**对比文件名称**：2006-05-19_KR1020060050707A_发明公开_KR1020060050707A 모자이크 센서 어레이의 스캐닝 장치
**目标专利名称**：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
**本次调用模型名称**：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中。<br>**《隐含公开》** | [66] 도 2는 7개의 육각형 cMUT 셀(2)로 구성되는 “데이지” 변환기 서브 소자(16)를 도시하고 있는데, 중심 셀은 6개의 셀 링으로 둘러싸이며, 링의 각 셀은 중심 셀 및 링의 인접 셀의 각 측면에 접촉한다. (图2显示了由7个六边形cMUT单元构成的“雏菊”变换器子元件，中心单元被6个单元环围绕，环中的每个单元均与中心单元及环中相邻单元的每个侧面接触。)<br>[64] 용어 “음향 서브 소자(acousical subelement)”는 그러한 클러스터(a cluster)를 설명하는 데 이용될 것이다. (术语“声学子元件”将被用于描述这样的集群。)<br>[48] 서브 소자는 재구성될 수 없는 전기적으로 접속되는 셀의 그룹이다. 즉, 이 서브 소자는 최소의 독립적으로 제어되는 음향 유닛이다. (子元件是不可重构的电连接单元组。即，该子元件是最小的独立控制的声学单元。) | 对比文件公开了由多个（例如7个）单元（cMUT 셀）构成的“서브 소자”（子元件）。该子元件包含中心单元（第一像素组）以及环绕其的单元环（第二像素组），这与目标专利中“超像素区”包含中心部分和外部部分像素组的结构相似。虽然对比文件中的子元件主要目的是作为可重构阵列的基本单元，而目标专利的超像素区用于2-D波束成形，但本领域技术人员可以从对比文件单元集群的结构中，合理推断出将阵列划分为多个包含中心单元和外部单元组的区域（即超像素区）的技术方案。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置。<br>**《直接公开》** | [74] 행 버스 라인(24)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 스위치(30)를 포함하는 크로스-포인트 스위칭 매트릭스를 이용하여 시스템 채널 버스(28)에 접속된다. (行总线线路如图4所示，通过包含多个开关的交叉点开关矩阵连接到系统通道总线。)<br>[92] 어드레스/데이터 발생기(34)는 온 칩(또는 오프 칩)에 포함되며 각 행에 대해 공유되는 버스 상의 어레이로 데이터를 송신한다. (地址/数据发生器包含在芯片上（或芯片外），并通过各列共享的总线向阵列发送数据。) | 对比文件明确公开了用于控制阵列操作、产生地址/数据信号并与阵列电连接的电子装置，例如“시스템 채널 버스”、“어드레스/데이터 발생기”等，这些均属于收发器电子装置的范畴。其在对比文件中的作用是控制传感器阵列的配置和信号传输，与目标专利中收发器电子装置的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合。<br>**《直接公开》** | [74] 액세스 스위치(20)는 버스 라인에 서브 소자 직접 접속을 제공한다. (访问开关提供子元件到总线线路的直接连接。)<br>[75] 각 서브 소자에 대해 6개의 다른 스위치 접속이 존재한다. 이들 접속은 매트릭스 스위치(26)의 형태를 취한다. (对于每个子元件存在6个不同的开关连接。这些连接采用矩阵开关的形式。) | 对比文件多处描述了电子装置（系统通道、地址/数据发生器等）与传感器阵列（子元件）之间通过总线线路、访问开关、矩阵开关等形成的电连接，即电耦合。其在对比文件中的作用是实现信号传输和控制，与目标专利中电耦合的作用相同。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列。<br>**《隐含公开》** | [85] 재구성 가능한 어레이는 도 3에 도시된 것과 유사한 초기 개구 패턴으로 프로그래밍된다. 이 패턴은 빔형성기가 어레이 전면에 빔을 형성하게 한다. 화상 동안, 폭이 W aperture 인 개구가 도 10에 도시된 바와 같이 어레이를 가로질러 스캔된다. (可重构阵列被编程为类似于图3所示的初始孔径图案。该图案使波束形成器在阵列前方形成波束。成像期间，如图10所示，宽度为W aperture的孔径会跨阵列扫描。)<br>[92] 주어진 뷰에 대해 업데이트되어야 하는 서브 소자만을 업데이트할 수 있다. (可以仅更新给定视图下需要更新的子元件。) | 对比文件描述了可重构阵列可以通过编程形成不同的孔径图案（如环形图案），并且该图案可以扫描移动以获取图像。这隐含了收发器电子装置能够选择不同的操作模式（例如，不同的孔径配置模式）来操作阵列。虽然未明确命名为“第一模式”和“第二模式”，但本领域技术人员可以合理推断出电子装置具备选择不同配置模式来操作阵列的能力。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件未提及阵列产生“基本上平面超声波”的模式。其描述的图案（如环形）旨在形成聚焦波束或特定扫描图案，而非产生均匀声压的平面波。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件虽然提及波束形成和聚焦（例如[42]段），但未公开从每个“超像素区”产生经聚焦波束，也未提及“第二声压显著高于第一声压”的比较关系。目标专利该特征是实现皮下成像的关键，对比文件未涉及此特定技术方案。