对比文件名称：2008-01-31_DE60036594T_发明专利_DE60036594T2 Field effect semiconductor device
目标专利名称：具有扩散势垒区的晶体管CN105981145B
本次调用模型名称：深度分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（已翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...ein p-leitendes Si-Substrat 10...”（一个p型导电的硅衬底10...） | 对比文件明确公开了其半导体器件包括一个衬底（例如p型硅衬底10），这是任何半导体器件的基本组成部分，其作用是为器件提供物理支撑和电气基础，与目标专利中基板的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了“包括：基板”这一技术特征。 |
| **技术特征B**《隐含公开》 | 说明书第[0105]段：“...einen Si-Film 18, der ungefähr 0,1% C (Kohlenstoff) enthält, ... Diese Ausführungsform unterbindet die n--Si-Schicht 28, die 0,01% bis 2%, beispielsweise 0,1%, Kohlenstoff enthält, eine Diffusion der Verunreinigungen aus dem Si-Körper-Bereich 22 zu dem SiGe-Kanal-Bereich 24.”（...一个包含约0.1% C（碳）的Si薄膜18... 该实施例中，包含0.01%至2%（例如0.1%）碳的n--Si层28阻止了杂质从Si体区22向SiGe沟道区24的扩散。） | 对比文件为了实现在体区高掺杂、沟道区低掺杂的分布下抑制杂质扩散的目的，明确教导了在体区（对应于目标专利的“第一区域”）和沟道区之间设置一层包含碳（C）的Si层（Si-Film 18或n--Si-Schicht 28），其作用正是“防止杂质扩散”（Anti-Diffusionsschicht）。虽然该层材料（含碳硅）与目标专利列举的III-V/II-VI族材料不同，但其在器件结构中的位置（在重掺杂体区表面之上）和核心功能（作为扩散势垒，阻止掺杂剂从下方重掺杂区向上方沟道区扩散）与目标专利的“扩散势垒区”完全相同。本领域技术人员阅读对比文件后，能够合理推断出使用一个具有特定材料特性的层来充当扩散势垒，因此该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**《隐含公开》 | 说明书第[0079]段：“...einen SiGe-Film 14... Ein Kanal-Bereich 24 aus SiGe...”（...一个SiGe薄膜14... 一个由SiGe构成的沟道区24...）；第[0105]段（见上）。 | 对比文件公开了在防扩散层（Si-C层）的表面上形成由SiGe构成的沟道区。SiGe的带隙能量低于其下方的Si体区材料（第一区域）的带隙能量。同时，防扩散层（Si-C层）的带隙能量理论上高于SiGe（因为SiC的带隙大于Si和SiGe）。因此，对比文件实质上公开了“在扩散势垒区表面形成沟道区，且沟道区材料的带隙能量低于扩散势垒区材料的带隙能量”这一结构关系和技术效果。本领域技术人员能够从对比文件公开的“防扩散层+低带隙沟道”的组合中直接且合理地推断出该技术特征。 |
| **技术特征D**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...ein Kontakt 26 als Leiterelement, das die Gate-Elektrode 17 und den Si-Körperbereich 22 elektrisch miteinander verbindet...”（...一个作为导电元件的接触26，其将栅电极17和Si体区22电连接...）；图3B、3C。 | 对比文件明确公开了通过接触（Kontakt 26）将栅电极与体区（Si-Körperbereich 22）电连接。当栅电极和体区短路时，体区即充当背栅。该接触结构必然延伸到体区中以实现电学耦合。这与目标专利中“耦合到基板第一区域的背栅触点”的作用完全相同，都是为了提供独立的背栅控制。