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对比文件列表

1994-11-29_US5368826A_发明授权_US5368826A Control apparatus for fluid disinfection modules and systems_+++O_Q_S_U_V_W_X_m_n+++.docx

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2000-06-23_JP2000172343A_发明专利_JP2000172343A Gas supply device and film forming device_+++f_w+++.docx

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2003-10-07_JP2003529442A_发明专利_JP2003529442A Fluid processing system_+++F_Q_S_T_U_V_W_X_m_n_o_p+++.docx

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2000-06-23_JP2000172343A_发明专利_JP2000172343A Gas supply device and film forming device_+++f_w+++.docx

**对比文件的名称**：2000-06-23_JP2000172343A_发明专利_JP2000172343A Gas supply device and film forming device

**目标专利的名称**：1277具有紫外光发射器的流体净化系统CN101238073B

**本次调用的模型名称**：GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断	对比文件原文引用（中文翻译）	公开性论述
技术特征A：包括具有表面和位于所述表面内的多个孔的多孔板。未公开	对比文件未公开多孔板结构。其公开了多个块（マニホールドブロック）具有贯通孔（[0015]：“内部にガス供給流路としての貫通孔２２が形成されている”），但该孔是单个通道，并非多孔板表面内的多个孔。	对比文件涉及气体供应装置，其块中的贯通孔用于气体流通，而目标专利的多孔板是用于流体分布并配合紫外照射的板状结构，二者在结构、功能和目的上均不相同，不能由对比文件直接或隐含得出。
技术特征B：安装并且分布在所述表面上的多个紫外(UV)发光二极管(LED)。未公开	对比文件未提及任何紫外发光二极管。	对比文件涉及气体供应和成膜装置，未涉及紫外LED及其安装。
技术特征C：以便至少一个紫外发光二极管位于所述表面内每组相邻孔之间。未公开	对比文件未公开紫外LED与孔的相对位置关系。	对比文件无孔和LED的对应关系。
技术特征D：使得穿过每个孔的流体被靠近每个孔定位的至少一个紫外发光二极管照射。未公开	对比文件未公开流体照射。	对比文件无紫外LED和流体照射。
技术特征E：以将穿过每个孔的流体暴露于紫外辐射。未公开	对比文件未公开紫外辐射暴露。	对比文件无紫外辐射相关内容。
技术特征F：和具有用于所述流体的至少一个入口和至少一个出口的腔室。隐含公开	[0028]：“各反応室１０６、１０８では各ガス供給装置１１０、１１２からそれぞれプロセスガスを受けてウエハ１１４に絶縁膜を堆積させるようになっている。”<br>[0015]：“マニホールドブロック２０は継手２８、ステンレス配管３０を介して反応室に接続されている。”	对比文件公开了反应室（反応室），该反应室用于接收气体（流体）并具有入口（通过配管连接），且作为成膜腔室必然需要排气口（出口），本领域技术人员可以合理推断其具有出口。因此，反应室相当于具有入口和出口的腔室，但该腔室用途与目标专利不同，且未结合后续特征，故隐含公开。
