对比文件名称：2005-01-13_US2005006754A_发明申请_US20050006754A1 ELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING SAME USING NANOTUBE REGIONS TO ASSIST IN THERMAL HEAT-SINKING
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：当前模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) **《直接公开》** | [0018] “The light emitting diode 10 includes a transparent substrate 12 and active layers 14, 16, 18 deposited on the substrate 12. In one suitable embodiment, the transparent substrate is sapphire or silicon carbide, and the active layers 14, 16, 18 are deposited by metal-organic chemical vapor deposition...” 翻译：发光二极管10包括透明衬底12和沉积在衬底12上的有源层14,16,18。在一个合适的实施例中，透明衬底是蓝宝石或碳化硅，有源层14,16,18通过金属有机化学气相沉积沉积。 | 对比文件直接公开了在生长基板（透明衬底12）上生长半导体结构（有源层14,16,18），该结构构成半导体发光器件。该特征与目标专利中生长基板上生长半导体结构的作用相同，均为后续处理提供基础。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 **《直接公开》** | [0018] “The active layers 14, 16, 18 define a GaN-based p-on-n or n-on-p light emitting diode structure in which the layers 14, 18 are of opposite conductivity type and the interposed layer 16 defines an electron-hole pair recombination region at which electrons and holes from the outer layers 14, 18 recombine.” 翻译：有源层14,16,18限定一个基于GaN的p-on-n或n-on-p发光二极管结构，其中层14,18是相反导电类型，插入的层16限定电子-空穴对复合区，来自外层14,18的电子和空穴在此复合。 | 对比文件直接公开了层14和18为相反导电类型（n型和p型），层16为发光层（复合区），即发光层置于n型区和p型区之间。该特征与目标专利中发光层位于n型与p型区之间的结构完全相同。因此，技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) **《直接公开》** | [0022] “Disposed on each of the conductive layers 34, 36 is a bonding bump 40, 42, respectively. The bonding bumps 40, 42 are arranged to conform with an arrangement of the electrodes 20, 22 of the light emitting diode 10.” 以及[0024] “The light emitting diode die 10 is shown in position for die-bonding, but before bonding. ... the die bonding is performed by thermosonic gold-to-gold bonding...” 翻译：设置在导电层34,36上的是键合凸块40,42。键合凸块40,42被布置成与发光二极管10的电极20,22的布局一致。...热超声金-金键合。图1显示半导体结构通过凸块附着到支撑组件30。 | 对比文件直接公开了通过导电互连（键合凸块40,42）将半导体结构（LED管芯10）附着到载体（支撑组件30），凸块提供导电连接和机械附着。该特征与目标专利中通过导电互连附着到载体的方式及作用相同。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料或绝缘填充材料。 | 对比文件没有描述任何在半导体结构与载体之间的空腔中引入电绝缘底部填料的技术内容，也没有给出任何暗示。因此，技术特征D未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料及其支撑作用。 | 对比文件没有公开底部填料，更未公开其通过填充间隙提供刚性支撑的功能。因此，技术特征E未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) **（未公开）** | 对比文件全文未提及移除生长基板。在倒装芯片结构中，透明衬底保留作为出光面。 | 对比文件没有公开任何移除生长基板的步骤，激光解离更是未涉及。因此，技术特征F未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开引入底部填料的具体方式，更未涉及液态底部填料材料。因此，技术特征G未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开任何底部填料的固化步骤。因此，技术特征H未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开预先形成刚性底部填料层的任何内容。因此，技术特征I未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开在刚性底部填料层中形成开口的技术特征。因此，技术特征J未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 **《直接公开》** | [0020] “The active layers 14, 16, 18 are processed, preferably lithographically, to define a mesa including the topmost layers 16, 18. Electrodes , are formed off and on the mesa to electrically contact the layers 14, 18, respectively.” 结合[0018]中层14为n型，层18为p型，层16为发光层。翻译：有源层14,16,18被处理，优选通过光刻，以限定台面，该台面包括最顶层16,18。电极20,22在台面外和台面上形成，以分别电接触层14,18。 | 对比文件直接公开了通过光刻蚀刻形成台面，台面包括p型层18和发光层16，从而暴露了n型层14的一部分。该蚀刻步骤发生在附着之前，与目标专利中蚀刻掉p型区和有源区一部分以暴露n型区的步骤一致。