## 对比文件名称
2002-04-02_US6365429B_发明授权_US06365429B1 Method for nitride based laser diode with growth substrate removed using an intermediate substrate
## 目标专利名称
1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
## 本次调用的模型名称
Claude 3.5 Sonnet
## 特征比对表格
| 技术特征（公开性判断） | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110)（直接公开） | 对比文件说明书第4页（摘要及具体实施方式）：“InGaAlN异质结构晶圆600通过MOCVD在绝缘衬底215上生长。绝缘衬底215通常是Al₂O₃。”以及图10：“在蓝宝石衬底215上生长的双点InGaAlN激光二极管结构1000。” | 对比文件明确公开了在蓝宝石生长基板上生长III-氮化物半导体结构，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层（直接公开） | 对比文件说明书第2页（图2描述）：“p-GaN盖层220位于p-AlGaN包层225之上。有源区是InGaN层230，具有多量子阱结构，位于n-AlGaN包层235上。层210是n-GaN。” | 对比文件明确公开了半导体结构包含n型层、有源层、p型层，有源层位于n型和p型之间，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30)（直接公开） | 对比文件说明书第10页（图11e描述）：“沉积焊料层1141（例如In或PbSn）以将衬底1138连接到半导体膜1110。”以及“可以使用Au-Au热压键合将半导体膜1110键合到衬底1138。” | 对比文件公开了通过焊料或Au-Au等导电互连将半导体膜附着到载体（导热衬底），因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44)（无公开） | 对比文件全文未提及任何电绝缘底部填料。 | 对比文件未公开底部填料，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10)（直接公开） | 对比文件说明书第9页（图11b描述）：“将衬底215和半导体膜1110暴露于紫外准分子激光1120。适当调整准分子激光可以分解蓝宝石衬底215和半导体膜1110界面处的薄GaN层1130。” | 对比文件明确公开了通过激光解离移除生长基板，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区（直接公开） | 对比文件说明书第6页（图7a-7e描述）：“使用CAIBE或RIE在Ar/Cl₂/BCl₃混合气体中干法蚀刻图7b所示的台面结构。”以及“图7d显示了沉积n-metal 720的结果。”这些蚀刻步骤在附着到载体之前进行，暴露了n-GaN层。 | 对比文件明确公开了在附着之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分以暴露n型区，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触（直接公开） | 对比文件说明书第6页（图7d、图11d、图14a等）：“图7d显示了沉积n-metal 720... p-metal层710...”；“图11d显示了沉积n-metal层1117，通常为钛/铝...”；“图14a...公共p接触1422蒸发在衬底1138上。” | 对比文件明确公开了形成n接触和p接触，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个（直接公开） | 对比文件说明书第11页（图14a-14b，图15a-15b）：“公共p接触1422蒸发在衬底1138上...沉积焊料层1141以将衬底1138连接到半导体膜1110。”；“金属接触垫1530沉积在介电隔离层1509上...图案化的焊料层1541沉积在金属接触垫1530上以将衬底1138连接到半导体膜1110。” | 对比文件公开了载体上形成金属层，并通过焊料等互连连接到半导体膜上的接触，因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米（隐含公开） | 对比文件说明书第11页（图14描述）：“将衬底1138键合到半导体膜1110的与蓝宝石衬底215附着侧相对的一侧，可以实现优异的散热，因为导热衬底1138距离有源区230仅约1μm。”以及半导体膜厚度通常小于50μm。 | 虽然未明确给出顶部表面距离数值，但根据有源区距载体仅1μm，且半导体膜总厚度通常远小于50μm，本领域技术人员可合理推断该距离小于50μm，因此技术特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒（无公开） | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料，因此技术特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金（直接公开） | 对比文件说明书第10页（图11e描述）：“金属接触层1121通常由钛/金制成”；“Au-Au热压键合”；“可施加薄金膜以防止氧化。” | 对比文件明确公开了互连包含金，因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着（无公开） | 对比文件提及的附着方式包括焊料键合、Au-Au热压键合，未提及超声焊接。 | 对比文件未公开超声焊接，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料（直接公开） | 对比文件说明书第10页（图11e描述）：“沉积焊料层1141，例如In或PbSn”；图14a：“焊料层1141”；图15a：“焊料层1541”。 | 对比文件明确公开了互连包括焊料，因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石（直接公开） | 对比文件摘要及说明书：“InGaAlN激光二极管结构”；“蓝宝石衬底215”；“InGaAlN异质结构晶圆600通过MOCVD在绝缘衬底215上生长，绝缘衬底215通常是Al₂O₃。” | 对比文件明确公开了半导体结构是III-氮化物，生长基板是蓝宝石，因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除（直接公开） | 同技术特征F，图11b描述。 | 对比文件明确公开了通过激光解离移除生长基板，因此技术特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面（直接公开） | 对比文件说明书第9页（图11b描述）：“可以通过将激光束扫描穿过区域表面来暴露更大的区域。” | 对比文件明确公开了使用激光扫描生长基板表面进行激光解离，因此技术特征Y被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除（无公开） | 对比文件未提及通过蚀刻移除整个生长基板。 | 对比文件未公开通过蚀刻移除生长基板，因此技术特征Z未被公开。 |
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