对比文件名称：2012-09-12_JP5026400B_发明专利_JP5026400B2 Wiring board and a method of manufacturing the same
目标专利名称：245用于基板的超细间距和间隔互连CN105493278B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括第一表面和第二表面的第一电介质层。《直接公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：“最外層の絶縁層（例えば、樹脂層）”（最外层的绝缘层（例如，树脂层））12。该层具有第1面（形成有腔体CV的面）和第2面（与多层结构体相邻的面）。 | 对比文件明确公开了作为基板最外层的绝缘层（树脂层12），其具有第一表面（设有腔体CV）和第二表面（相对面）。该绝缘层在对比文件中作为承载布线、焊盘并形成腔体的基础介质层，与目标专利中作为基板主体结构的第一电介质层作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：嵌入在所述第一电介质层中的第一互连，所述第一互连包括第一侧和第二侧，所述第一侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第二侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触，其中所述第一互连是第一迹线。《隐含公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：“配線層１１”（布线层11）的一部分在绝缘层12中形成焊盘P1（第1のパッド）。图1显示P1被绝缘层12围绕，其顶部（第二侧）暴露于腔体CV的底部，即不与绝缘层接触。 | 对比文件明确公开了嵌入在最外层绝缘层（第一电介质层）中的导电结构，即焊盘P1。该焊盘P1的侧面被绝缘层12围绕，其顶面暴露于腔体CV中，即“第二侧的至少一部分不与第一电介质层接触”。虽然对比文件将P1称为“焊盘”，而目标专利限定为“第一迹线”，但根据目标专利说明书对“互连”的定义（包括迹线、焊盘等），焊盘是互连的一种。在布线板领域，配线层（如11）形成的图案通常既包括焊盘也包括迹线。因此，本领域技术人员通过合理推断，可以认为对比文件中嵌入绝缘层12的配线层11的图案可能包含或等同于目标专利所定义的“迹线”互连。此特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第一互连的所述第二侧的第一空腔，其中所述第一空腔具有与所述第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1、5-8：“キャビティＣＶ”（腔体CV）形成于绝缘层12的第一表面，到达其底部的焊盘P1。 | 对比文件确实公开了穿过绝缘层（第一电介质层）第一表面到达下方互连（P1）的空腔（CV）。然而，对比文件的腔体CV是为了容纳半导体芯片而设，其尺寸（宽度）远大于其底部的焊盘P1（参见图5、6，芯片31/36置于CV内）。目标专利明确限定“第一空腔具有与第一互连的互连宽度基本相等的空腔宽度”，这是实现超细间距、使表面互连能靠近嵌入式互连的关键结构。对比文件的腔体CV在尺寸和功能上（用于收容外部元件）均与此不同，本领域技术人员无法从中直接或合理地推断出宽度基本相等的空腔。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：以及包括第三侧和第四侧的第二互连，其中所述第三侧至少部分地耦合到所述第一电介质层的所述第一表面上，其中所述第二互连是第二迹线。《隐含公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：“最外層の絶縁層の第１の面上で前記キャビティの周囲の領域に形成され…第２のパッド”（在最外层绝缘层的第1面上，在所述腔体周围区域形成的…第2焊盘）P2。 | 对比文件明确公开了设置在第一电介质层（绝缘层12）第一表面上的第二互连，即焊盘P2。其底面（相当于第三侧）耦合到绝缘层12的表面。虽然对比文件称P2为“焊盘”，而目标专利限定为“第二迹线”，但基于与特征B相同的理由（焊盘是互连的一种，配线层图案包含迹线），本领域技术人员通过合理推断，可以认为对比文件公开了位于第一电介质层第一表面上的互连结构。其作用是为POP连接提供端子，与目标专利中表面互连提供电路径的作用类似。此特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：以及至少部分地在所述第一空腔中的第五互连，所述第五互连耦合至所述第一互连。《未公开》 | 说明书第[2]段，图5、6：腔体CV内，半导体芯片31/36通过はんだバンプ（焊料凸块）32/37连接到焊盘P1。 | 对比文件的腔体CV中，存在与底部焊盘P1耦合的元件（焊料凸块及芯片），但焊料凸块是连接材料，并非基板结构本身的一部分。