对比文件名称：JPH10189792A_Description_20260712_1527
目标专利名称：1323包装、包装载体及其制造方法、诊断设备及其制造方法CN100586253C
本次调用的模型名称：未指定（基于公开知识推理）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译，标注段落号） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述包装载体(55)适于封闭至少一个微电子元件(60、61)并具有用于所述包装载体(55)至另一种设备的电气连接的导电连接衬块(31) 《直接公开》 | [0005] “半导体封装包括具有用于芯片安装的阶梯状凹部的封装树脂、…以及作为外部连接用电极部暴露在封装树脂底部的布线层。” | 对比文件公开的半导体封装（相当于包装载体）适于封闭半导体芯片（微电子元件），并且具有暴露的电极部（相当于导电连接衬块）用于外部电气连接，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：所述方法包括以下步骤 《直接公开》 | [0014]至[0020]描述了制造半导体封装的方法步骤，包括准备金属基底、形成配线层、弯曲、模具成型、安装芯片、连接导线、接合盖体等。 | 对比文件明确公开了制造半导体封装的方法，包含多个步骤，因此直接公开了“所述方法包括以下步骤”这一前序特征。 |
| 技术特征C：提供牺牲载体(20) 《未公开》 | [0014] “首先，如图3(a)所示，准备厚度约0.2mm的平板状金属基底5。” | 对比文件提供的是金属基底，作为永久结构，并非在后续步骤中被除去的牺牲载体。目标专利的牺牲载体用于临时承载图案并在形成体构件后被除去，对比文件无此教导，故未公开。 |
| 技术特征D：所述牺牲载体(20)具有承载表面(24)和在所述承载表面(24)的导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30) 《未公开》 | [0015]-[0016] “在金属基底5的一个面上粘贴带粘合剂的聚酰亚胺膜11，…层压铜箔12…图案化形成铜图案12a，得到配线层6，包括电气接続部6a和电极部6b。” | 对比文件公开了在金属基底表面形成导电图案，但金属基底并非牺牲载体，因此未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：将所述牺牲载体(20)弯曲以在所述承载表面(24)中产生升高部分(22) and 凹入部分(23) 《未公开》 | [0017] “将金属基底5分为两阶段弯曲加工，一体形成弯曲凹部5a、肩部5b、侧壁5c及脚部5d。” | 对比文件公开了弯曲金属基底产生不同水平部分（如肩部、脚部），但该金属基底不是牺牲载体，弯曲的目的在于形成最终封装结构，而非为后续牺牲载体除去的步骤，故未公开。 |
| 技术特征F：提供在所述载体(20)上具有至少一个孔(41)的覆盖构件(40) 《未公开》 | [0015]描述了在金属基底上粘贴聚酰亚胺膜11作为绝缘层，但未提及在绝缘层上设置孔，也没有形成覆盖构件。 | 对比文件没有公开覆盖构件，更没有公开具有至少一个孔的覆盖构件，因此未公开特征F。 |
| 技术特征G：以使在所述覆盖构件(40)中的所述孔(41)和包围所述孔(41)的所述覆盖构件(40)的顶部部分出现在所述载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的一部分上 《未公开》 | 对比文件无相应内容。 | 由于对比文件无覆盖构件和孔，故未公开特征G。 |
| 技术特征H：从而覆盖所述导电连接衬块(31) and 导电轨道(32)的图案(30)的至少一部分 《未公开》 | 对比文件[0015]中聚酰亚胺膜覆盖金属基底表面，但并非专门覆盖图案的至少一部分，且图案形成于绝缘层之上。 | 对比文件没有公开覆盖构件覆盖图案的至少一部分，因此未公开特征H。 |
| 技术特征I：通过将材料应用于所述承载表面(24)、所述导电连接衬块(31)和导电轨道(32)的图案(30)并应用于所述覆盖构件(40)的一部分来形成体构件(45) 《未公开》 | [0019] “将金属基底5设置在模具14中…注入树脂，固化后形成封装树脂3。” | 对比文件公开了用树脂覆盖金属基底和配线层形成体构件，但缺乏覆盖构件，且载体不是牺牲载体，因此未公开特征I。 |
| 技术特征J：而不将材料应用于所述覆盖构件(40)的顶部部分 《未公开》 | [0021] “通过模具压紧肩部5b和脚部5d，防止树脂覆盖电气接続部6a和电极部6b。” | 对比文件公开了不将材料应用于特定部分（电气接続部、电极部），但该特定部分不是覆盖构件的顶部部分，且对比文件无覆盖构件，因此未公开特征J。 |
