对比文件名称：2006-07-12_JP3796116B_发明专利_JP3796116B2 Wire bonding method and a semiconductor device
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI模型（未指定具体名称）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2）<br>《直接公开》 | 【００２５】“基板５２（ＩＣ構造体）の上に金属（Ｃｕ）の相互接続部をボンディングパッドとして用いて形成される。 Ｔａ製のパッシベーション層５４が基板５２の上に堆積され、Ｃｕ製の相互接続部を封止する。 基板５２はその上にデバイスが形成された半導体基板を含む。” | 对比文件公开了基板（衬底）上形成有器件（单元）、作为接触区的焊盘（Cu互连部）以及作为封装的钝化层（Ta层），因此直接公开了该技术特征。 |
| 特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝<br>《未公开》 | 无 | 对比文件中的封装材料为钽（Ta），并非氮化硅、碳化硅或氧化铝，因此未公开该特征。 |
| 特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4）<br>《直接公开》 | 【００２５】“Ｔａ製のパッシベーション層５４が基板５２の上に堆積され、Ｃｕ製の相互接続部を封止する。” | 对比文件明确记载钝化层（封装）密封Cu互连部（接触区），因此直接公开。 |
| 特征D：将导体（6）设置在封装（5）上<br>《直接公开》 | 【００１９】“ウェッジボンド３６は、Ｃｕ製相互接続部３１を封止している（覆う）Ｔａ製パッシベーション層３２に形成される。” 以及“Ａｌ製のワイヤ３０と基板３４との間のウェッジボンド３６に圧力をかけることにより、あるいは超音波の振動により形成する。” | 对比文件公开了铝线（导体）设置在Ta钝化层（封装）上，并通过楔焊形成连接，因此直接公开。 |
| 特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连<br>《直接公开》 | 【００１９】全文未提及事先移除封装，且直接在钝化层上进行焊接。 | 对比文件的方法是在钝化层上直接进行楔焊，没有事先移除钝化层的步骤，因此直接公开了不事先移除封装即实现互连。 |
| 特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接<br>《直接公开》 | 【００１９】“超音波の振動により形成する。” | 对比文件明确提到通过超声波振动形成连接，即超声焊接，因此直接公开。 |
| 特征G：其中所述导体（6）包括金属线<br>《直接公开》 | 【００１９】“Ａｌ製のワイヤ” | 对比文件公开了导体为铝线（金属线），因此直接公开。 |
| 特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银<br>《直接公开》 | 【００１９】“Ａｌ製のワイヤ” | 对比文件公开了铝线，包含铝，满足“包含铝”的条件，因此直接公开该特征（选择性特征之一满足即公开）。 |
| 特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极<br>《隐含公开》 | 【００２５】“Ｃｕ製の相互接続部をボンディングパッドとして用いて形成される。” 以及“基板５２はその上にデバイスが形成された半導体基板を含む。” | 对比文件中的焊盘（Cu互连部）用于连接外部，其必然与内部器件（单元）电连接，用作器件的电极，本领域技术人员能够合理推断，因此隐含公开。 |
| 特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3）<br>《隐含公开》 | 【００２５】“Ｔａ製のパッシベーション層５４が基板５２の上に堆積され、Ｃｕ製の相互接続部を封止する。” 和“基板５２はその上にデバイスが形成された半導体基板を含む。” | 对比文件中钝化层沉积在基板上，虽然未明确说明覆盖器件，但通常钝化层覆盖整个芯片表面以保护整个器件，本领域技术人员可以合理推断该封装也覆盖了单元（器件），故隐含公开。 |
| 特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间<br>《未公开》 | 无 | 对比文件未提及超声焊接的具体频率，因此未公开。 |
| 特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间<br>《未公开》 | 无 | 同上，未公开。 |
| 特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz<br>《未公开》 | 无 | 同上，未公开。 |
| 特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1）<br>《未公开》 | 无 | 对比文件涉及的是半导体器件，并非OLED，因此未公开。 |
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