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...ein Körper-Bereich aus Si 22, der n-leitende Verunreinigungen mit hoher Konzentration enthält... Ein Kanal-Bereich 24 aus SiGe, der n-leitende Verunreinigungen mit relativ geringer Konzentration enthält...”（...一个包含高浓度n型杂质的Si体区22... 一个包含相对较低浓度n型杂质的SiGe沟道区24...） | 对比文件明确且反复强调了体区（第一区域）具有高杂质浓度（如约1x10^19 atoms/cm³），而沟道区具有较低的杂质浓度（如约1x10^17 atoms/cm³）。这直接公开了“第一区域具有比沟道区更高的掺杂浓度”这一特征。 |
| **技术特征F**《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件中的防扩散层（Anti-Diffusionsschicht）材料是含有碳（C）的硅（Si），属于IV族元素构成的材料或IV-IV族化合物（SiC），并非III-V族或II-VI族复合物。目标专利对此有明确的材料类别限定，对比文件未公开该特定材料类别。 |
| **技术特征G**《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件未提及砷化铝（AlAs）或砷化铟铝（InAlAs）作为防扩散层的材料。 |
| **技术特征H**《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件的沟道区材料是SiGe（硅锗），而非目标专利限定的砷化镓（GaAs）或砷化铟镓（InGaAs）。 |
| **技术特征I**《隐含公开》 | 说明书第[0079]段（见特征E引用），以及第[0086]段：“Um den HDTMOS mit einer hohen Konzentration an Verunreinigungen in dem Si-Körper-Bereich 22 und einer geringen Konzentration an Verunreinigungen in dem SiGe-Kanal-Bereich 24 herzustellen...”（为了制造具有Si体区22高杂质浓度和SiGe沟道区24低杂质浓度的HDTMOS...） | 对比文件明确描述了其器件的制造目标和技术效果是在体区实现高掺杂、在沟道区实现低掺杂，并且通过防扩散层来维持这种陡峭的掺杂分布。这正是一种“超锐逆掺杂分布”（super-steep retrograde doping profile）的典型特征。本领域技术人员能够从对比文件强调的高-低掺杂浓度分布及其作用中，合理推断出该器件是基于超锐逆掺杂分布来掺杂的。 |
| **技术特征J**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...einen Gate-Isolatorfilm 16, der auf einem Siliziumoxidfilm gebildet ist...”（...一个基于氧化硅形成的栅绝缘膜16...） | 对比文件公开了在沟道区（通过覆盖层）的表面上形成栅绝缘膜（Gate-Isolatorfilm 16，例如SiO2），该层即相当于目标专利中的介电层。其作用都是将栅极与沟道隔离。因此被直接公开。 |
| **技术特征K**《未公开》 | 说明书第[0079]段提到“Gate-Elektrode 17”，但未限定其材料为金属。在半导体制造领域，栅电极传统上可以是多晶硅。 | 对比文件虽然公开了栅电极（Gate-Elektrode），但未明确说明该栅电极是“金属栅极”。其说明书和权利要求中并未将栅电极材料限定为金属。因此，不能认为直接或隐含公开了“金属栅极”这一特定特征。 |
| **技术特征L**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...Source-Bereich 20a...”（...源区20a...） | 对比文件明确公开了在器件中形成源极区（Source-Bereich）。其作用与目标专利相同。 |
| **技术特征M**《直接公开》 | 说明书第[0079]段：“...Drain-Bereich 20b...”（...漏区20b...） | 对比文件明确公开了在器件中形成漏极区（Drain-Bereich）。其作用与目标专利相同。 |
