对比文件名称：2003-06-10_US6576488B_发明授权_US06576488B2 Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：DeepSeek-Plus
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分（图3A说明）：“LED芯片10包括形成在基板14上的n型区16。基板14可以包括非导电材料如蓝宝石、未掺杂的碳化硅等。有源区18形成在n型区16上，p型区22形成在有源区18上。” | 对比文件明确公开了LED芯片（半导体结构）在基板（生长基板）上生长，且基板可为蓝宝石，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 —— **直接公开** | 同上，对比文件公开：“有源区18形成在n型区16上，p型区22形成在有源区18上。” | 对比文件直接公开了有源区（发光层）位于n型区和p型区之间，与技术特征B相同。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分：“LED芯片10通过连接手段52安装到基座28上。连接手段52可以是任何常规粘合剂或金属凸点，例如焊料、金或铝凸点，在示例中称为金属凸点52。” | 对比文件公开了LED芯片通过金属凸点（导电互连）附着到基座（载体），金属凸点即为导电互连，因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) —— **未公开** | 无 | 对比文件未记载在半导体结构与载体之间的空腔中引入任何电绝缘底部填料，也没有提及底部填料或其引入步骤，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开底部填料，也未提及利用填料提供刚性支撑，因此未公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) —— **未公开** | 无 | 对比文件未涉及任何移除生长基板的步骤，更没有激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开底部填料，更未公开液态底部填料的放置方式，因此未公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开底部填料，也未涉及固化步骤，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开预形成刚性底部填料层，因此未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开任何底部填料层中的开口，因此未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分：“p型区22、有源区18和n型区16的一部分被蚀刻掉，以暴露n型区16的一部分。” | 对比文件直接公开了在附着到载体之前（芯片制造过程中）蚀刻部分p型区、有源区和n型区以暴露n型区，与技术特征K相同。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分：“p接触20b沉积在p型区22上，n接触20a沉积在n型区16的暴露部分上。” | 对比文件直接公开了形成n接触和p接触，分别与n型区和p型区电气连接，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 —— **直接公开** | 对比文件图4A说明：“绝缘层60上沉积接触层62，金属凸点52形成在接触层62上。”以及LED芯片的n接触和p接触与金属凸点连接。 | 对比文件公开了载体上的金属层（接触层62）通过金属凸点（互连）连接到LED芯片的接触，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 —— **未公开** | 无 | 对比文件未提及互连耦合到半导体结构底部表面的具体位置，也未设定半导体结构顶部表面与载体顶部表面的距离，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开底部填料，更未公开其材料成分，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 —— **未公开** | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 —— **未公开** | 无 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 —— **未公开** | 无 | 未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 —— **未公开** | 无 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分：“金属凸点52可以由例如金、焊料或铝制成。” | 对比文件明确公开了互连（金属凸点）包括金，因此直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 —— **未公开** | 无 | 对比文件仅笼统提及“安装”或“连接”，未限定具体附着方式，更未提及超声焊接，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 —— **直接公开** | 同上，对比文件公开：“金属凸点52可以由例如金、焊料或铝制成。” | 对比文件明确公开了互连包括焊料，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 —— **直接公开** | 对比文件详细描述部分：“n型区16、有源区18和p型区22通常是具有通式AlxGayIn1-x-yN的多层结构。”以及“基板14可以包括非导电材料如蓝宝石。” | 对比文件直接公开了半导体结构为III-氮化物材料，且基板可为蓝宝石，与技术特征W一致。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 —— **未公开** | 无 | 对比文件未涉及任何移除基板的步骤，更未提及激光解离，因此未公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开任何激光扫描基板表面的内容，因此未公开。 |
| 技术特征Z：移除包括通过蚀刻进行移除 —— **未公开** | 无 | 对比文件未公开移除基板，也未提及蚀刻移除，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<K>>><<<L>>><<<M>>><<<T>>><<<V>>><<<W>>>