**对比文件名称**：2013-03-14_KR1020130026974A_发明公开_KR1020130026974A 채널 두께를 제어하는 ＦＩＮＦＥＴ 설계
**目标专利名称**：249具有扩散势垒区的晶体管CN105981145B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek最新版本模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：基板<br>《直接公开》 | 段落[0013]：“기저 기판(110) 상의 반도체 층(130)이 도시된다.”（显示了在基底基板(110)上的半导体层(130)。） | 对比文件明确公开了“기판”（基板）是器件的基础结构，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：形成在所述基板的第一区域的表面上的扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的<br>《直接公开》 | 段落[0039]：“이 제2 캡 층(152)은 핀(150)과 캡 층(151) 사이에 확산 배리어를 제공한다.”（该第二覆盖层(152)在鳍(150)和覆盖层(151)之间提供扩散势垒。）<br>段落[0040]：“제2 캡 층(152)은 탄소로 중도핑되거나 또는 n-Si를 위한 SiGe, n-GaAs를 위한 AlGaAs 등과 같은 캐리어 배리어 물질들로부터 만들어진다.”（第二覆盖层(152)由碳重掺杂或者由诸如用于n-Si的SiGe、用于n-GaAs的AlGaAs等载流子势垒材料制成。） | 对比文件明确公开了“제2 캡 층”（第二覆盖层）在鳍（相当于基板的重掺杂区）和第一覆盖层之间，其作用正是“확산 배리어”（扩散势垒）。同时公开了其由特定材料（如AlGaAs，一种III-V族复合物）形成。作为扩散势垒，其材料必然具有特定的带隙能量（第一带隙能量）以实现势垒功能。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征C**：形成在所述扩散势垒区的表面上的沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成<br>《隐含公开》 | 段落[0018]：“캡 층(151)을 형성하는 물질의 대역 갭은 핀(150)을 형성하는 물질의 대역 갭보다 작아야 한다.”（形成覆盖层(151)的材料的带隙必须小于形成鳍(150)的材料的带隙。）<br>段落[0040]：“제2 캡 층(152)이 형성된 후, 제1 캡 층(151)은 제2 캡 층(152) 위에서 에피택셜 성장된다.”（在第二覆盖层(152)形成后，第一覆盖层(151)在第二覆盖层(152)上外延生长。） | 对比文件公开了第一覆盖层(151)在第二覆盖层(扩散势垒)(152)上形成，且第一覆盖层(151)的作用是作为栅极下方的薄层以限制载流子（见[0018]），即相当于沟道区。虽然未明确记载第一覆盖层材料的带隙与第二覆盖层材料带隙的数值关系，但根据[0018]段原理（覆盖层带隙小于鳍带隙以实现载流子限制）以及扩散势垒的功能，本领域技术人员能够合理推断，为了有效限制载流子并在扩散势垒区上方形成沟道，沟道区（第一覆盖层）材料的带隙应低于其下方的扩散势垒区（第二覆盖层）材料的带隙。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征D**：以及耦合到所述基板的所述第一区域的背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述第一区域中。<br>《隐含公开》 | 段落[0041]：“핀(150)은 또한 FinFET의 임계 전압의 조절을 가능하게 해주도록 기판(110)을 거쳐 바이어스될 수 있다.”（鳍(150)也可以通过基板(110)被偏置，以使得能够调节FinFET的阈值电压。） | 对比文件明确记载了可以通过基板对鳍（相当于基板的第一区域/重掺杂区）进行偏置以控制阈值电压。为了实现这种电学偏置，本领域技术人员必然需要设置一个电学触点（即背栅触点）耦合并延伸到该区域中。