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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-03-14_US2013065125A_发明申请_US20130065125A1 ELECTRODE FOR LITHIUM ION SECONDARY BATTERY, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND LITHIUM ION SECONDARY BATTERY_+++A+++.docx
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2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
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2013-05-15_CN103109404A_发明公开_CN103109404A 锂离子二次电池用电极、其制造方法以及锂离子二次电池_+++A_B_E_F_I_T_l_r+++.docx
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2013-12-10_KR1020130134241A_发明公开_KR1020130134241A SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_I+++.docx
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2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
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2015-01-29_JP2015018663A_发明专利_JP2015018663A リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池_+++A_B_C_E_F+++.docx
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2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-07_KR101558647B_发明授权_KR101558647B1 SiOx―탄소나노튜브 복합체를 포함하는 음극 활물질 및 이의 제조방법_+++A_B_F_d_e_h_i_j_l_r+++.docx
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2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-05-18_JP2017084759A_发明专利_JP2017084759A 電極活物質−カーボンナノチューブコンポジット及びその製造方法_+++A_B_E_F_K_L_M_N_Q_R_g_o_p_s+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2017-10-12_KR1020170113250A_发明公开_KR1020170113250A 도전재 분산액 및 이를 이용하여 제조한 이차전지_+++A_B_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_a_b_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_n_o_p_q_r_s+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-01-26_CN107634184A_发明公开_CN107634184A 柔性全固态聚合物锂电池及其制备方法_+++A_B_I_e+++.docx
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2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-08-02_US2018219212A_发明申请_US20180219212A1 POSITIVE ELECTRODE FOR SECONDARY BATTERY AND SECONDARY BATTERY INCLUDING THE SAME_+++A_B_K_L_Q_r+++.docx
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2018-08-09_JP2018125077A_发明专利_JP2018125077A リチウムイオン二次電池用負極_+++A_B_C_E_F_t_u+++.docx
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2018-12-07_CN108963187A_发明公开_CN108963187A 硅碳负极、其制备方法、锂离子电池及电动车辆_+++A_F+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-02-07_US2019044150A_发明申请_US20190044150A1 CONDUCTIVE MATERIAL DISPERSED LIQUID AND SECONDARY BATTERY MANUFACTURED USING THE SAME_+++A_K_Q_e_f_j_l+++.docx
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2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
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2019-10-16_KR1020190117387A_发明公开_KR1020190117387A 전극, 상기 전극을 포함하는 이차 전지, 및 상기 전극의 제조 방법_+++A_F_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_e_g_h_j+++.docx
2026-07-03 00:57
2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池_+++A_B_C_I+++.docx
2026-07-03 00:57
WO2019194662A1_Description_20260618_2341_+++A_F_G_J_L_R_S_e_h_k_m_n_o_p_q+++.docx
2026-07-03 00:57
WO2020021763A1_Description_20260618_2342_+++A_B_C_I_T_U+++.docx
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2017-05-18_JP2017084759A_发明专利_JP2017084759A 電極活物質−カーボンナノチューブコンポジット及びその製造方法_+++A_B_E_F_K_L_M_N_Q_R_g_o_p_s+++.docx

