对比文件名称：2001-08-03_JP2001210831A_发明专利_JP2001210831A Semiconductor device
目标专利名称：249具有扩散势垒区的晶体管CN105981145B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括基板**<br>**《直接公开》** | [0031] 本実施形態のＨＤＴＭＯＳは、ｐ型のＳｉ基板１０と、...（本实施例的HDTMOS具有p型Si基板10、...） | 对比文件明确公开了半导体器件包括基板（例如p型Si基板10），其作为器件的支撑结构。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B：形成在所述基板的第一区域的表面上的扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的**<br>**《隐含公开》** | [0047] ...Ｃ（カーボン）を約０．１％含むＳｉ膜１８...が存在することにより、Ｓｉボディ領域２２からＳｉＧｅチャネル領域２４への不純物の拡散が抑制される...（...通过存在含有约0.1% C（碳）的Si膜18...，抑制了从Si体区22到SiGe沟道区24的杂质扩散...）<br>[0018] ...チャネルへの不純物の拡散を防止するための領域であって、０．０１％以上で２％以下の濃度の炭素を含む領域をさらに備えていることにより、高濃度の不純物を含むボディ領域からチャネル領域への不純物の拡散が抑制され...（...进一步具备为了防止杂质向沟道扩散的区域，该区域含有0.01%以上2%以下的浓度的碳，由此，抑制了从高浓度杂质包含的体区向沟道区的杂质扩散...） | 对比文件公开了在重掺杂的体区（相当于“第一区域”）和沟道区之间设置含碳（C）的Si层（例如Si膜18），其作用是抑制从体区到沟道区的杂质扩散。这实质上构成了一个扩散势垒区。虽然材料（含C的Si）与目标专利具体列举的III-V或II-VI族复合物不同，但其作为扩散势垒的功能和作用（抑制掺杂扩散）是相同的。本领域技术人员根据对比文件关于抑制扩散的教导，能够合理推断出使用具有特定带隙能量的材料来形成扩散势垒区以实现此功能。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C：形成在所述扩散势垒区的表面上的沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成**<br>**《直接公开》** | [0031] ...ＳｉＧｅ膜１４のうち...ＳｉＧｅチャネル領域２４となっており...（...SiGe膜14中的...成为SiGe沟道区24...）<br>[0033] Ｇｅ含有率が４０％のＳｉＧｅチャネル領域２４のバンドギャップは、Ｓｉキャップ層２５及びｎ - Ｓｉ領域２３に比べて、約３００ｍｅＶだけ小さくなる...（Ge含量为40%的SiGe沟道区24的带隙，比Si帽层25及n-Si区23小约300meV...）<br>[0047] ...ＳｉＧｅチャネル領域２４...（...SiGe沟道区24...） | 对比文件明确公开了沟道区（如SiGe沟道区24）形成在抑制扩散的层（如含C的Si膜18）之上。并且明确指出SiGe沟道区的带隙比其相邻的Si层（如帽层或缓冲层）小。Si层（如含C的Si膜18）作为扩散势垒，其材料（Si）的带隙能量高于SiGe。因此，沟道区（第二材料：SiGe）具有低于扩散势垒区（第一材料：含C的Si）的带隙能量这一技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D：以及耦合到所述基板的所述第一区域的背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述第一区域中。**<br>**《直接公开》** | [0031] ...ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６が設けられている。（设有将栅电极17和Si体区22电连接的导体部件即接触26。）<br>[0047] （结构示意图显示了接触连接到体区） | 对比文件明确公开了通过导体接触（如接触26）将栅电极与体区（即基板上的第一区域，如高掺杂的Si体区22）电连接。该接触必然延伸到体区中以实现电连接。这种连接使得体区可以作为背栅使用，其功能与目标专利的背栅触点相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E：其特征在于，所述第一区域具有比所述沟道区更高的掺杂浓度。**<br>**《直接公开》** | [0031] ...上部Ｓｉ膜１２のうち...領域は、高濃度のｎ型不純物を含むＳｉボディ領域２２となっており...ＳｉＧｅ膜１４のうち...領域は、比較的低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４となっており...（...上部Si膜12中的...区域成为包含高浓度n型杂质的Si体区22...SiGe膜14中的...区域成为包含较低浓度n型杂质的SiGe沟道区24...）<br>[0047] ...Ｓｉボディ領域２２の不純物濃度が高く、ＳｉＧｅチャネル領域２４の不純物濃度が低い...（...Si体区22的杂质浓度高，SiGe沟道区24的杂质浓度低...） | 对比文件多次明确描述了体区（第一区域）具有高掺杂浓度（例如约1×10^19 atoms/cm³），而沟道区具有较低的掺杂浓度（例如约1×10^17 atoms/cm³或更低）。这直接公开了第一区域的掺杂浓度高于沟道区。 |