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述第一区域具有比所述沟道区更高的掺杂浓度。<br>《直接公开》 | 段落[0018]：“NMOS 공핍 모드 FinFET 실시예에서, 이러한 얇은 채널은 p형 중도핑된 핀(150)과 함께, 도핑되지 않거나 p형 경도핑되거나, 또는 n형 경도핑된 캡 층(151) ... 으로 달성될 수 있다.”（在NMOS耗尽模式FinFET实施例中，这种薄沟道可以通过具有p型重掺杂的鳍(150)，以及未掺杂、或p型轻掺杂、或n型轻掺杂的覆盖层(151)...来实现。） | 对比文件明确公开了鳍（150）（相当于第一区域）是“중도핑”（重掺杂）的，而覆盖层（151）（相当于沟道区）是“경도핑”（轻掺杂）或未掺杂的。这直接公开了第一区域的掺杂浓度高于沟道区。 |
| **技术特征F**：其特征在于，所述第一材料包括III-V族复合物或II-VI族复合物。<br>《直接公开》 | 段落[0040]：“제2 캡 층(152)은 ... n-GaAs를 위한 AlGaAs 등과 같은 캐리어 배리어 물질들로부터 만들어진다.”（第二覆盖层(152)由...诸如用于n-GaAs的AlGaAs等载流子势垒材料制成。） | 对比文件明确将“AlGaAs”（砷化镓铝）作为扩散势垒层（第二覆盖层）的材料示例。AlGaAs是典型的III-V族复合物。因此，该技术特征中“第一材料包括III-V族复合物”被直接公开。虽然未提及II-VI族复合物，但已公开了III-V族这一选项。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述第一材料包括砷化铝或砷化铟铝。<br>《隐含公开》 | 段落[0040]（同上）公开了扩散势垒材料包括“AlGaAs”。 | AlGaAs是AlAs（砷化铝）与GaAs的合金。虽然对比文件未明确点名“砷化铝(AlAs)”或“砷化铟铝(InAlAs)”，但公开了与之属于同一III-V族材料体系、功能相同的AlGaAs作为扩散势垒材料。本领域技术人员可以合理推断，使用AlAs或InAlAs作为扩散势垒材料是常见的等同替换，能够实现相同的扩散势垒功能。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述第二材料包括砷化镓或砷化铟镓。<br>《未公开》 | 对比文件未提及沟道区（第一覆盖层）材料为砷化镓(GaAs)或砷化铟镓(InGaAs)。其公开的沟道区材料例如为“실질적으로 순수 실리콘”（实质上纯硅）或“실리콘 게르마늄(SiGe)”等（见[0019]）。 | 对比文件未公开使用GaAs或InGaAs作为沟道区（第二材料）。两者材料体系不同，无法从对比文件中直接或隐含地得出。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述沟道区和所述第一区域是基于超锐逆掺杂分布来掺杂的。<br>《隐含公开》 | 段落[0018]（同特征E引用）公开了鳍（第一区域）为重掺杂(p형 중도핑)，覆盖层（沟道区）为轻掺杂或未掺杂(도핑되지 않거나 경도핑)。 | “超锐逆掺杂分布”在目标专利中指沟道区与下方重掺杂区具有显著浓度差的掺杂分布。对比文件公开了第一区域（鳍）重掺杂、沟道区（覆盖层）轻掺杂/未掺杂的结构，这实质上构成了超锐逆掺杂分布。虽然未使用该术语，但本领域技术人员能够从公开的掺杂浓度关系中合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征J**：其特征在于，进一步包括：形成在所述沟道区的表面上的介电层<br>《直接公开》 | 段落[0022]：“게이트 유전체층(170)은 ... 형성될 수 있다.”（栅极介电层(170)可以...形成。）<br>结合图6，该介电层(170)形成在覆盖层（沟道区）之上。 | 对比文件明确公开了“게이트 유전체층(170)”（栅极介电层170），其形成在作为沟道区的第一覆盖层(151)的表面上。 |
| **技术特征K**：形成在所述介电层的表面上的金属栅极<br>《直接公开》 | 段落[0023]：“게이트 전극 층(180)은 도전성 물질을 포함하며... 금속을 포함한 그룹으로부터 선택될 수 있다.”（栅电极层(180)包含导电材料...可以从包含金属的组中选择。） | 对比文件明确公开了栅电极层(180)可以包含金属材料，即可以是金属栅极，并且其形成在栅极介电层(170)之上（见[0022]-[0023]及图6）。 |
