对比文件名称：2001-07-27_JP2001203386A_发明专利_JP2001203386A Group iii nitride ligh-emitting device with raised light generation capability
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | [0019]：“図６（ｂ）に示した断面図において、このデバイスは、III−窒化物エピタキシャルヘテロ構造のｎ型層及びドープされていない層１１及びｐ型層１２を含んでおり、これらは活性領域１３と接している。III−窒化物層１１は、選択的に、透明のスーパーストレート１０に付着させる。スーパーストレート１０は、III−窒化物層を堆積させるための成長サブストレートとすることができる。” | 对比文件明确公开了在超级衬底（生长基板）上生长III-氮化物半导体结构，与技术特征A一致。 |
| 特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 同上 [0019]：“ｎ型層及びドープされていない層１１及びｐ型層１２を含んでおり、これらは活性領域１３と接している。” | 对比文件公开了半导体结构包括n型层、p型层和位于它们之间的活性区域（发光层），与特征B一致。 |
| 特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | [0019]：“電極のメタライゼーションは、相互接続６０を介して下部マウント基板５０上の下部マウント電極５２につながる。” | 对比文件公开了通过互连将LED芯片附着到下部基板（载体），与特征C一致。 |
| 特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《隐含公开》 | [0020]：“ＬＥＤと下部マウントの間の任意のアンダーフィル材料の熱伝導性は非常に小さく、例えば２．０Ｗ／ｍＫよりも小さい。” 以及图20步骤102：“選択的にＬＥＤチップと下部マウントとの間にアンダーフィルが注入される。” | 对比文件公开了在LED和下部基板之间任选地注入underfill材料，但未明确说明是电绝缘的。然而，本领域技术人员知道underfill通常是电绝缘的，因此隐含公开了电绝缘底部填料。 |
| 特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《隐含公开》 | 同上。 | 对比文件虽未明确说明，但本领域技术人员可以理解underfill材料填充间隙后可以提供机械支撑，从而形成刚性支撑，因此隐含公开。 |
| 特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有提及移除生长基板，相反其方案保留基板作为超级衬底，因此未公开。 |
| 特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 《隐含公开》 | 同上。 | 对比文件未明确描述引入方式，但本领域公知underfill通常以液态形式注入，然后固化，因此隐含公开。 |
| 特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《隐含公开》 | 同上。 | 本领域技术人员知道underfill需要固化，因此隐含公开。 |
| 特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《未公开》 | 无。 | 对比文件提到的underfill是在附着后注入的，没有预先形成刚性层，因此未公开。 |
| 特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开在刚性底部填料层中形成开口，因此未公开。 |
| 特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《直接公开》 | [0040]：“ステップ９２では、III−窒化物ヘテロ構造の上にコンタクトを設け、必要に応じてエッチングする。” 结合[0013]：“ｎ電極の複数の「指（フィンガー）」が必要となる。” | 对比文件公开了通过蚀刻暴露n型层以形成n电极（指状电极），这是在附着到载体之前进行的，因此直接公开。 |
| 特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | [0019]：“ｐ電極のメタライゼーション２０”和“ｎ電極２２”。 | 对比文件明确公开了形成p电极和n电极，分别与p型和n型区电连接，与特征L一致。 |
| 特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | [0019]：“相互接続６０を介して下部マウント基板５０上の下部マウント電極５２につながる。” | 对比文件公开了互连将LED电极连接到载体上的金属层，与特征M一致。 |
| 特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开互连耦合到底部表面（虽结构上如此），也未公开距离小于50微米，因此未公开。 |
| 特征O：其中该底部填料包括有机材料 《隐含公开》 | 无。 | 本领域技术人员知道底部填料通常使用有机材料，如环氧树脂，因此隐含公开。 |
| 特征P：其中该底部填料包括无机材料 《隐含公开》 | 无。 | 底部填料中可包含无机填料以调节热膨胀系数等，因此隐含公开。 |
| 特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《隐含公开》 | 无。 | 环氧树脂是常见底部填料材料，因此隐含公开。 |
| 特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《隐含公开》 | 无。 | 硅树脂也是可能的底部填料材料，因此隐含公开。 |
| 特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《隐含公开》 | 无。 | 在底部填料中添加无机颗粒是常见做法，因此隐含公开。 |
| 特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | [0019]：“Ａｕのスタッドパンプ（stud-bump）”。 | 对比文件明确提到了金作为互连材料，因此直接公开。 |
| 特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有提到超声焊接，因此未公开。 |
| 特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | 全文多处提及“ソルダー”，例如[0019]：“ソルダー材料６０”。 | 对比文件明确使用焊料作为互连，因此直接公开。 |
| 特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 标题及[0001]：“III−窒化物”系材料；[0019]中使用透明超级衬底，蓝宝石是典型例子。 | 对比文件公开了III-氮化物半导体结构，超级衬底可以是蓝宝石，因此直接公开。 |
| 特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开移除基板，更无激光解离，因此未公开。 |
| 特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| 特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《未公开》 | 无。 | 对比文件没有公开移除基板，也没有蚀刻移除，因此未公开。 |
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