| **技术特征F：其特征在于，所述第一材料包括III-V族复合物或II-VI族复合物。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中用于形成扩散势垒功能的层是含碳（C）的硅（Si）层（例如Si膜18），属于IV族元素构成的合金或化合物。对比文件未提及使用III-V族复合物（如AlAs、InAlAs）或II-VI族复合物来形成该层。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出使用III-V或II-VI族材料作为扩散势垒。 |
| **技术特征G：其特征在于，所述第一材料包括砷化铝或砷化铟铝。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未提及砷化铝（AlAs）或砷化铟铝（InAlAs）这两种具体的III-V族材料。 |
| **技术特征H：其特征在于，所述第二材料包括砷化镓或砷化铟镓。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件中用于沟道区的材料是SiGe、SiC或SiGeC等硅基化合物半导体，未提及砷化镓（GaAs）或砷化铟镓（InGaAs）这两种具体的III-V族材料。 |
| **技术特征I：其特征在于，所述沟道区和所述第一区域是基于超锐逆掺杂分布来掺杂的。**<br>**《隐含公开》** | [0045] ...Ｓｉボディ領域２２の不純物濃度を高く、ＳｉＧｅチャネル領域２４の不純物濃度を低くすることにより...（...通过提高Si体区22的杂质浓度，降低SiGe沟道区24的杂质浓度...）<br>[0047] ...Ｓｉボディ領域２２の不純物濃度が高く、ＳｉＧｅチャネル領域２４の不純物濃度が低いという急峻な不純物濃度プロファイルを形成することができる。（能够形成Si体区22杂质浓度高、SiGe沟道区24杂质浓度低的陡峭杂质浓度分布。） | 对比文件明确教导了在体区（第一区域）采用高掺杂浓度，而在沟道区采用低掺杂浓度，以形成陡峭的杂质浓度分布。这正是“超陡逆掺杂（super-steep retrograde doping）”分布的核心特征，即沟道下方的区域（体区）掺杂浓度远高于沟道本身。本领域技术人员能够从对比文件的描述中合理推断出这种掺杂分布。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征J：其特征在于，进一步包括：形成在所述沟道区的表面上的介电层**<br>**《直接公开》** | [0031] ...Ｓｉ膜１５の上に設けられたシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１６...（...在Si膜15上设置的由硅氧化膜构成的栅绝缘膜16...） | 对比文件明确公开了在沟道区（通过帽层，如Si膜15）表面形成栅绝缘膜（介电层，如16）。 |
| **技术特征K：形成在所述介电层的表面上的金属栅极**<br>**《未公开》** | [0031] ...ゲート絶縁膜１６の上に設けられたゲート電極１７...（...在栅绝缘膜16上设置的栅电极17...）<br>[0032] ゲート電極１７には、濃度が約１×１０^20 atoms・ｃｍ^-3のｐ型不純物（例えばボロン）がドープされている。（栅电极17中掺杂有浓度约为1×10^20 atoms/cm³的p型杂质（例如硼）。） | 对比文件公开的栅电极（如17）是掺杂多晶硅（poly-Si），例如掺杂硼或砷/磷的多晶硅，并未提及是金属栅极（metal gate）。金属栅极与掺杂多晶硅栅极在材料、功函数调节、集成工艺等方面存在显著差异。本领域技术人员不能毫无疑义地或通过合理推理认为对比文件公开了金属栅极。 |
| **技术特征L：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的源极区**<br>**《隐含公开》** | [0031] ...半導体層３０...のうちゲート電極１７の両側方に位置する領域には高濃度のｐ型不純物を含むソース領域２０ａ及びドレイン領域２０ｂが設けられている。（在半导体层30...中位于栅电极17两侧的区域设有包含高浓度p型杂质的源区20a及漏区20b。）<br>（结合图3、4，源漏区形成在包含扩散势垒层的多层结构上） | 对比文件公开了源极区（如20a）形成在半导体层上。该半导体层包含沟道区、扩散势垒层（含C的Si层）等。源极区位于栅极两侧，通过离子注入等工艺形成，其下方必然包括扩散势垒区所在的层面。因此，本领域技术人员可以合理推断源极区形成在扩散势垒区的表面（上方）。 |
| **技术特征M：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的漏极区**<br>**《隐含公开》** | [0031] （同上） | 理由同技术特征L。对比文件公开了漏极区（如20b），本领域技术人员可以合理推断其形成在扩散势垒区的表面（上方）。 |
| **技术特征N：毗邻于所述源极区的第一浅沟槽隔离区**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件主要描述了SOI结构（通过埋氧层11实现器件隔离）或使用沟槽隔离（トレンチ分離，如图32中的493）来隔离不同的器件（如PMOS和NMOS）。但未明确描述在单个晶体管内部，源极区旁边设置有浅沟槽隔离（STI）区。目标专利中STI的作用是减少寄生泄漏，而对比文件中未提及该结构或类似功能。 |
| **技术特征O：以及毗邻于所述漏极区的第二浅沟槽隔离区。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 理由同技术特征N。 |
| **技术特征P：其特征在于，所述扩散势垒区介于所述沟道区和所述第一区域之间。**<br>**《直接公开》** | [0047] （图13）结构显示，含C的Si膜18位于Si体区22（第一区域）和SiGe沟道区24之间。 | 对比文件的附图13及相应描述清晰地显示了作为扩散防止层的含C Si膜（18）位于高掺杂的体区（第一区域）和低掺杂的沟道区之间。这直接公开了扩散势垒区介于沟道区和第一区域之间。 |
