对比文件名称：US2005085105A1_Description_20260712_1526
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：GPT-4（基于深度思考的专利分析模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文，保留段落标号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) 《未公开》 | 段落[0030]：“本发明描述了一种用于通过柔性PCB 3在FPBGA封装2的端子1与信号源之间产生低损耗、可重复电气连接的新接触系统的构造……”；段落[0032]：“柔性PCB 3包括两层聚酰亚胺薄膜7、8，其间具有一层或多层铜导体轨道9……柔性PCB 3上的相应接触元件5是柱状或套筒状的接触元件5……” | 对比文件公开了柔性PCB及其上的接触元件（相当于导电连接衬块），但柔性PCB及接触插座整体并不构成用于封闭微电子元件的包装载体，也不具备封闭功能。对比文件仅涉及测试插座中的临时接触，未公开包装载体“适于封闭”微电子元件的结构或功能，因此未公开特征A。 |
| 技术特征B：所述方法包括以下步骤 《未公开》 | 段落[0034]：“为了制造这种柱状或套筒状接触元件5，将孔（微通孔）引入聚合物基底……并填充导电材料。然后，在进一步的高选择性等离子体蚀刻操作中部分去除柔性基底材料，从而在聚合物基底中产生凹坑10，仅留下柱状接触结构5作为柱状销。” | 对比文件虽然公开了一种制造接触元件的方法，但该方法的具体步骤（引入微通孔、填充导电材料、蚀刻）与目标专利中的方法步骤完全不同，且目标专利特征B是“所述方法”的前序部分，指引后续特定步骤。对比文件的方法未公开与目标专利相同的步骤序列，因此特征B未被公开（既非直接也非隐含公开）。 |
| 技术特征C：提供牺牲载体(20) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件提供的是柔性PCB（聚合物基底），该材料是最终产品的一部分，并非用于临时承载并在后续被除去的牺牲载体。目标专利的牺牲载体是临时结构，用于随后被蚀刻除去，对比文件没有公开或暗示任何牺牲载体，因此特征C未公开。 |
| 技术特征D：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) 《未公开》 | 段落[0032]：“柔性PCB 3包括两层聚酰亚胺薄膜7、8，其间具有一层或多层铜导体轨道9……” | 对比文件中的柔性PCB具有表面和导电轨道，但柔性PCB并非牺牲载体，因此不满足“牺牲载体具有承载表面”的技术方案。本领域技术人员无法从对比文件推理出牺牲载体及其上的导电图案，特征D未公开。 |
| 技术特征E：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22)和凹入部分(23) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件未记载任何弯曲步骤，其柔性PCB是平坦的，通过蚀刻形成凹坑，而非通过弯曲产生升高和凹入部分。因此特征E未公开。 |
| 技术特征F：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) 《未公开》 | 段落[0034]：“将孔（微通孔）引入聚合物基底……” | 对比文件中的微通孔是直接形成在聚合物基底（柔性PCB）中，而非形成在一个单独的覆盖构件上。目标专利的覆盖构件是独立于牺牲载体的层，具有孔并覆盖图案的一部分。对比文件没有公开或暗示这种覆盖构件，因此特征F未公开。 |
| 技术特征G：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 《未公开》 | 无相关内容 | 由于没有覆盖构件和升高部分，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征的技术方案，特征G未公开。 |
| 技术特征H：从而覆盖所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有覆盖构件覆盖图案的步骤，因此特征H未公开。 |
| 技术特征I：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件通过注塑或包覆成型形成体构件，但其方法中没有应用材料于承载表面、导电图案和覆盖构件的一部分的步骤，也没有覆盖构件。特征I未公开。 |
| 技术特征J：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有覆盖构件，也没有相关步骤，特征J未公开。 |
| 技术特征K：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 《未公开》 | 段落[0034]：“在进一步的高选择性等离子体蚀刻操作中部分去除柔性基底材料……” | 对比文件部分去除的是柔性PCB（聚合物基底），该材料并非牺牲载体，而是最终结构的一部分。目标专利的牺牲载体是临时载体，在形成体构件后被完全或部分除去，对比文件没有公开牺牲载体及其除去步骤，特征K未公开。 |
| 技术特征L：从而产生凹槽(47) 《未公开》 | 段落[0034]：“从而在聚合物基底中产生凹坑10” | 对比文件通过蚀刻塑料层产生了凹坑10，但该凹坑是由于部分去除聚合物基底形成的，并非由于除去牺牲载体产生。特征L中的凹槽(47)是在体构件中通过除去牺牲载体形成的，用于容纳微电子元件。对比文件凹坑的形成方式、位置和作用均不同，本领域技术人员不能合理推断出特征L的技术方案，因此特征L未公开。 |
| 技术特征M：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有体构件、牺牲载体和升高部分，因此特征M未公开。 |
| 技术特征N：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 《隐含公开》 | 段落[0034]：“仅留下柱状接触结构5作为柱状销”；段落[0032]：“接触元件5电连接到Cu导电轨道9” | 对比文件通过蚀刻暴露了柱状接触结构5，这些接触结构是导电的，并电连接到Cu导电轨道9（图案的一部分），用于连接芯片端子，相当于导电连接衬块。本领域技术人员可以合理推断出对比文件暴露了图案的导电连接衬块，因此特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) 《未公开》 | 段落[0030]：“在FPBGA封装2的端子1与信号源之间产生电气连接”；段落[0033]：“接触元件5用于接触连接芯片端子” | 对比文件中的接触元件5虽然适于电气耦接到微电子元件（BGA封装），但未公开“在体构件的侧面”这一特征，因为对比文件没有体构件，其接触元件位于柔性PCB表面。特征O限定了“在体构件的侧面”，对比文件未公开，因此特征O未公开。 |
| 技术特征P：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有覆盖构件，也没有孔在覆盖构件中，因此特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有使用模具形成体构件，其柔性PCB通过层压和蚀刻形成，没有模具工序。因此特征Q未公开。 |
| 技术特征R：其中 《未公开》 | 无相关内容 | 特征R仅为过渡词，无技术内容，对比文件未公开相关上下文，未公开。 |
| 技术特征S：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有模具和牺牲载体，因此特征S未公开。 |
| 技术特征T：所述材料用于形成所述体构件(45) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有体构件形成步骤，因此特征T未公开。 |
| 技术特征U：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有模具突出件，也没有覆盖构件，因此特征U未公开。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有模具突出件和体构件内的槽形凹槽，因此特征V未公开。 |
| 技术特征W：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有槽形凹槽，因此特征W未公开。 |
| 技术特征X：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有模具和牺牲载体定位步骤，因此特征X未公开。 |
| 技术特征Y：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) 《未公开》 | 无相关内容 | 对比文件没有升高部分、模具突出件及成直角放置的特征，因此特征Y未公开。 |
| 技术特征Z：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) 《未公开》 | 无相关内容 | 重复特征V，未公开。 |
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