对比文件名称：WO03094220A1_Description_20260712_1549
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
模型名称：AI模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（日文翻译为中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 【隐含公开】 | “如图1所示，半导体装置1具有将作为半导体发光元件的激光二极管2搭载在基座3上的结构。” | 激光二极管通常在生长基板上生长形成半导体结构，本领域技术人员可合理推断出对比文件隐含公开了提供在生长基板上生长的半导体结构。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 【隐含公开】 | 同上，提及“激光二极管2”。 | 激光二极管作为半导体发光元件，必然包含置于n型区和p型区之间的发光层，本领域技术人员可合理推断。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 【直接公开】 | “激光二极管和基座之间通过焊料层连接。” | 对比文件明确记载了激光二极管通过焊料层（导电互连）附着到基座（载体），因此直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 【未公开】 | 无相关内容。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料及其支撑作用。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及移除生长基板。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体和半导体结构之间 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及半导体结构内部处理。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及接触形成。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 【隐含公开】 | “作为电极层的金（Au）膜6”以及“激光二极管和基座之间通过焊料层连接。” | 对比文件公开了载体上形成有金属层，并通过焊料层将激光二极管连接到载体，该焊料层必然连接到激光二极管的n接触或p接触之一，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及距离参数。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及底部填料。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 【直接公开】 | “作为焊料层的材料，...金锡系焊料...” | 对比文件明确记载了金锡系焊料，金锡焊料包含金，因此直接公开了互连包括金。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及超声焊接。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 【直接公开】 | 多次提到“焊料层”，例如“激光二极管和基座之间通过焊料层连接。” | 对比文件明确记载了互连是焊料层，因此直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 【未公开】 | “作为本发明的半导体发光元件的材料，可以举出例如GaAs、InP、GaN等化合物半导体。” | 对比文件公开了GaN（III-氮化物），但未公开生长基板是蓝宝石，因此未公开该特征。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及移除生长基板。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及激光解离。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 【未公开】 | 无。 | 对比文件未涉及移除生长基板。 |
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