| 技术特征K：将所述牺牲载体(20)的至少一部分除去 《未公开》 | 对比文件无除去步骤，金属基底5保留在最终产品中。 | 对比文件没有公开且没有暗示除去任何牺牲载体，因此未公开特征K。 |
| 技术特征L：从而产生凹槽(47) 《未公开》 | [0007] “封装树脂具有阶梯状凹部2，该凹部通过模具形成。” | 对比文件公开了凹槽（段付凹部），但该凹槽通过模具形成，而非通过除去牺牲载体产生，因此未公开特征L。 |
| 技术特征M：所述凹槽(47)在所述牺牲载体(20)的除去部分曾经所处的所述体构件(45)的侧面并位于所述牺牲载体(20)的所述升高部分(22)曾经所处的位置 《未公开》 | 对比文件凹部2位于封装树脂顶部，而非侧面，且不是通过除去载体获得。 | 未公开。 |
| 技术特征N：暴露所述图案(30)的所述导电连接衬块(31)中的至少一个 《未公开》 | [0005] “外部连接用电极部6b暴露在封装树脂底部。” | 对比文件虽然暴露了电极部，但该暴露是通过模具成型而非通过除去牺牲载体实现，且特征N与步骤K相关联，故未公开特征N。 |
| 技术特征O：所述图案(30)的所述至少一个导电连接衬块(31)适于电气耦接到在所述体构件(45)的所述侧面的微电子元件(60) 《未公开》 | [0005] “电气接続部6a用于通过导线与半导体芯片4连接，芯片位于凹部2内。” | 对比文件公开了连接衬块适于耦接微电子元件，但未明确限定连接衬块和微电子元件位于体构件的同一侧面；且芯片在凹部底部，连接部在肩部，并非同一侧面，因此未公开特征O。 |
| 技术特征P：所述凹槽(47)延伸到所述覆盖构件(40)中的所述孔(41) 《未公开》 | 对比文件无覆盖构件和孔。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其特征在于，为了形成所述体构件(45)而使用模具(11、15) 《直接公开》 | [0019] “将金属基底5设置在注射成型用模具14中…注入树脂，固化后形成封装树脂3。” | 对比文件明确使用模具形成封装树脂（体构件），因此直接公开特征Q。 |
| 技术特征R：其中 《未公开》 | 对比文件[0019]描述了模具与载体的定位过程，但“其中”仅为连接词，无独立技术内容。 | 特征R本身不构成独立技术特征，对比文件虽公开了后续步骤，但未单独公开“其中”这一限定，故未公开。 |
| 技术特征S：通过将所述模具(15)和所述牺牲载体(20)置于相互之间的预定位置产生用于容纳材料的空间(19) 《未公开》 | [0019] “将金属基底5设置在模具14中…形成模腔15。” | 对比文件公开了将模具和金属基底置于预定位置产生模腔，但金属基底不是牺牲载体，因此未公开特征S。 |
| 技术特征T：所述材料用于形成所述体构件(45) 《直接公开》 | [0019] “注入树脂，固化后形成封装树脂3。” | 对比文件公开了材料用于形成封装树脂（体构件），因此直接公开特征T。 |
| 技术特征U：所述模具(15)包括用于避免所述材料覆盖所述覆盖构件(40)的至少一部分的突出件(17) 《未公开》 | [0019]提及模具具有压紧块14a,14b，用于压紧肩部5b和脚部5d，避免树脂覆盖连接部6a和电极部6b。 | 对比文件公开了模具的突出件（压紧块）避免材料覆盖特定部分，但该特定部分不是覆盖构件，且对比文件无覆盖构件，因此未公开特征U。 |
| 技术特征V：其特征在于，所述模具(15)的所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) 《未公开》 | 对比文件未描述突出件形成槽形凹槽。 | 对比文件未公开突出件用于形成槽形凹槽，因此未公开特征V。 |
| 技术特征W：所述槽形凹槽(46)从所述体构件(45)的一个侧面延伸到所述体构件(45)的相对侧面 《未公开》 | 对比文件无槽形凹槽。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其特征在于，在将所述模具(15)与所述牺牲载体(20)相对于彼此之间定位的所述步骤期间 《未公开》 | [0019]有定位步骤，但载体不是牺牲载体。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：以相对于所述牺牲载体(20)的所述承载表面(24)的所述升高部分(22)的纵向轴(221)成直角的方式来放置所述模具(15)的所述突出件(17)的纵向轴(171) 《未公开》 | 对比文件无此描述。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：所述突出件(17)适合于在所述体构件(45)内形成槽形凹槽(46) 《未公开》 | 同特征V。 | 未公开。 |
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