因此，技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 **《直接公开》** | [0020] “Electrodes , are formed off and on the mesa to electrically contact the layers 14, 18, respectively.” 以及图1示出电极20在n型层14上，电极22在p型层18上。翻译：电极20,22在台面外和台面上形成，以分别电接触层14,18。 | 对比文件直接公开了形成与n型区（层14）电接触的n接触（电极20）和与p型区（层18）电接触的p接触（电极22）。该特征与目标专利完全相同。因此，技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 **《直接公开》** | [0022] “Disposed on each of the conductive layers 34, 36 is a bonding bump 40, 42, respectively. The bonding bumps 40, 42 are arranged to conform with an arrangement of the electrodes 20, 22 of the light emitting diode 10.” 以及图1显示导电层34,36在载体30上，键合凸块40,42连接导电层和电极。翻译：设置在导电层34,36上的是键合凸块40,42。键合凸块40,42被布置成与发光二极管10的电极20,22的布局一致。 | 对比文件直接公开了互连（键合凸块）将载体上形成的金属层（导电层34,36）连接到n接触或p接触（电极20,22中的一个）。该特征与目标专利中互连连接载体金属层到接触之一的作用相同。因此，技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 **（未公开）** | 对比文件提到了互连耦合到半导体结构的底部表面（倒装芯片），但未提及任何距离数值。 [0037]提到纳米管平均长度约120-150微米，但未明确凸块高度与距离的关系。 | 对比文件虽然公开了互连耦合到底部表面，但未公开半导体结构顶部表面与载体顶部表面之间的距离，更没有公开小于50微米的限定。该距离通常由互连高度决定，而对比文件暗示的纳米管长度远大于50微米，不能合理推断出小于50微米。因此，技术特征N未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开底部填料的材料组成。因此，技术特征O未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开底部填料的材料组成。因此，技术特征P未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开底部填料的材料组成。因此，技术特征Q未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开底部填料的材料组成。因此，技术特征R未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 **（未公开）** | 对比文件全文未提及底部填料。 | 对比文件没有公开任何底部填料及其填充物。因此，技术特征S未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 **《直接公开》** | [0024] “...a gold die-bonding layer 66” 以及 “...the bonding bump gold layers 66 contacting the corresponding electrode gold layers 26 of the light emitting diode 10.” 翻译：...金die-bonding层66，以及...键合凸块金层66接触相应的发光二极管10的电极金层26。 | 对比文件直接公开了互连（键合凸块）包括金层，金是导电互连的组成部分。因此，技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 **《直接公开》** | [0024] “...the die bonding is performed by thermosonic gold-to-gold bonding in which the support assembly 30 is heated to about 150° C. with the bonding bump gold layers 66 contacting the corresponding electrode gold layers 26 of the light emitting diode 10. Upon application of ultrasonic energy, the gold layers 26, 66 bond...” 翻译：die键合通过热超声金-金键合进行，其中支撑组件30被加热到约150°C，键合凸块金层66接触发光二极管10的相应电极金层26，施加超声能量后，金层26,66键合。 | 对比文件直接公开了通过施加超声能量进行键合（超声焊接），这正是目标专利中“超声焊接”的附着方式。因此，技术特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 **《直接公开》** | [0024] “Although thermosonic bonding is preferred, soldering or other die-bonding techniques are optionally employed in the die-bonding.” 翻译：虽然热超声键合是优选的，但也可以选择使用焊接或其他die键合技术。 | 对比文件直接公开了互连可以采用焊料作为可选方案，即互连包括焊料。因此，技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 **《直接公开》** | [0018] “...the transparent substrate is sapphire or silicon carbide, and the active layers 14, 16, 18 are deposited by ... define a GaN-based p-on-n or n-on-p light emitting diode structure...” 翻译：透明衬底是蓝宝石或碳化硅，有源层限定基于GaN的发光二极管结构。 | 对比文件直接公开了半导体结构是基于GaN（III-氮化物）的，生长基板可以是蓝宝石。因此，技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 **（未公开）** | 对比文件全文未提及移除生长基板。 | 对比文件没有公开任何移除步骤，更未提及激光解离。因此，技术特征X未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 **（未公开）** | 对比文件全文未提及激光解离。 | 对比文件没有公开任何激光扫描或激光解离步骤。因此，技术特征Y未被直接公开或隐含公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 **（未公开）** | 对比文件全文未提及移除生长基板。 | 对比文件没有公开任何蚀刻移除步骤。因此，技术特征Z未被直接公开或隐含公开。 |
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