**对比文件名称**:2017-05-18_JP2017084759A_发明专利_JP2017084759A 電極活物質−カーボンナノチューブコンポジット及びその製造方法

**目标专利名称**:负极和包括所述负极的二次电池 CN114730859B

**模型名称**:通用语言模型(基于深度学习的AI助手)

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### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**A**:包括负极集电器 【直接公开】[0092] “集電体は、銅、アルミニウム等の金属からなる、例えば箔状、メッシュ状等の部材である。” 翻译:集电器由铜、铝等金属构成,例如箔状、网状等部件。<br>[0118] “得られた水分散ペーストを銅箔に塗布、乾燥及びプレスし……” 翻译:将得到的水分散糊料涂布在铜箔上,干燥并压制……。对比文件明确记载负极具有铜箔等集电器,与特征A的负极集电器实质相同,作用均为承载活性材料层。
**B**:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层 【直接公开】[0118] 同上,公开了在水分散糊料涂布在铜箔上形成电极活性材料层。对比文件公开了在集电器(铜箔)上直接形成完整的活性材料层,该层可视为相当于特征A中的第一负极活性材料层(尽管未命名“第一”),但内容上完全存在一个层直接设置在集电器上,故直接公开此设置关系。
**C**:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层 【未公开】对比文件全文没有记载双层活性材料层结构,所有实施例均仅在集电器上形成一层活性材料层。对比文件仅公开了单一活性材料层,完全没有公开在第一层上再设置第二层的结构。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出存在两层不同的活性材料层。因此C未公开。
**D**:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂 【未公开】对比文件仅有一个活性材料层,该层同时包含活性材料(石墨、SiO等)和导电剂(乙炔黑、SWCNT束等),但未将其分为第一层和第二层的不同组成。由于对比文件没有双层结构,自然没有区分第一层和第二层各自包含的组分。特征D要求同时限定两层的组成,对比文件没有任何对应。因此D未公开。
**E**:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料 【直接公开】[0020] “一酸化ケイ素としては、例えば、SiOx(0.8≦x≦1.5)を用いることが好ましい。特にx≒1であるSiOを用いることが、充放電容量、クーロン効率及びサイクル特性の観点から好ましい。” 翻译:作为一氧化硅,优选使用SiOx(0.8≤x≤1.5),特别优选使用x≈1的SiO。<br>实施例4([0129])使用平均粒径5μm的SiO。对比文件公开了第二负极活性材料中包含硅基活性材料(如SiO),与特征E中限定的硅基活性材料完全一致。虽然对比文件没有“第二层”的表述,但其活性材料本身包含硅基材料,因此直接公开了该材料特征。
**F**:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2) 【直接公开】同上[0020]及实施例4。对比文件明确使用SiOx(x≈1),满足0≤x<2,因此直接公开。
**G**:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构 【隐含公开】[0012] “単層カーボンナノチューブ同士が同じ繊維長方向にバンドル化(一体化)し、単層カーボンナノチューブよりも径の大きい繊維状物を有し、且つ、全体として繊維状に形成している集合体”。翻译:单壁碳纳米管之间在同一纤维长度方向上束化(一体化),形成直径大于单壁碳纳米管的纤维状物,且整体形成为纤维状的集合体。<br>[0044] 记载了这种纤维状集合体的平均长度等。对比文件描述的“纤维状碳纳米管集合体”实质上就是多个单壁碳纳米管单元并排结合形成的束状结构(rope/bundle),与目标专利中定义的碳纳米管结构本质上相同。虽然未明确给出“2至5,000个”的具体数值,但本领域技术人员可以合理推断该束状结构包含多个(2个以上)单元,且在制备过程中束的大小可能落在该宽范围内。该结构在对比文件中同样用于充放电时适应体积变化并保持导电网络,作用与目标专利相同。因此隐含公开了G。
**H**:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中 【未公开】对比文件未给出碳纳米管结构在活性材料层中的含量范围。实施例4中SWCNT在最终电极层中的含量经计算约2.16重量%,明显高于1.0重量%,且对比文件未教导或暗示0.01‑1.0%的优选范围。对比文件没有公开或暗示碳纳米管结构在该特定含量范围内的技术方案,因此H既未直接公开也未隐含公开。
**I**:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种 【未公开】对比文件仅有一个活性材料层,没有“第一导电剂”的定义。该层中的导电剂包括乙炔黑(非碳纳米管结构或MWCNT)以及SWCNT形成的纤维状集合体,但未区分第一层。由于对比文件不存在两个独立的层,因而无法对应到第一导电剂。即使将该单一层视为第一层,其中的导电剂也包含非所述群组的乙炔黑,且没有明确提及第一导电剂的组成。因此I未公开。
