对比文件名称：2004-10-21_US2004207310A_发明申请_US20040207310A1 Light emitting devices
目标专利名称：1308发光器件CN101375420B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括固态光源(3)、至少一个转换元件(4)、和光散射元件(6) | 固态光源：[0085] “LED 100 includes a multi-layer stack 122 disposed on a submount 120. Multi-layer stack 122 includes a 320 nm thick silicon doped (n-doped) GaN layer 134 having a pattern of openings 150 in its upper surface 110.” 转换元件：[0050] “an LED 300 having a layer containing a phosphor material 180 can be disposed on surface 110.” 光散射元件：[0085] “surface 110 having a pattern of openings 150” 以及 [0089] “surface 110 of LED 100 is not flat but consists of a modified triangular pattern of openings 150.” | 对比文件公开了作为固态光源的LED（100/300），以及作为转换元件的磷光体层（180）。图案化表面（110）具有开口（150），起到散射光的作用，该结构可视为光散射元件。虽然对比文件未明确使用“光散射元件”术语，但本领域技术人员可以认识到该图案化表面用于散射光，因此技术特征A被隐含公开。 |
| 技术特征B：其中所述固态光源(3)被提供来发射进入所述光散射元件(6)的初级辐射的第一部分(511)和进入所述转换元件(4)以至少部分地转换为至少一个次级辐射(521、522)的初级辐射的第二部分(512) | 对比文件未公开第一部分与第二部分的光路划分。 | 对比文件中，LED发出的光先经过图案化表面（光散射元件），再进入磷光体层（转换元件），但所有光均经过两者，没有明确将初级辐射分为进入光散射元件的第一部分和进入转换元件的第二部分，也未公开第一部分不经过转换元件。因此该特征未公开。 |
| 技术特征C：所述光散射元件(6)被提供来从初级辐射的第一部分(511)、次级辐射(521、522)和在所述转换元件(4)中尚未被转换的初级辐射的第二部分(512)的部分生成具有朗伯光分布的混合辐射(5) | [0018] “the pattern is configured so that light generated by the light-generating region that emerges from the light-emitting device via the surface of the first layer is more collimated than a lambertian distribution of light.” | 对比文件明确教导其图案化表面使光分布比朗伯分布更准直，而非生成朗伯光分布。因此技术特征C未公开。 |
| 技术特征D：和初级辐射的第一部分(511)不经过所述转换元件(4)离开所述发光器件 | [0014] “The sidewalls of the light-emitting device are substantially devoid of the phosphor material.” | 对比文件公开了侧壁没有磷光体材料，这意味着从侧壁出射的光不经过转换元件（磷光体层）。该部分光可视为初级辐射的一部分，且不经过转换元件离开器件。因此技术特征D被隐含公开。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述转换元件(4)包括陶瓷材料 | 对比文件未明确提及陶瓷材料。 | 对比文件中的磷光体材料（如YAG）通常可以以粉末或陶瓷形式存在，但对比文件未指定其形态，本领域技术人员不能毫无疑义地得出其包含陶瓷材料。因此技术特征E未公开。 |
| 技术特征F：所述陶瓷材料具有大于晶体连接的理论固态密度的97%的密度 | 对比文件未公开任何关于陶瓷密度的内容。 | 无相关公开内容，技术特征F未公开。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述转换元件(4)在初级辐射的第二部分(512)的辐射的平均方向上具有至少30μm的厚度 | 对比文件未公开磷光体层的厚度数值。 | 无相关公开内容，技术特征G未公开。 |
| 技术特征H：其特征在于，从混合辐射(5)的辐射方向观察，所述固态光源(3)具有大于或者等于所述转换元件(4)的表面(41)的发光表面(31) | 图14及[0050]显示磷光体层180覆盖在LED表面110上，二者面积基本相同。 | 对比文件中，LED的发光表面（图案化表面）与磷光体层（转换元件）的表面面积相等，因此固态光源的发光表面大于或等于转换元件的表面。该特征被隐含公开。 |
| 技术特征I：所述转换元件(4)的表面面对所述固态光源(3) | [0050] “a phosphor material 180 can be disposed on surface 110.” | 磷光体层直接设置在LED的表面110上，其表面面对固态光源，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述转换元件(4)具有至少一个开口(8) | 对比文件未公开磷光体层具有开口。 | 无相关公开内容，技术特征J未公开。 |
| 技术特征K：初级辐射能够通过所述开口而不经过所述转换元件(4) | 对比文件未公开开口结构。 | 无相关公开内容，技术特征K未公开。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述转换元件(4)光学地耦合到所述固态光源(3) | [0050] 磷光体层直接设置在LED表面，但未明确光学耦合。 | 磷光体层与LED表面直接接触，通常可通过折射率匹配实现光学耦合，本领域技术人员可以合理推断存在光学耦合，因此技术特征L被隐含公开。 |
| 技术特征M：其特征在于，所述光散射元件(6)围住所述固态光源(3)和转换元件(4) | 对比文件中的图案化表面位于LED顶部，并未围住固态光源和转换元件。 | 无相关公开内容，技术特征M未公开。 |
| 技术特征N：还包括透镜(7) | 对比文件提及覆盖片（cover slip）140，但未明确其为透镜。 | 覆盖片主要用于保护，不限定为透镜，因此技术特征N未公开。 |
| 技术特征O：所述透镜(7)围住所述固态光源(3)、所述转换元件(4)和所述光散射元件(6) | 对比文件未公开透镜围住这些元件。 | 无相关公开内容，技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：其特征在于，经由未被转换的初级辐射(511)的部分调整所述混合辐射(5)的色点 | 对比文件未公开通过未被转换的初级辐射调整色点。 | 无相关公开内容，技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：未被转换的初级辐射(511)的部分通过所述光散射元件(6)的散射特性可调整 | 对比文件未公开通过散射特性调整未转换部分。 | 无相关公开内容，技术特征Q未公开。 |
| 技术特征R：所述初级辐射被散射回所述转换元件(4)以转换为次级辐射(521、522) | 对比文件未公开散射回转换元件的机制。 | 无相关公开内容，技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：其特征在于，所述光散射元件(6)包括相同或不同的大小、材料和浓度的反射和/或折射颗粒用于产生具有朗伯光分布的混合辐射(5) | 对比文件中的图案化表面由开口构成，未提及颗粒。 | 无相关公开内容，技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射 | 对比文件未公开颜料颗粒。 | 无相关公开内容，技术特征T未公开。 |
| 技术特征U：其特征在于，所述颗粒包括来自颜料组的材料用于吸收初级和或次级辐射并且随后以不同的波长再发射 | 对比文件未公开颜料颗粒的再发射。 | 无相关公开内容，技术特征U未公开。 |
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