对比文件名称：2007-07-25_EP1811579A_发明公开_EP1811579A1 Galvanic optocoupler structure and corresponding hybrid integration process
目标专利名称：1295利用导体接触器件CN102150294B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2） — **未公开** | 对比文件公开了光电耦合器结构，包括半导体衬底51、有源区52（单元）、金属焊盘58a（接触区）、钝化层57（保护层），但未公开封装覆盖接触区（参见段落[0044]-[0046]）。 | 对比文件虽公开了衬底、单元和接触区，但未公开用于封装单元和接触区的封装层。钝化层57仅覆盖检测器区域，且不封装接触区（接触区通过开口暴露）。因此，特征A未被公开。 |
| 技术特征B：所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝 — **《直接公开》** | 段落[0046]：“The passivation layer 57 is typically a passivating dielectric material such as SiO2, SiON, Si3N4 or SiNH”（翻译：钝化层57通常是钝化介电材料，如SiO2、SiON、Si3N4或SiNH）。其中Si3N4为氮化硅。 | 对比文件公开了钝化层57，其为薄膜层，且材料包括Si3N4（氮化硅），属于目标专利中限定的薄膜材料之一。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征C：其中所述封装（5）封装至少接触区（4） — **未公开** | 段落[0045]：“Above the semiconductor substrate 51 and of the active region 52 a passivation layer 57 is realised, provided with suitable discontinuities 57a in correspondence with the active region 52 where it is possible to realise metallic pads 58a for the contact of this active region 52”（翻译：在半导体衬底51和有源区52之上形成钝化层57，该钝化层设有适当的不连续处57a，对应于有源区52，在该处可以形成金属焊盘58a用于接触该有源区52）。 | 对比文件中的钝化层57并未封装接触区，相反，接触区（金属焊盘58a）位于钝化层的不连续处（开口）中，是暴露的。因此，未公开封装至少接触区。特征C未被公开。 |
| 技术特征D：将导体（6）设置在封装（5）上 — **未公开** | 段落[0052]：“...the third peripheral area 4c is in contact with the anode 31 having at least one metallic pad 31a for its contacting, for example by means of bonding wires 31b.”（翻译：第三周边区域4c与阳极31接触，阳极31具有至少一个金属焊盘31a用于其接触，例如通过引线键合31b）。 | 对比文件中，导体（引线）通过引线键合直接连接到接触焊盘，焊盘未被封装层覆盖，且导体未设置在封装层上。因此，特征D未被公开。 |
| 技术特征E：在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连 — **未公开** | 对比文件未涉及封装覆盖接触区，因此不存在移除封装的需求。互连通过引线键合直接在暴露的焊盘上进行。 | 对比文件没有公开任何封装覆盖接触区，因此不存在导体与接触区之间存在封装的情况，更谈不上在不移除封装的情况下互连。该特征未被公开。 |
| 技术特征F：其中将导体（6）与接触区（4）互连包括超声焊接 — **《隐含公开》** | 段落[0069]：“...realising suitable metallic pads, 31a and 35a, on the anode 31 and on the cathode 35 of the optical source 3, for their contacting, for example by means of respective bonding wires, 31b and 35b”（翻译：在光学源3的阳极31和阴极35上形成合适的金属焊盘31a和35a，用于其接触，例如通过各自的引线键合31b和35b）。引线键合技术通常采用超声焊接。 | 虽然对比文件未明确提及“超声焊接”，但本领域技术人员公知，引线键合（bonding）通常通过超声焊接、热压焊或热超声焊实现，其中超声焊接是常用方法。特别是对于铝线，超声焊接是标准工艺。因此，对比文件隐含公开了互连包括超声焊接，因为引线键合必然涉及焊接过程，且超声焊接是常规选择。故特征F被隐含公开。 |
| 技术特征G：其中所述导体（6）包括金属线 — **《直接公开》** | 同上，段落[0069]提及“bonding wires”（引线），即金属线。 | 对比文件明确公开了使用引线（bonding wires）作为导体，引线即为金属线。因此，特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述金属线是扁平的和/或包含铜、铝或银 — **《隐含公开》** | 段落[0069]提及“bonding wires”，未明确说明截面形状和材料。但本领域公知，引线键合常用铝线。 | 对比文件未明确公开金属线为扁平状，但“包含铜、铝或银”中的铝是引线键合常用的材料。本领域技术人员可以合理推断引线材料包含铝，因为铝线是引线键合的常规材料。因此，特征H被隐含公开了“包含铝”这一选项。由于特征H采用“和/或”表述，只要公开其中一个选项即视为公开，故特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中所述接触区（4）用作用于所述单元（3）的电极 — **《直接公开》** | 段落[0052]：“...the third peripheral area 4c is in contact with the anode 31 having at least one metallic pad 31a for its contacting”（翻译：第三周边区域4c与阳极31接触，阳极31具有至少一个金属焊盘31a用于其接触）；段落[0057]：“...cathode 35, having at least one metallic pad 35a for its contacting”（翻译：阴极35，具有至少一个金属焊盘35a用于其接触）。 | 对比文件中，光学源OLED的阳极和阴极作为电极，接触区（金属焊盘31a、35a）用于连接电极，从而为OLED单元供电。因此，接触区用作单元的电极，特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：其中所述封装（5）封装至少所述接触区（4）和所述至少一个单元（3） — **未公开** | 同特征C，钝化层57仅覆盖检测器区域，且不覆盖接触区。 | 对比文件未公开任何封装层同时封装接触区和单元。OLED单元本身未被封装层覆盖，检测器的接触区也未封装。因此，特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中所述超声焊接工作于≥10kHz与≤80kHz之间 — **未公开** | 对比文件未提及超声焊接频率。 | 对比文件未公开超声焊接，更未公开其工作频率范围。因此，特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述超声焊接工作于≥30kHz与≤40kHz之间 — **未公开** | 同上。 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述超声焊接工作于35kHz — **未公开** | 同上。 | 同特征K，未公开。 |
| 技术特征N：一种能够通过根据权利要求1-9中任一项的方法得到的OLED（1） — **未公开** | 对比文件公开了OLED结构，但未公开通过目标专利方法得到。 | 对比文件虽然公开了OLED器件，但该OLED并非通过目标专利权利要求1-9的方法制备，且对比文件未公开该方法中的关键步骤（如超声焊接穿透封装等）。因此，特征N未被公开。 |
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