**J**:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构 【未公开】[0012] “繊維状カーボンナノチューブ集合体は、……分岐を有し、該分岐は、同じ繊維状物又は異なる繊維状物中に存在する他の分岐と一体化して異なる繊維状物を形成する”。翻译:纤维状碳纳米管集合体具有分叉,该分叉与相同的或其他纤维状物中的其他分叉一体化形成不同的纤维状物,从而构成网络结构。对比文件公开了纤维状碳纳米管集合体(相当于碳纳米管结构)在活性材料层中通过分叉相互结合形成网络,这与J中互连形成网络的结构特征一致。但J限定在“第二负极活性材料层”中,对比文件没有第二层概念,且其网络存在于单一的活性材料层中,不能直接对应。此外,该特征与J的设置环境不同,未隐含公开。因此J未公开。
**K**:其中在所述碳纳米管结构中 【直接公开】参见G的引用,对比文件公开了“在纤维状碳纳米管集合体中”。对比文件明确记载了“在纤维状碳纳米管集合体中”的结构,该集合体即为目标专利的碳纳米管结构,因此K直接公开。
**L**:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合 【直接公开】[0012] “同じ繊維長方向にバンドル化(一体化)”。翻译:在同一纤维长度方向上束化(一体化)。对比文件明确描述了单壁碳纳米管单元在长轴方向平行地结合成束,与特征L完全一致,因此直接公开。
**M**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm 【直接公开】[0044] “繊維状カーボンナノチューブ集合体の平均長さは、特に制限されず、特に規定することはできない。例えば、1〜500μm(特に2〜300μm)とすることができる。” 翻译:纤维状碳纳米管集合体的平均长度没有特别限制,不能特别规定,例如可以为1‑500μm(特别是2‑300μm)。对比文件直接给出了碳纳米管结构(纤维状集合体)的平均长度范围为1‑500μm,与M完全相同,因此直接公开。
**N**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm 【直接公开】同上[0044],明确提及“特に2〜300μm”,即特别优选的2‑300μm。对比文件公开了2‑300μm的范围,该范围完全涵盖了2‑50μm这一子区间,本领域技术人员可以直接确定2‑50μm属于其公开的内容。因此直接公开N。
**O**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm 【隐含公开】[0043] “繊維状カーボンナノチューブ集合体の平均径は、10nm〜100μmが好ましく、……” 翻译:纤维状碳纳米管集合体的平均径优选10nm‑100μm。对比文件公开了平均径10nm‑100μm,其中10‑500nm部分已被直接公开,但2‑10nm部分未被明确给出。然而,基于单壁碳纳米管束结构的常识,束的直径可以小于10nm(例如由极少单元组成的小束),本领域技术人员有可能合理推断出该结构平均直径能够达到2nm以上,因此隐含公开了整个2‑500nm范围。但并非毫无疑义地直接公开。
**P**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm 【隐含公开】同上[0043]。分析同O,对比文件至少公开了10‑200nm部分,5‑10nm部分未明确,但可能隐含(理由同O)。因此隐含公开P。
**Q**:其中在所述碳纳米管结构中 【直接公开】同K引用。同K,直接公开。
**R**:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm 【直接公开】[0039] “単層カーボンナノチューブの平均外径は、0.4〜10nmが好ましく、0.7〜3nmがより好ましく、1〜2.5nmがさらに好ましい。” 翻译:单壁碳纳米管的平均外径优选0.4‑10nm。对比文件直接公开了单壁碳纳米管平均外径0.4‑10nm,该范围完全包含0.5‑10nm,因此直接公开R。
**S**:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构 【隐含公开】对比文件[0012]描述了束化结构,但未限定单元数量。对比文件公开了多个单壁碳纳米管单元并排结合形成束状,但未特别指出2‑50个的数量。然而,本领域技术人员知道碳纳米管束可以由数个到数千个单元组成,2‑50个单元的结合是可能存在的合理情况,且对比文件未排除该数量范围。因此隐含公开S。
**T**:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm 【未公开】对比文件没有第一层厚度的概念,实施例总厚度58μm,未分层。对比文件没有给出任何单独的第一活性材料层的厚度信息,因此T未公开。
**U**:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm 【未公开】对比文件只有总厚度,未区分第二层。同上,未公开。

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### 公开性代码汇总

根据上述判断,被对比文件公开的技术特征按直接公开(大写)或隐含公开(小写)列出如下:

<<<A>>> <<<B>>> <<<E>>> <<<F>>> <<<K>>> <<<L>>> <<<M>>> <<<N>>> <<<Q>>> <<<R>>>

<<<g>>> <<<o>>> <<<p>>> <<<s>>>

(注意:代码严格按照特征字母,大小写分别对应直接/隐含公开;未公开的特征不出现)

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