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**《隐含公开》** | [74] 액세스 스위치(20)는 버스 라인에 서브 소자 직접 접속을 제공한다는 점에서 붙여진 명칭이다. (访问开关因其提供子元件到总线线路的直接连接而得名。)<br>[66] 각 cMUT 셀(2)의 상부 전극(12)은 스위칭 가능하게 접속 해제될 수 없는 접속에 의해 서로 전기적으로 접속된다. (每个cMUT单元的上部电极通过不可切换断开的连接彼此电连接。) | 对比文件公开了子元件（类似于像素组）通过“액세스 스위치”（访问开关）连接到“버스 라인”（总线线路），这些连接在物理上是固定的（如不可切换断开的连接）。虽然对比文件未明确区分“第一像素组”和“第二像素组”并分别连接至不同的“驱动输入端子”，但本领域技术人员可以从其公开的“子元件通过访问开关连接到总线线路”这一基本架构中，合理推断出为阵列中不同位置的像素组设置各自固定的导电路径连接到相应输入端子的技术方案。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件未描述在特定模式（如平面波模式）下，收发器电子装置同时向不同驱动输入端子发射信号的操作方式。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件未描述为产生聚焦波束而依序向不同驱动输入端子发射信号并引入特定时间延迟的操作方式。该技术特征是目标专利实现波束聚焦的核心，对比文件中无相关内容。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素。<br>**《直接公开》** | [66] 도 2는 7개의 육각형 cMUT 셀(2)로 구성되는 “데이지” 변환기 서브 소자(16)를 도시하고 있다. (图2显示了由7个六边形cMUT单元构成的“雏菊”变换器子元件。) | 对比文件明确公开了由7个六边形单元构成的子元件，这七个单元在六方晶格上形成六边形结构。这与目标专利技术特征J的描述完全一致。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素。<br>**《直接公开》** | [66] 중심 셀은 6개의 셀 링으로 둘러싸이며 (中心单元被6个单元环围绕) | 对比文件明确描述了“중심 셀”（中心单元），即位于六边形中心的单元，对应于第一像素组。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**《直接公开》** | [66] 중심 셀은 6개의 셀 링으로 둘러싸이며 (中心单元被6个单元环围绕) | 对比文件明确描述了环绕中心单元的6个单元环，这些单元与中心单元的距离大致相等，并位于子元件的外部部分，对应于第二像素组。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件未提及由19个像素构成的超像素区或第三、第四像素组。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 该特征是在技术特征M（19像素超像素区）的上下文中的。由于对比文件未公开19像素的超像素区，因此该具体特征也无从谈起。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 该特征是在技术特征M（19像素超像素区）的上下文中的。由于对比文件未公开19像素的超像素区，因此该具体特征也无从谈起。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 对比文件未提及第三、第四像素组及其距离关系。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 该特征是对应于包含第三、第四像素组的实施例的详细电连接描述。对比文件未公开该具体实施例，因此也未公开对应的详细电连接结构。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 该特征是对应于包含第三、第四像素组的实施例的操作模式描述。对比文件未公开该具体实施例及操作。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**《未公开》** | 未发现相关描述。 | 同上。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**《隐含公开》** | [78] 신호 전극의 패드(65)를 스위치 ASIC 상에 형성되는 각 도전 패드(66)에 접속시키는 비아(56)는 음향 백킹층(backing layer, 62)에 매립될 수 있다. (将信号电极的焊盘连接到开关ASIC上形成的各导电焊盘的过孔可以嵌入在声学背衬层中。)<br>[79] 솔더 범프(solder bumps, 64) 및 도전 패드(65,66)가 개별 cMUT 서브 소자(32)를 그들의 스위치 전자 소자 대응부(50)에 접속시키는 데 이용된다. (焊料凸块和导电焊盘用于将各个cMUT子元件连接到其对应的开关电子元件。) | 对比文件提及了“음향 백킹층”（声学背衬层）以及用于连接换能器元件和电子元件的“솔더 범프”和“도전 패드”。在超声换能器领域，为了有效发射和接收超声波，通常在换能器阵列上方设置声学匹配层、盖板（台板）及耦合介质是公知常识。本领域技术人员可以从对比文件公开的换能器阵列结构及其与外部电路的连接方式中，合理推断出为实际应用而设置台板和声学耦合介质的技术方案。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
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