对比文件名称：2008-05-08_CA2667751A_发明专利_CA2667751A1 ENHANCED ULTRASOUND IMAGING PROBES USING FLEXURE MODE PIEZOELECTRIC TRANSDUCERS
目标专利名称：用于2-D波束成形的压电超声换能器的超像素阵列CN106999985B
本次调用模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：压电超声换能器元件阵列，所述阵列包含多个超像素区，每一超像素区包含至少两个像素组，所述至少两个像素组中的第一像素组安置于所述超像素区的中心部分中，且至少一第二像素组安置于所述超像素区的外部部分中<br>**未公开** | 对比文件提及pMUT阵列和2D阵列，例如：[0057] “The width or diameter of the piezoelectric elements 22 may range from about 50 m to about 300 m with center-to-center spacing from about 75 m to 450 m for ultrasonic operation in the range of 1 to 20 MHz. ... By way of example, multiple elements may be electrically connected together to provide higher ultrasonic energy output while still maintaining the high frequency of operation.” | 对比文件公开了压电超声换能器（pMUT）元件可以构成阵列，并且多个元件可以电连接在一起以提供更高的声输出。然而，对比文件完全没有提及“超像素区”的概念，更没有公开将阵列划分为多个超像素区，且每个超像素区内包含至少两个像素组（一组在中心部分，另一组在外部部分）的技术特征。对比文件中的阵列元素是作为独立或可连接的元素来讨论的，用于增强输出或接收信号，其组织方式和目的（提高灵敏度和输出）与目标专利中用于2-D波束成形的超像素结构（通过分组和时序控制实现模式切换）完全不同。因此，该技术特征未被直接公开，也无法从对比文件内容中合理推断出（隐含公开）。 |
| **技术特征B**：收发器电子装置<br>**直接公开** | [0052] “The semiconductor device 44 may be any semiconductor device known in the art, including a wide variety of electronic devices, such as flip-chip package assemblies, transistors, capacitors, microprocessors, random access memories, multiplexers, voltage/current amplifiers, high voltage drivers, etc.” <br> [0089] “... integrating a second multiplexing ASIC, ... Thus, less wires are required within the catheter sheath.” <br> [0092] “Other circuitry may be integrated in the ASIC stack such as timing and/or beam forming circuitry to control the transmit/receive signals ...” | 对比文件明确公开了与pMUT阵列连接和/或集成的半导体设备、ASIC（专用集成电路），这些设备包含多路复用器、放大器、高压驱动器、定时和波束成形电路等，它们共同构成了用于控制换能器发射和接收信号的电子装置，即“收发器电子装置”。虽然目标专利的收发器电子装置功能更具体（用于模式切换），但对比文件公开的电子装置同样具备驱动和控制阵列的基本功能。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“收发器电子装置”这一技术特征。 |
| **技术特征C**：和所述收发器电子装置与所述阵列之间的电耦合<br>**直接公开** | [0047] “Referring to FIG. 2, a pMUT device structure 80 is shown connected to a semiconductor device 44 to form a vertically integrated pMUT device 90. By way of example, the connection is made through solder bumps 46 connecting the conformal conductive layer 42 to solder pads 48 on the semiconductor device 44.” <br> [0053] “Because each piezoelectric element 22 is electrically isolated from adjacent piezoelectric elements 22, the individual elements may be separately driven in the transducer transmit mode. Additionally, receive signals may be measured from each piezoelectric membrane independently by the semiconductor device 44.” <br> [0059] “... vertically integrated pMUT device 70, as illustrated in FIG. 3. The epoxy layer 56, ... may also function as an adhesive for adhering the pMUT device structure 10 to the semiconductor device 44.” | 对比文件多处描述了pMUT阵列与半导体设备（即收发器电子装置）之间的物理和电学连接。例如，通过焊料凸点连接、通过具有金属触点的环氧树脂层粘附和连接等，这些连接构成了两者之间的“电耦合”。这种耦合使得半导体设备能够驱动单个换能器元件并接收其信号。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述收发器电子装置经配置以在第一模式和第二模式中的一可选择者中操作所述阵列<br>**未公开** | 对比文件描述了通过施加特殊波形（如超过矫顽电压的脉冲、额外半周期激励）或直流偏置来“增强”接收信号的方法（例如[0032], [0033], [0039], [0040]），但这是一种信号处理或激励优化技术。 | 目标专利的“第一模式”和“第二模式”特指两种不同的波束成形操作模式：平面波发射模式和聚焦波束发射模式，其核心是通过对阵列中不同位置（中心/外部）的像素组施加特定时序的激励信号来实现。对比文件虽然公开了电子装置可以控制阵列进行操作（如发射和接收），但完全没有提及任何关于在两种不同的波束成形模式（一种产生平面波，一种产生聚焦波束）之间进行“可选择”操作的技术内容。对比文件关注的焦点是提高单个或整体阵列的接收灵敏度，而非通过重新配置阵列的激励方式来改变发射波束的空间形态。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：在所述第一模式中，所述阵列产生具有第一声压的基本上平面超声波<br>**未公开** | 无相应内容。 | 对比文件没有描述任何关于阵列产生“基本上平面超声波”的操作模式。其讨论的发射操作是为了产生声脉冲以获取回声，并未涉及通过控制阵列所有元素同时同相发射来产生平面波前。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：且在所述第二模式中，所述阵列从每一超像素区产生具有第二声压的经聚焦波束，所述第二声压显著高于所述第一声压。<br>**未公开** | 无相应内容。 | 对比文件没有描述任何关于“超像素区”或从每个这样的区域产生“经聚焦波束”的内容。虽然[0092]提到了“beam forming circuitry”，但这是在集成电子设备的上下文中，并未具体描述其如何用于从阵列的子区域（超像素）产生聚焦波束，也完全没有提及聚焦波束的声压显著高于另一种模式下的声压。该特征依赖于特征A（超像素区）和特征D（模式选择），而这些均未被公开。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子的第一经固定配置的导电路径，以及连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子的第二经固定配置的导电路径，所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子与所述收发器电子装置耦合。<br>**未公开** | [0053] “Because each piezoelectric element 22 is electrically isolated from adjacent piezoelectric elements 22, the individual elements may be separately driven in the transducer transmit mode.” <br> [0089] “... integrating a second multiplexing ASIC, the signal received by each transducer and sent to each amplifier may be multiplexed through a reduced number of signal wires ...” | 对比文件公开了阵列中的元件可以被单独驱动，并且可以通过多路复用器等电路来管理连接。然而，它没有公开如目标专利所述的、将阵列预先划分为“像素组”，并将每个组内的所有像素通过“经固定配置的导电路径”（即硬连线）连接到一个共同的“驱动输入端子”的特定互连架构。对比文件的互连更倾向于单独寻址每个元素或通过多路复用器动态分配连接，而非固定的分组连接。由于特征A（像素组）未被公开，此依赖于分组的具体电连接方式自然也未被公开。 |
| **技术特征H**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者<br>**未公开** | 无相应内容。 | 该特征描述了在第一（平面波）模式下的特定驱动方法。由于对比文件未公开“第一模式”、“驱动输入端子”以及“像素组”的概念，因此这种同时向多个组驱动端子发射信号的操作方法也未被公开。 |
| **技术特征I**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子和所述第二驱动输入端子中的每一者，使得在将第一发射信号递送到所述第二驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生时间延迟。<br>**未公开** | 无相应内容。 | 该特征描述了在第二（聚焦波束）模式下的特定驱动时序。对比文件未公开任何关于为了波束成形目的而向不同组别的换能器“依序”发射信号并引入“时间延迟”的操作方法。其提及的时间延迟可能存在于波束成形电路中，但未与特定的像素组驱动顺序相关联。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的七个像素<br>**未公开** | [0057] “The width or diameter of the piezoelectric elements 22 may range from about 10 m to about 500 m with center-to-center spacing from about 15 m to about 1000 .m.” （提到了间距，但未指定晶格形状） | 对比文件描述了元件尺寸和间距范围，但完全没有提及将像素布置在“六方晶格”上以形成特定形状（如六边形）的“超像素区”。该特征是完全具体的结构限定，在对比文件中没有任何依据。 |
| **技术特征K**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**未公开** | 无相应内容。 | 该特征依赖于特征J（六边形超像素）和特征A（像素组）。由于这些基础特征均未被公开，此具体限定自然也未被公开。 |
| **技术特征L**：且所述第二像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的所述外部部分中。<br>**未公开** | 无相应内容。 | 该特征是对特征J和K中所述超像素结构的进一步具体化。由于基础结构未被公开，此具体布局也未被公开。 |
| **技术特征M**：其进一步包含第三像素组和第四像素组，其中：所述超像素区包含布置于六方晶格上以便形成六边形的十九个像素<br>**未公开** | 无相应内容。 | 对比文件未公开任何包含十九个像素的六边形超像素区结构，也未提及第三和第四像素组。 |
| **技术特征N**：所述第一像素组包含安置成接近于所述六边形的中心的一个中心像素<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同特征K，依赖于未公开的超像素结构。 |
| **技术特征O**：所述第二像素组包含以距所述中心像素大致相等的距离安置于所述超像素区的外部部分中的六个像素<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同特征L，依赖于未公开的超像素结构。 |