技术特征G：所述多孔板和紫外发光二极管安装在所述腔室内。未公开	对比文件未公开多孔板和紫外LED安装在反应室内。	对比文件中反应室内放置的是半导体晶圆，没有多孔板和紫外LED。
技术特征H：使得当所述流体穿过所述多个孔时暴露于来自紫外发光二极管的紫外辐射。未公开	对比文件未公开流体穿过多孔板及紫外照射。	对比文件无多孔板和紫外LED。
技术特征I：其中，两个相邻紫外发光二极管之间的距离取决于紫外发光二极管的紫外光发射量。未公开	对比文件未公开紫外LED及其间距。	对比文件无紫外LED。
技术特征J：其中所述孔的尺寸取决于紫外发光二极管的紫外光发射量。未公开	对比文件未公开孔尺寸与紫外发射量的关系。	对比文件无紫外LED和对应孔。
技术特征K：其中所述多孔板包括印刷电路板。未公开	对比文件公开了印刷电路板（制御基板44）但并非多孔板。	对比文件中的控制基板是MFC内部的电路板，与多孔板无关，且多孔板结构本身未公开。
技术特征L：其中所述孔和所述紫外发光二极管以二维阵列布置。未公开	对比文件未公开二维阵列。	对比文件无孔和LED的阵列布局。
技术特征M：还包括一个或多个绝缘窗。未公开	对比文件未公开绝缘窗。	对比文件涉及气体供应，无绝缘窗结构。
技术特征N：所述一个或多个绝缘窗使所述一个或多个紫外发光二极管与所述流体绝缘。未公开	对比文件未公开绝缘窗。	对比文件无紫外LED和绝缘窗。
技术特征O：其中所述一个或多个绝缘窗用从由石英、二氧化硅和玻璃组成的一组中选择的一种材料制造。未公开	对比文件未公开绝缘窗材料。	对比文件无绝缘窗。
技术特征P：其中所述腔室的壁被覆盖有一个或多个紫外光反射屏。未公开	对比文件未公开反射屏。	对比文件无紫外光反射屏。
技术特征Q：还包括基于反馈的电力控制单元。未公开	对比文件公开了电源单元（電源ユニット66）和MFC（具有控制板），但未公开基于反馈的电力控制单元。	对比文件中的电源单元用于供电，MFC用于流量控制，但并非专门用于反馈控制紫外LED电力的单元，且无反馈控制LED的机制。
技术特征R：所述基于反馈的电力控制单元供应电力给所述一个或多个紫外发光二极管。未公开	对比文件未公开紫外LED及电力供应。	对比文件无紫外LED。
技术特征S：还包括反馈单元。未公开	对比文件未明确公开反馈单元。	虽然MFC内部有反馈控制，但目标专利的反馈单元是用于提供腔室物理状态信息给电力控制单元的独立单元，对比文件未公开此结构。
技术特征T：所述反馈单元提供有关所述腔室内物理状态的信息给所述基于反馈的电力控制单元。未公开	对比文件未公开腔室物理状态信息反馈。	对比文件无对应反馈链路。
技术特征U：其中所述反馈单元包括一个或多个紫外光传感器。未公开	对比文件未公开紫外光传感器。	对比文件无紫外相关传感器。
技术特征V：所述一个或多个紫外光传感器提供紫外光强度数据给所述基于反馈的电力控制单元。未公开	对比文件未公开紫外光强度数据。	对比文件无紫外光传感器。
技术特征W：其中所述反馈单元包括一个或多个流体流动传感器。隐含公开	[0016]：“制御基板４４には熱式質量流量センサ、ブリッジ回路、増幅器、比較器、制御バルブなどが実装されており”。	对比文件明确公开了热式质量流量传感器（流体流动传感器），该传感器用于MFC内部反馈控制。MFC本身是一个包含传感器和反馈回路的控制装置，本领域技术人员可以将其视为一种反馈单元，且该单元包含流体流动传感器。因此，特征W被隐含公开。
技术特征X：所述一个或多个流体流动传感器提供流体流动数据给所述基于反馈的电力控制单元。未公开	对比文件未公开将流体流动数据提供给基于反馈的电力控制单元。	对比文件中的MFC传感器用于内部流量控制，而非提供给外部电力控制单元，且无目标专利的电力控制单元。
技术特征Y：其中所述一个或多个流体流动传感器测量多孔板的温度变化。未公开	对比文件未公开测量多孔板温度变化。	对比文件的流量传感器通过热式原理测量气体流量，但并非测量多孔板的温度变化，且无多孔板。
技术特征Z：其中所述一个或多个流体流动传感器测量所述多孔板内的应变。未公开	对比文件未公开应变测量。	对比文件无多孔板及应变测量。