对比文件名称：2004-06-03_US2004105471A_发明申请_US20040105471A1 STRUCTURE FOR NITRIDE BASED LASER DIODE WITH GROWTH SUBSTRATE REMOVED
目标专利名称：1365移除半导体发光器件的生长基板的方法CN101194373B
调用模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括提供在所述生长基板(10)上生长的半导体结构(110) 《直接公开》 | 段落[0032]：“FIG. 1 shows quad-spot InGaAlN laser diode structure typically grown on Al2O3 insulating substrate 215 (see FIG. 2).” 段落[0038]：“FIG. 6 shows InGaAlN heterostructure wafer 600 grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on insulating substrate 215. Insulating substrate 215 is typically Al2O3.” | 对比文件明确公开了在生长基板（Al2O3绝缘衬底215）上生长半导体结构（InGaAlN激光二极管结构），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：该半导体结构包括置于n型区和p型区之间的发光层 《直接公开》 | 段落[0033]：“P-GaN cap layer 220 is positioned atop p-AlGaN cladding layer 225. The active region is InGaN layer 230 that has a multi-quantum well structure and is positioned on n-AlGaN cladding layer 235.” | 对比文件公开了p型层（p-GaN cap、p-AlGaN cladding）、发光层（InGaN多量子阱有源区）和n型层（n-AlGaN cladding、n-GaN），且发光层置于n型层和p型层之间，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过至少一个导电互连(42)将该半导体结构(110)附着到载体(30) 《直接公开》 | 段落[0054]：“Deposition of solder layer 1141 which is, for example, In or PbSn, is performed to join substrate 1138 to semiconductor membrane 1110.” 段落[0055]：“Deposition of metals occurs by thermal or e-beam evaporation with a typical film thickness of 1-2 μm.” | 对比文件公开了通过焊料层（即导电互连）将半导体膜（半导体结构）附着到载体（导热衬底1138），焊料层提供导电连接和附着，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：在该半导体结构(110)和该载体(30)之间的空腔中引入电绝缘底部填料(44) 《不公开》 | 对比文件未记载电绝缘底部填料。对比文件使用焊料或Au-Au热压键合，这些是导电材料，且未提及在空腔中引入绝缘材料。 | 对比文件没有公开电绝缘底部填料，也没有任何暗示或教导在半导体结构和载体之间的空腔中引入电绝缘材料，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：其中该底部填料(44)通过填充半导体结构、载体和至少一个互连(42)之间的间隙而提供对该半导体结构(110)的刚性支撑 《不公开》 | 对比文件未记载底部填料，因此也无相关描述。 | 由于技术特征D未被公开，从属特征E也未被公开。 |
| 技术特征F：通过激光解离移除该生长基板(10) 《直接公开》 | 段落[0051]：“exposure of substrate 215 and semiconductor membrane 1110 to ultraviolet excimer laser light 1120. Proper adjustment of the excimer laser allows decomposition of thin GaN layer 1130 at the interface between sapphire substrate 215 and semiconductor membrane 1110.” 段落[0052]：“separation of sapphire substrate 215 from semiconductor membrane 1110 at the interface by heating.” | 对比文件明确公开了通过紫外准分子激光照射使GaN分解，从而分离蓝宝石生长基板，即激光解离移除，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：其中引入底部填料包括将液态底部填料材料置于载体 and 半导体结构之间 《不公开》 | 对比文件未记载底部填料，也没有液态底部填料材料的放置。 | 由于底部填料未被公开，其引入方法也未被公开。 |
| 技术特征H：使该液态底部填料材料固化以形成对该半导体结构的刚性支撑 《不公开》 | 对比文件未记载相关内容。 | 未公开。 |