| **技术特征N**《隐含公开》 | 说明书第[0079]段：“...ein vergrabener Oxidfilm 11...”（...埋氧层11...）及图3B所示的隔离结构。虽然未明确使用“浅沟槽隔离”一词，但SOI结构中的埋氧层（BOX）和可能存在的浅槽隔离是实现器件间隔离的常规手段。 | 对比文件器件基于SOI（绝缘体上硅）衬底，其本身就包含了用于隔离的埋氧层（vergr. Oxidfilm）。在集成电路制造中，为了隔离相邻器件，通常还会使用浅沟槽隔离（STI）。本领域技术人员结合公知常识，能够合理推断出在源极区附近会存在隔离区（如STI或利用SOI结构的隔离）以防止寄生泄漏。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征O**《隐含公开》 | 同上。 | 理由同技术特征N。本领域技术人员能够合理推断出在漏极区附近也存在隔离区。 |
| **技术特征P**《隐含公开》 | 结合特征B和C的引用内容及图4、13。 | 从对比文件图4、13及文字描述可知，防扩散层（如Si-Film 18/28）位于重掺杂的Si体区（第一区域）和低掺杂的SiGe沟道区之间。这直接对应于“扩散势垒区介于沟道区和第一区域之间”的结构特征。 |
| **技术特征Q**《隐含公开》 | 说明书全文描述了一种场效应晶体管（FET），图3A-3C展示的是一种平面结构。 | 对比文件所描述的器件（HDTMOS）是一种金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET/MOSFET），且从其截面图（图3B， 3C）可以看出，其沟道是平面型的。因此，本领域技术人员可以确定其公开的是一种平面MOSFET。 |
| **技术特征R**《未公开》 | 无相应内容。 | 对比文件的说明书和附图中均未描述或展示任何具有鳍（Fin）结构的三维晶体管（FinFET）。 |
| **技术特征S**《隐含公开》 | 结合特征B的引用及说明书第[0105]段关于形成防扩散层的描述，以及制造工艺的整体上下文。 | 对比文件为了抑制扩散，描述了在衬底的重掺杂体区（对应于“重掺杂区”）上形成一层包含碳的硅层作为防扩散层。这公开了“在基板的重掺杂区的表面上形成扩散势垒区”的工艺步骤。 |
| **技术特征T**《隐含公开》 | 结合特征C的引用及说明书第[0079]段关于外延生长SiGe沟道的描述。 | 对比文件公开了在防扩散层上通过外延生长形成SiGe沟道区。这对应于“在扩散势垒区的表面上形成沟道区”的步骤。 |
| **技术特征U**《直接公开》 | 说明书第[0079]段描述了源漏区20a， 20b位于栅极两侧，这必然涉及对沟道区特定区域的蚀刻和掺杂以形成源漏区。 | 形成MOSFET的标准工艺包括对栅极两侧的沟道区进行蚀刻和重掺杂以形成源极和漏极区。对比文件公开了具有源区和漏区的完整晶体管结构，本领域技术人员能够毫无疑义地推断出这一工艺步骤的存在。 |
| **技术特征V**《直接公开》 | 结合特征D的引用。 | 对比文件明确公开了形成将栅电极与体区连接的接触（Kontakt 26），该接触延伸到体区中，这相当于形成了“延伸到基板重掺杂区中的背栅触点”。 |
| **技术特征W**《直接公开》 | 同特征D、V。 | 同特征D、V的论述。对比文件直接公开了形成耦合到重掺杂体区的背栅触点。 |
| **技术特征X**《隐含公开》 | 说明书第[0105]段：“...unterbindet ... eine Diffusion der Verunreinigungen aus dem Si-Körper-Bereich 22 zu dem SiGe-Kanal-Bereich 24.”（...阻止...杂质从Si体区22到SiGe沟道区24的扩散。） | 对比文件明确指出其防扩散层（Anti-Diffusionsschicht）的功能是阻止或抑制（unterbindet）杂质从体区向沟道区的扩散。这等价于“陷住来自重掺杂区的掺杂物”。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **技术特征Y**《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了特定的材料组合（第一材料是GaAs或InGaAs，第二材料是AlAs或InAlAs）及势垒在“较低界面”陷住杂质的具体机制。对比文件的材料体系（Si/SiGe/Si-C）完全不同，且未提及在特定界面陷住杂质的机制。因此未被公开。 |
| **技术特征Z**《未公开》 | 无相应内容。 | 该特征限定了特定的材料组合（第一材料是Si，第二材料是AlAs或InAlAs）及势垒在“较高界面”陷住杂质的具体机制。对比文件虽然使用Si作为第一区域材料，但其第二材料（沟道）是SiGe，扩散势垒是Si-C，并非AlAs或InAlAs，也未提及所述机制。因此未被公开。 |
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