| **技术特征P**：且所述第三像素组包含六个像素，所述六个像素中的每一者安置于与所述第二像素组中的每一像素相比距所述中心像素较大距离处，且与所述第四像素组中的每一像素相比距所述中心像素较小距离处。<br>**未公开** | 无相应内容。 | 该特征描述了多个像素组之间的相对位置关系。由于对比文件未公开任何像素组或超像素区，这种复杂的相对位置关系无从谈起。 |
| **技术特征Q**：其中所述收发器电子装置与所述阵列之间的所述电耦合包含：第一经固定配置的导电路径，其连接所述第一像素组中的像素与第一驱动输入端子<br>**未公开** | 同特征G论述。 | 该特征是特征G在更多像素组情况下的延伸。由于特征G（分组固定连接）和特征A/M（像素组）均未被公开，此特征也未被公开。 |
| **技术特征R**：第二经固定配置的导电路径，其连接所述第二像素组中的像素与第二驱动输入端子<br>**未公开** | 同特征G论述。 | 同上。 |
| **技术特征S**：第三经固定配置的导电路径，其连接所述第三像素组中的像素与第三驱动输入端子<br>**未公开** | 同特征G论述。 | 同上。 |
| **技术特征T**：第四经固定配置的导电路径，其连接所述第四像素组中的像素与第四驱动输入端子<br>**未公开** | 同特征G论述。 | 同上。 |
| **技术特征U**：且所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入、所述第三驱动输入和所述第四驱动输入中的每一者与所述收发器电子装置耦合。<br>**未公开** | 同特征G、C论述。 | 该特征描述了多个驱动输入端子与收发器电子装置的耦合。虽然对比文件公开了电耦合（特征C），但未公开具体的“驱动输入端子”及其与特定像素组的对应关系。因此，该具体耦合方式未被公开。 |
| **技术特征V**：其中：在所述第一模式中，所述收发器电子装置同时发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同特征H，且涉及更多驱动端子。由于模式、驱动端子、像素组均未被公开，此操作未被公开。 |
| **技术特征W**：且在所述第二模式中，所述收发器电子装置依序发射信号到所述第一驱动输入端子、所述第二驱动输入端子、所述第三驱动输入端子和所述第四驱动输入端子中的每一者，使得：在将第一发射信号递送到所述第四驱动输入端子与将第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子之间发生第一时间延迟<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同特征I，且涉及更复杂的依序驱动时序。由于模式、驱动端子、像素组均未被公开，此刻意的发射时序未被公开。 |
| **技术特征X**：在将所述第二发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第三发射信号递送到所述第二驱动输入端子之间发生第二时间延迟<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同上。 |
| **技术特征Y**：且在将所述第三发射信号递送到所述第三驱动输入端子与将第四发射信号递送到所述第一驱动输入端子之间发生第三时间延迟。<br>**未公开** | 无相应内容。 | 同上。 |
| **技术特征Z**：其进一步包括安置于所述阵列上方的台板和声学耦合介质，其中所述阵列经配置以经由所述台板和所述耦合介质接收或发射超声信号。<br>**直接公开** | [0048] “The air-backed cavities 50 provide optimum acoustic performance.” <br> [0055] “By way of example, using an acoustic dampening polymer coating on the contacting surface of the semiconductor device, or at the base of the air-baclced cavity of the pMUT device, acoustic energy reflected from the piezoelectric membrane may be attenuated.” <br> [0072] “Polymer passivation layer 190 provides electrical and chemical insulation from fluid that may come in contact with the device surface during use (e.g., blood, water, silicone gel), and may also serves as an acoustic matching layer providing a lower acoustic impedance layer between the transducer face and the fluid.” <br> [0085] “Catheters 500 and 600 include acoustically matching materia1550, 650, respectively, directly in contact with pMUT 90. Acoustic matching materia1550, 650 may be a low elastic modulus polymer, water or silicone gel.” <br> [0098] “The pMUT-IC stack can be mounted in an external probe housing with an acoustic matching layer consisting of a low elastic modulus polymer, water, or silicone gel between the pMUT face and the housing wall.” | 对比文件明确公开了在pMUT阵列上方设置声学匹配层（acoustic matching layer），其材料包括低弹性模量聚合物、水或硅凝胶等，这些材料充当“声学耦合介质”以优化声波在换能器表面与外部环境（如体液或探头外壳）之间的传输。此外，探头或导管的外壳（housing wall）或声学窗口（acoustic window，如图9、10中的540、640）可以视为“台板”，超声信号通过该台板和耦合介质进行发射和接收。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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