| **技术特征Q：其特征在于，所述装置是平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。**<br>**《直接公开》** | [0001] 本発明は、...ＤＴＭＯＳあるいはＭＩＳＦＥＴとして機能する半導体装置に関する。（本发明涉及一种作为DTMOS或MISFET发挥功能的半导体装置。）<br>全文多处描述MOSFET/MISFET结构。 | 对比文件明确其器件是MOSFET（或MISFET）结构，且从附图（如图3、4）可以看出是平面型结构，而非FinFET等非平面结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征R：其特征在于，所述装置是鳍式场效应晶体管(FinFET)。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件所有实施例均描述和展示了平面型MOSFET结构，未提及或暗示任何鳍式（Fin）结构或三维沟道。 |
| **技术特征S：包括：在基板的重掺杂区的表面上形成扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的**<br>**《隐含公开》** | [0018], [0047] （内容同技术特征B引用） | 对比文件公开了在重掺杂体区上形成含碳Si层以抑制杂质扩散。虽然未明确描述其带隙能量，但本领域技术人员知晓Si材料的带隙，并且能理解通过选择材料（如含C的Si）可以形成具有特定带隙的扩散势垒。结合对比文件关于抑制扩散的教导，可以合理推断出该方法步骤。 |
| **技术特征T：在所述扩散势垒区的表面上形成沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成**<br>**《直接公开》** | [0031], [0033], [0047] （内容同技术特征C引用及上下文） | 对比文件公开了在含碳Si层（扩散势垒）上外延生长SiGe层作为沟道区，并明确SiGe的带隙小于Si。这直接公开了该方法步骤。 |
| **技术特征U：蚀刻所述沟道区的特定区域以形成源极区和漏极区**<br>**《隐含公开》** | 对比文件描述了形成源极区和漏极区，这通常涉及对沟道区两侧的区域进行离子注入和可能的蚀刻/外延工艺（例如形成抬高的源漏）。本领域技术人员根据公知的MOSFET制造常识，能够合理推断出为了形成源/漏区，可能需要对沟道区的特定区域进行蚀刻或类似处理。 | 虽然对比文件未明确描述“蚀刻沟道区的特定区域”这一具体动作，但其必然包含形成源/漏区的步骤。在半导体制造中，形成源/漏区的一种常见方法就是蚀刻掉沟道区两侧的部分材料（或衬垫层）并进行外延填充（如应变硅技术），或者通过离子注入直接对沟道区两侧区域进行掺杂。本领域技术人员从对比文件公开的形成源/漏区的结果，结合公知常识，能够合理推断出可能包含蚀刻沟道区特定区域的步骤。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征V：以及形成背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述重掺杂区中。**<br>**《直接公开》** | [0031] （内容同技术特征D引用） | 对比文件公开了形成将栅电极与体区（重掺杂区）连接的接触（如26），该接触必然延伸到体区中。这直接公开了该方法步骤。 |
| **技术特征W：进一步包括形成耦合到所述重掺杂区的背栅触点。**<br>**《直接公开》** | [0031] （内容同技术特征D引用） | 此特征与技术特征V实质相同，已被直接公开。 |
| **技术特征X：其特征在于，所述扩散势垒区陷住来自所述重掺杂区的掺杂物。**<br>**《直接公开》** | [0047] ...Ｓｉボディ領域２２からＳｉＧｅチャネル領域２４への不純物の拡散が抑制される...（...抑制了从Si体区22到SiGe沟道区24的杂质扩散...） | 对比文件明确描述了含碳Si层（扩散势垒）的功能是抑制或阻止来自重掺杂体区的杂质扩散到沟道区。这直接等同于“陷住掺杂物”。 |
| **技术特征Y：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较低界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是砷化镓或者砷化铟镓，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件既未描述扩散势垒区在“较低界面”陷住杂质的具体机制，也未使用砷化镓（GaAs）、砷化铟镓（InGaAs）作为第一材料，或使用砷化铝（AlAs）、砷化铟铝（InAlAs）作为第二材料。该技术特征包含多个特定材料和机制的限定，均未被对比文件公开。 |
| **技术特征Z：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较高界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是硅，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。**<br>**《未公开》** | 无相关内容。 | 对比文件未描述扩散势垒区在“较高界面”陷住杂质的具体机制。虽然第一材料是硅（Si）的部分可能从含C Si层推断，但第二材料是砷化铝（AlAs）或砷化铟铝（InAlAs）的限定未被公开。 |
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