| **技术特征L**：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的源极区<br>《隐含公开》 | 段落[0011]：“소스 영역(230)과 드레인 영역(231)”（源极区域(230)和漏极区域(231)）<br>段落[0040]公开了具有扩散势垒层(152)的结构。结合FinFET结构，源/漏区位于鳍的两端。 | 对比文件公开了FinFET包含源极区和漏极区。在具有扩散势垒层(152)的实施例中（见[0040]），该层覆盖鳍的侧壁和顶部。源极区形成在鳍的端部，必然与扩散势垒层相邻或接触。本领域技术人员可以合理推断，源极区是形成在包含扩散势垒层在内的器件结构表面上的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征M**：形成在所述扩散势垒区的所述表面上的漏极区<br>《隐含公开》 | 同上，关于漏极区。 | 理由同技术特征L。对比文件公开了漏极区，在具有扩散势垒层的结构中，其位置关系可合理推断。 |
| **技术特征N**：毗邻于所述源极区的第一浅沟槽隔离区<br>《隐含公开》 | 段落[0031]：“STI区708和710以及重掺杂区606的表面可以经由化学机械平坦化(CMP)工艺而被平坦化。”<br>段落[0004]提及FinFET用于减少芯片面积，通常需要隔离结构。 | 对比文件在制造工艺中提及了STI区（浅沟槽隔离区），这是FinFET中用于器件间隔离的常规结构。本领域技术人员知晓，为了隔离相邻器件，STI区必然会毗邻源极区和漏极区设置。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征O**：以及毗邻于所述漏极区的第二浅沟槽隔离区。<br>《隐含公开》 | 同上。 | 理由同技术特征N。对比文件隐含了在漏极区一侧也存在用于隔离的STI区。 |
| **技术特征P**：其特征在于，所述扩散势垒区介于所述沟道区和所述第一区域之间。<br>《直接公开》 | 段落[0039]：“이 제2 캡 층(152)은 핀(150)과 캡 층(151) 사이에 확산 배리어를 제공한다.”（该第二覆盖层(152)在鳍(150)和覆盖层(151)之间提供扩散势垒。） | 对比文件明确且直接地公开了第二覆盖层（扩散势垒区）位于鳍（第一区域）和第一覆盖层（沟道区）之间。 |
| **技术特征Q**：其特征在于，所述装置是平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。<br>《未公开》 | 对比文件全文均针对“FinFET”（鳍式场效应晶体管）进行描述（见标题及全文）。 | 对比文件公开的器件是FinFET，而非平面MOSFET。两者是不同类型的晶体管结构。 |
| **技术特征R**：其特征在于，所述装置是鳍式场效应晶体管(FinFET)。<br>《直接公开》 | 标题：“채널 두께를 제어하는 ＦＩＮＦＥＴ 설계”（控制沟道厚度的FinFET设计）<br>全文多处提及FinFET。 | 对比文件的主题即为FinFET的设计与制造，直接公开了该技术特征。 |
| **技术特征S**：包括：在基板的重掺杂区的表面上形成扩散势垒区，其中所述扩散势垒区是使用具有第一带隙能量的第一材料形成的<br>《直接公开》 | 段落[0040]：“제2 캡 층(152)은 ... 핀(150)과 캡 층(151) 사이에 확산 배리어를 제공한다. ... 제2 캡 층(152)은 ... AlGaAs 등과 같은 캐리어 배리어 물질들로부터 만들어진다.”（第二覆盖层(152)...在鳍(150)和覆盖层(151)之间提供扩散势垒。...第二覆盖层(152)由...AlGaAs等载流子势垒材料制成。）<br>结合制造工艺（如[0019]外延生长），该层是在鳍（重掺杂区）上形成的。 | 对比文件公开了在鳍（相当于重掺杂区）上形成作为扩散势垒的第二覆盖层，并公开了其由特定材料（如AlGaAs）形成。这对应于方法权利要求中的“形成扩散势垒区”步骤。材料具有特定带隙能量是其作为势垒材料的固有属性。