| 技术特征I：其中引入底部填料包括在附着之前在半导体结构和载体中的一个上形成刚性底部填料层 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征J：在该刚性底部填料层中形成至少一个开口，用于该至少一个互连 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征K：进一步包括，在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区的一部分，以暴露一部分n型区 《不公开》 | 段落[0040]描述了蚀刻台面结构以形成n型接触区，但该蚀刻是在生长衬底上进行的，且未明确在附着到载体之前。对比文件的主要实施例中，n型区的暴露是在附着到载体之后（如附图11、14、15）。 | 对比文件没有公开在将半导体结构附着到载体之前蚀刻掉p型区和有源区以暴露n型区的步骤。虽然对比文件有蚀刻步骤，但时间顺序不同，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：形成与n型区的暴露部分电气连接的n接触和与p型区电气连接的p接触 《直接公开》 | 段落[0041]：“n-metal 720 which is typically titanium-aluminum (Ti&null;Al)” 和 “p-metal contact pad 730”。段落[0069]和[0078]中描述了n-metal沉积和p-contact形成。 | 对比文件公开了形成n接触（如Ti/Al）和p接触（如Ni/Au），并与相应区域电气连接，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：其中该至少一个互连将在该载体上形成的金属层连接到n接触和p接触中的一个 《直接公开》 | 段落[0063]：“common p-contact 1422 is evaporated on substrate 1138” 然后通过焊料层连接到半导体膜的p接触。段落[0072]描述了载体上的金属接触垫1530通过焊料连接到半导体膜。 | 对比文件公开了在载体上形成金属层（如p-contact或金属垫），并通过焊料互连（导电互连）连接到半导体结构的n接触或p接触，因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：其中该至少一个互连耦合到半导体结构的底部表面；并且半导体结构的顶部表面离开该载体的顶部表面的距离小于50微米 《隐含公开》 | 段落[0062]：“thermally conductive substrate 1138 is only about 1 μm distant from active region 230”。此外，半导体膜的总厚度（包括各层）通常在几微米至十几微米，加上焊料层厚度（1-2 μm），总厚度远小于50微米。 | 对比文件公开了互连（焊料层）耦合到半导体结构的底部表面（即半导体膜与载体相对的面）。虽然没有明确给出顶部表面到载体顶部表面的具体数值，但本领域技术人员根据描述（有源区距离仅1 μm，整体厚度较小）可以合理推断该距离远小于50微米，因此技术特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：其中该底部填料包括有机材料 《不公开》 | 对比文件未记载底部填料。 | 未公开。 |
| 技术特征P：其中该底部填料包括无机材料 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中该底部填料包括环氧树脂 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中该底部填料包括硅树脂 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征S：进一步包括置于硅树脂中的无机材料颗粒 《不公开》 | 对比文件未记载。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中该至少一个互连包括金 《直接公开》 | 段落[0054]：“metal contact layer 1121, typically made of titanium/gold”；焊料层也常包含金，如Ti/Au/In。 | 对比文件公开了互连（金属层、焊料层）包含金，因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：附着包括通过超声焊接进行附着 《不公开》 | 对比文件未记载超声焊接。对比文件提到焊料键合、热压键合等。 | 对比文件没有公开超声焊接，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：其中该至少一个互连包括焊料 《直接公开》 | 段落[0054]：“solder layer 1141 which is, for example, In or PbSn”。 | 对比文件公开了互连包含焊料（如In、PbSn），因此技术特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中该半导体结构是III-氮化物结构，并且该生长基板是蓝宝石 《直接公开》 | 段落[0032]：“InGaAlN laser diode structure typically grown on Al2O3 insulating substrate 215”。InGaAlN是III-氮化物，Al2O3是蓝宝石。 | 对比文件公开了半导体结构是III-氮化物（InGaAlN），生长基板是蓝宝石（Al2O3），因此技术特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：移除包括通过激光解离进行移除 《直接公开》 | 同技术特征F。 | 对比文件公开了通过激光解离移除生长基板，因此技术特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：其中通过激光解离进行移除包括使用激光扫描该生长基板的表面 《直接公开》 | 段落[0051]：“scanning the laser beam across the area surface.” | 对比文件公开了通过激光扫描基板表面进行激光解离，因此技术特征Y被直接公开。 |
| 技术特征Z：其中移除包括通过蚀刻进行移除 《不公开》 | 对比文件未记载通过蚀刻移除生长基板。对比文件仅使用激光剥离。 | 对比文件没有公开通过蚀刻移除生长基板，因此技术特征Z未被公开。 |
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