目标专利的“第五互连”是基板结构中的另一个导电互连（如焊盘或迹线），至少部分地位于空腔中并耦合至第一互连。对比文件没有公开在空腔CV内、位于焊盘P1上方并与P1集成为一体的另一个独立的互连结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连，所述第三互连包括第五侧和第六侧，所述第五侧被所述第一电介质层围绕，其中所述第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：在腔体CV周围的绝缘层12第一表面上设置有焊盘P2。文字描述其“露出面”与绝缘层12表面为“同一面”。 | 对比文件中的焊盘P2是设置在绝缘层12“第一表面上”的，其露出面与绝缘层表面齐平。虽然图示中P2可能有一定厚度，但根据“同一面”的描述，P2应被视为表面特征，其侧面可能被绝缘层部分包围，但其底部是坐落在表面而非“嵌入在”绝缘层内部。这与目标专利明确要求的“嵌入在所述第一电介质层中”且“第六侧的至少一部分不与所述第一电介质层接触”（即顶部暴露）的结构不符。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：穿过所述第一电介质层的所述第一表面到达所述第三互连的所述第六侧的第二空腔，其中所述第二空腔具有与所述第三互连的第二互连宽度基本相等的第二空腔宽度。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：在绝缘层12的第一表面上，腔体CV周围区域是平坦的，没有形成通向焊盘P2的空腔。 | 对比文件仅在芯片搭载区域形成了一个腔体CV。在设置有焊盘P2的腔体周围区域，绝缘层12的表面是完整的，没有形成任何穿过其表面到达下方（如果P2是嵌入的）或围绕P2的空腔。因此，该技术特征既未被直接公开，也无法从对比文件的内容中合理推断出来。 |
| **技术特征H**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连包括第七侧和第八侧，其中所述第七侧耦合至所述第一电介质层的所述第一表面。《隐含公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：如特征D所引，焊盘P2设置在第一电介质层（绝缘层12）的第一表面上。 | 此特征与特征D描述的结构本质相同，都是指位于第一电介质层第一表面上的互连。对比文件明确公开了这样的结构（焊盘P2）。虽然目标专利使用了“第四互连”的称谓，但这并不影响结构的同一性。因此，基于与特征D相同的理由，本领域技术人员可以得出该技术特征。此特征被隐含公开。 |
| **技术特征I**：所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔约为30微米(μm)。《未公开》 | 说明书未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 对比文件完全没有提及焊盘P1与P2之间，或任何其他互连之间的具体横向间隔数值。“约为30微米”这一具体数值未被公开。 |
| **技术特征J**：所述第一互连与所述第三互连之间的横向间隔小于为30微米(μm)。《未公开》 | 说明书未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同上。对比文件未公开任何具体的间距数值，因此“小于30微米”这一范围也未被公开。 |
| **技术特征K**：所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔约为10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未公开》 | 说明书未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 对比文件完全没有提及任何互连之间的具体横向间隔数值。“约为10微米”这一具体数值未被公开。 |
| **技术特征L**：所述第一互连与所述第二互连之间的横向间隔小于10微米(μm)，其中所述第一互连和所述第二互连是毗邻互连。《未公开》 | 说明书未提及任何互连之间的具体间距数值。 | 同上。对比文件未公开任何具体的间距数值，因此“小于10微米”这一范围也未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第一电介质层的所述第一表面上的第三互连，所述第三互连耦合至所述第一互连。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1：焊盘P1（位于腔体底部）通过ビア（通孔）13a等连接到内部配线层14。 | 对比文件中，位于腔体CV底部的焊盘P1本身可被视为一个互连，它通过通孔13a等连接到内层布线，但并未描述在绝缘层12的第一表面上存在另一个直接“耦合至”该焊盘P1的“第三互连”。