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征T**：在所述扩散势垒区的表面上形成沟道区，其中所述沟道区使用具有低于所述第一带隙能量的第二带隙能量的第二材料形成<br>《隐含公开》 | 段落[0040]：“제2 캡 층(152)이 형성된 후, 제1 캡 층(151)은 제2 캡 층(152) 위에서 에피택셜 성장된다.”（在第二覆盖层(152)形成后，第一覆盖层(151)在第二覆盖层(152)上外延生长。）<br>段落[0018]关于带隙关系的原理。 | 理由与技术特征C类似。对比文件公开了在扩散势垒层（第二覆盖层）上形成第一覆盖层（沟道区）的步骤。结合其关于带隙关系的教导（[0018]），本领域技术人员能够合理推断，所形成的沟道区材料具有低于扩散势垒区材料的带隙能量。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征U**：蚀刻所述沟道区的特定区域以形成源极区和漏极区<br>《未公开》 | 对比文件描述了通过蚀刻鳍形成凹槽（리세스），然后在凹槽中外延生长源/漏区（见[0033]-[0035]），或者通过离子注入形成源/漏区（见[0027]）。 | 对比文件形成源/漏区的方法并非直接“蚀刻沟道区的特定区域”。其工艺可能涉及对鳍或覆盖层等不同区域的蚀刻，与目标专利限定的具体蚀刻对象和步骤存在差异，本领域技术人员不能直接且毫无疑义地得出该特定步骤。 |
| **技术特征V**：以及形成背栅触点，所述背栅触点延伸到所述基板的所述重掺杂区中。<br>《隐含公开》 | 段落[0041]：“핀(150)은 또한 FinFET의 임계 전압의 조절을 가능하게 해주도록 기판(110)을 거쳐 바이어스될 수 있다.”（鳍(150)也可以通过基板(110)被偏置，以使得能够调节FinFET的阈值电压。） | 理由与技术特征D类似。为了实现通过基板对重掺杂区（鳍）的偏置，本领域技术人员必然需要执行“形成背栅触点，该触点延伸到重掺杂区中”这一制造步骤。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征W**：进一步包括形成耦合到所述重掺杂区的背栅触点。<br>《隐含公开》 | 同上（段落[0041]）。 | 此特征与技术特征V实质相同，均指向形成背栅触点。基于相同的理由，被隐含公开。 |
| **技术特征X**：其特征在于，所述扩散势垒区陷住来自所述重掺杂区的掺杂物。<br>《直接公开》 | 段落[0039]：“이 제2 캡 층(152)은 핀(150)과 캡 층(151) 사이에 확산 배리어를 제공한다.”（该第二覆盖层(152)在鳍(150)和覆盖层(151)之间提供扩散势垒。） | “扩散势垒”的核心功能就是阻止或“陷住”掺杂物的扩散。对比文件明确公开了第二覆盖层作为“확산 배리어”（扩散势垒），其作用正是陷住来自鳍（重掺杂区）的掺杂物，防止其向沟道区扩散。 |
| **技术特征Y**：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较低界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是砷化镓或者砷化铟镓，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。<br>《未公开》 | 对比文件未具体说明掺杂物被陷住在扩散势垒区的“较低界面”还是“较高界面”。也未限定当第一材料是GaAs/InGaAs时，第二材料必须是AlAs/InAlAs。 | 该技术特征包含了非常具体的界面位置和材料组合限定。对比文件完全没有涉及这些具体内容，无法直接或隐含地得出。 |
| **技术特征Z**：其特征在于，所述扩散势垒区在所述扩散势垒区的较高界面处陷住所述掺杂物，以及其中所述第一材料是硅，并且所述第二材料是砷化铝或砷化铟铝。<br>《未公开》 | 对比文件未具体说明掺杂物被陷住在扩散势垒区的“较高界面”。也未限定当第一材料是硅时，第二材料必须是AlAs/InAlAs。其公开的示例中，当鳍（第一区域）为硅时，扩散势垒材料提及的是碳掺杂或SiGe（见[0040]）。 | 该技术特征包含了非常具体的界面位置和材料组合限定。对比文件完全没有涉及这些具体内容，无法直接或隐含地得出。 |
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