对比文件名称：2002-12-12_US2002187254A_发明申请_US20020187254A1 Ultrasonically sealing the cover plate to provide a hermetic enclosure for OLED displays
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）<br>《直接公开》 | 段落[0019]：“OLED 10具有透明基板20，其上设置有透明导电阳极30……盖板65……完全覆盖OLED 10……”；段落[0021]：“密封50A包括铟金属或铟基合金，与盖板65和绝缘涂层40物理结合，形成防潮密封”。 | 对比文件明确公开了器件包括衬底（基板20）、单元（OLED 10）、接触区（阳极30）以及封装（盖板65与密封50A构成的密封结构），因此直接公开了特征A。 |
| 特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>《未公开》 | 对比文件全文未提及任何薄膜封装，也未提及氮化硅、碳化硅或氧化铝。绝缘层40为电绝缘层，材料未指定，且其作用为防止密封材料与阳极短路，并非封装薄膜。 | 对比文件未公开任何形式的薄膜封装，更未公开薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝，因此特征B既未直接公开也未隐含公开。 |
| 特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）<br>《直接公开》 | 段落[0019]：“盖板65……完全覆盖OLED 10……”；结合图1，接触区（阳极30）位于OLED内，被盖板密封结构所覆盖。 | 对比文件中的封装（盖板密封）将接触区（阳极30）封闭在密封空间内，即封装了接触区，因此直接公开了特征C。 |
| 特征D：将导体（6）设置在封装（5）上<br>《未公开》 | 段落[0019]：“密封材料55（线状）置于绝缘涂层40上”，绝缘涂层40位于基板20上，并非置于封装（盖板或密封）上。 | 对比文件中导体（密封材料55）设置在绝缘层上，而非设置在封装上，且密封材料本身是封装的一部分，并非单独设置在封装上，因此特征D未公开。 |
| 特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连<br>《未公开》 | 段落[0019]：密封材料55与阳极30之间有绝缘层40，且密封材料仅与盖板65和绝缘层40结合，未与阳极30互连。 | 对比文件中导体（密封材料）与接触区（阳极）之间不存在互连关系，且二者之间设置的是绝缘层而非封装，未涉及“不事先移除封装而互连”的技术方案，因此特征E未公开。 |
| 特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接<br>《未公开》 | 段落[0020]：“超声频率在20至100 kHz范围内，持续1至10秒，使密封材料熔化并粘附盖板和绝缘层”。 | 对比文件中的超声焊接用于密封（将密封材料与盖板、绝缘层结合），而非用于将导体与接触区互连，因此特征F未公开。 |
| 特征G：其中所述导体（6）包括金属线<br>《直接公开》 | 段落[0019]：“密封材料55包括铟金属或铟基合金，以线的形式提供，直径范围0.001英寸至0.010英寸”。 | 对比文件明确公开了导体（密封材料）为金属线（wire），因此直接公开了特征G。 |
| 特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银<br>《未公开》 | 段落[0019]：“密封材料55优选圆形截面”，材料为铟或铟基合金（In-Sn, In-Ag, In-Sn-Cd），未提及铜、铝、银或扁平形状。 | 对比文件公开的金属线为圆形截面且材料为铟基合金，未公开扁平形状或铜、铝、银材料，因此特征H未公开。 |
| 特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极<br>《直接公开》 | 段落[0019]：“透明导电阳极30提供电连接至OLED 10”。 | 对比文件中的接触区（阳极30）为OLED的电极，用于提供电连接，因此直接公开了特征I。 |
| 特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）<br>《直接公开》 | 段落[0019]：“盖板65……完全覆盖OLED 10”；结合图1，盖板密封覆盖整个OLED（包括阳极30）。 | 对比文件中的封装（盖板密封）封装了单元（OLED 10）和接触区（阳极30），因此直接公开了特征J。 |
| 特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间<br>《隐含公开》 | 段落[0020]：“超声频率在20至100 kHz范围内”。 | 对比文件公开了20-100 kHz的范围，其中20-80 kHz部分直接落入特征K的10-80 kHz范围内。本领域技术人员可以合理推断出10-80 kHz（包括10-20 kHz）也是可行的超声焊接频率范围，因为对比文件已给出较高频率的上限和下限，且超声焊接中频率的调整属于常规选择，因此隐含公开了特征K。 |
| 特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间<br>《隐含公开》 | 段落[0020]：“超声频率在20至100 kHz范围内”。 | 对比文件公开的20-100 kHz范围包含了30-40 kHz子范围。本领域技术人员从对比文件公开的宽范围中可以合理选择30-40 kHz作为优选频率，因此隐含公开了特征L。 |
| 特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz<br>《隐含公开》 | 段落[0020]：“超声频率在20至100 kHz范围内”。 | 对比文件公开的20-100 kHz范围包含了35 kHz。本领域技术人员根据对比文件的内容可以合理推断出35 kHz是可用的具体频率，因此隐含公开了特征M。 |
| 特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）<br>《未公开》 | 对比文件公开了其自身的密封方法及得到的OLED显示器，但该方法与权利要求1-9的方法在封装方式、导体与接触区互连等方面均不同。 | 对比文件未公开通过权利要求1-9的方法得到的OLED，因为对比文件的方法不涉及在薄膜封装上设置导体并通过超声焊接与接触区互连，因此特征N未公开。 |
### 公开性代码输出
根据上述表格，对比文件直接公开了特征A、C、G、I、J，隐含公开了特征K、L、M。未公开的特征不输出代码。
<<<A>>><<<C>>><<<G>>><<<I>>><<<J>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>>