性反射器层相交的部分**<br>未公开对比文件的下部电极(金属性反射器层)本身即为电接触层,无其他电接触层与其相交;上部电极位于基板背面,不接触该布拉格反射器叠层。对比文件没有公开任何电接触层与金属性反射器层相交的结构,因此未公开。

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