图5、6中连接到P1的是外部芯片的焊料凸块，并非基板自身的另一个互连结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：以及所述第一电介质层的所述第一表面上的第四互连，所述第四互连耦合至所述第二互连。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1：焊盘P2（位于表面）通过通孔13b等连接到内部配线层14。 | 类似地，对比文件中位于表面的焊盘P2通过通孔连接到内层布线，但并未描述在绝缘层12的第一表面上存在另一个直接“耦合至”该焊盘P2的“第四互连”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：所述第三互连和所述第四互连是焊盘。《未公开》 | 不适用。 | 由于技术特征M和N所限定的“第三互连”和“第四互连”未被对比文件公开，因此对其进一步限定为“焊盘”的技术特征自然也未被公开。 |
| **技术特征P**：所述基板是封装基板。《直接公开》 | 说明书第[2]段：“かかる配線基板は、半導体チップ等を搭載するパッケージとしての機能を果たすという点で、以下の記述では便宜上、「半導体パッケージ」ともいう。”（这种布线板，在作为搭载半导体芯片等的封装发挥功能的点上，以下描述中为方便起见，也称为“半导体封装”。） | 对比文件明确其描述的布线板即作为半导体封装（半导体パッケージ）使用，这与目标专利的“封装基板”属于同一类产品，作用相同。因此被直接公开。 |
| **技术特征Q**：进一步包括第二电介质层。《直接公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：“複数の配線層及び絶縁層が交互に積層された多層構造体”（多个布线层及绝缘层交替层叠而成的多层结构体），包括绝缘层15、18等。 | 对比文件明确公开了基板具有多层结构，包括多个绝缘层（例如绝缘层15、18）。这直接公开了“第二电介质层”的存在。 |
| **技术特征R**：所述基板被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。《未公开》 | 说明书未提及该布线板或封装被纳入任何具体的最终电子设备中。 | 对比文件仅描述了布线板（封装）本身及其在POP结构中的应用，未提及其最终应用的电子设备种类。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征S**：所述基板被纳入移动电话中。《未公开》 | 说明书未提及该布线板或封装被纳入移动电话中。 | 该技术特征未被公开。 |
| **技术特征T**：嵌入在所述第一电介质层中的第三互连。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：如特征F所分析，焊盘P2是设置在绝缘层12“第一表面上”的，并非“嵌入在”其中。 | 对比文件没有公开除了腔体底部的焊盘P1之外，另一个“嵌入在”第一电介质层中的互连。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征U**：至少部分地在所述第三互连上的第四互连。《未公开》 | 说明书未公开这样的结构。 | 对比文件没有公开一个互连至少部分地位于另一个互连上方的叠层结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征V**：所述第三互连包括第一横截面尺寸，并且所述第四互连包括小于所述第一横截面尺寸的第二横截面尺寸。《未公开》 | 不适用。 | 由于技术特征T和U所限定的互连结构未被公开，因此对其尺寸关系的限定自然也未被公开。 |
| **技术特征W**：所述第四互连部分地在所述第三互连上并且部分地在所述第一电介质层上。《未公开》 | 不适用。 | 由于技术特征T和U所限定的互连结构未被公开，因此对其位置关系的限定自然也未被公开。 |
| **技术特征X**：所述第四互连是焊盘。《未公开》 | 不适用。 | 由于技术特征U所限定的“第四互连”未被公开，因此对其进一步限定为“焊盘”的技术特征自然也未被公开。 |
| **技术特征Y**：所述第三互连耦合至所述第一互连。《未公开》 | 说明书第[2]段，图1：焊盘P1和P2分别通过独立的通孔13a和13b连接到内层配线。 | 对比文件中，焊盘P1（第一互连）和焊盘P2（若视为第三互连）之间没有直接的耦合关系，它们是通过内层布线可能实现电连接，但这不是权利要求所述的直接“耦合至”关系。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征Z**：进一步包括所述第一电介质层上的第三互连。《直接公开》 | 说明书第[2]段，图1、7、8：如特征D和H所引，焊盘P2设置在第一电介质层（绝缘层12）的第一表面上。 | 对比文件明确公开了位于第一电介质层（绝缘层12）第一表面上的互连结构（焊盘P2）。这直接公开了“第一电介质层上的第三互连”（尽管对比文件称其为P2）。 |
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