对比文件名称：KR1020190065172A (KR20190065172A) 负极和包括该负极的二次电池
目标专利名称：CN114730859B 负极和包括所述负极的二次电池
模型名称：DeepSeek
特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括负极集电器 《直接公开》 | [0009] “负极集电器” | 对比文件[0009]明确公开了负极用集电器（음극용 집전체），其作用为承载活性材料并提供电子通道，与目标专利中负极集电器的作用完全相同，因此直接公开。 |
| B: 设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层 《直接公开》 | [0010] “位于负极集电器的至少一面，且包含碳基活性材料的第一负极活性材料层” | 对比文件[0010]明确公开了第一负极活性材料层位于负极集电器上，且包含碳基活性材料，其设置位置与作用（作为底层活性材料层）与目标专利一致，因此直接公开。 |
| C: 设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层 《直接公开》 | [0011] “位于第一负极活性材料层上，且包含硅基活性材料和碳纳米管的第二负极活性材料层” | 对比文件[0011]明确公开了第二负极活性材料层位于第一负极活性材料层上，包含硅基活性材料及碳纳米管，该双层结构及其堆叠方式与目标专利完全相同，因此直接公开。 |
| D: 其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂 《直接公开》 | [0098] （第一层浆料）“活性材料、粘合剂、导电剂碳黑，重量比95:3.5:1.5”；[0099] （第二层浆料）“导电剂为碳黑和碳纳米管”，即第二层包含碳纳米管作为第二导电剂 | 对比文件实施例1中，第一层浆料明确含有碳黑导电剂（第一导电剂），第二层浆料明确含有碳纳米管（第二导电剂），且各层均包含对应的活性材料。因此直接公开了第一层含第一导电剂、第二层含第二导电剂的技术特征。 |
| E: 其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料 《直接公开》 | [0011] “第二负极活性材料层包含硅基活性材料” | 对比文件[0011]明确记载第二活性材料层包含실리콘계 활물질（硅基活性材料），其作用为提高容量，与目标专利相同，因此直接公开。 |
| F: 所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2) 《直接公开》 | [0050] “硅氧化物例如SiO、SiO₂、SiOx(1<x<2)等” | 对比文件[0050]列举的SiO（x=1）及SiOx(1<x<2)均落在目标专利限定的SiOx(0≤x<2)范围内，特别是SiO为典型的硅氧化物，因此直接公开了硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)。 |
| G: 所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构 《未公开》 | [0038] “碳纳米管可选自单壁碳纳米管、多壁碳纳米管或碳纳米纤维”；[0039] 单壁碳纳米管定义；[0098] 实施例使用多壁碳纳米管 | 对比文件虽然提到单壁碳纳米管，但未揭示任何关于“2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合”的特定结构。实施例均使用多壁碳纳米管，且对比文件全文未涉及碳纳米管以束状（rope）形式存在或控制其束化程度。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得到该具体结构，也不能合理推断出该结构，因此未公开。 |
| H: 所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中 《未公开》 | [0047] “碳纳米管的含量为0.1重量%至2重量%”（相对于活性材料层总重量） | 对比文件公开的含量范围是针对一般碳纳米管，且下限为0.1 wt%，上限为2 wt%，与目标专利的0.01~1.0 wt%范围不重合的部分（0.01~0.1 wt%）未被涵盖；更重要的是对比文件未公开目标专利所限定的“碳纳米管结构”这一特定对象。因此本特征既未直接公开，也不可能通过对比文件合理推断得出，故未公开。 |
| I: 所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种 《未公开》 | [0098] 第一层导电剂为碳黑（카본블랙） | 对比文件第一层仅使用碳黑作为导电剂，未公开使用碳纳米管结构或多壁碳纳米管单元，也没有任何教导或暗示第一层可采用这些导电剂。因此未公开。 |
| J: 其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构 《隐含公开》 | [0036] “碳纳米管的纤维状覆盖并桥接裂纹或收缩的硅基颗粒的程度，位于硅基颗粒表面”；[0044] “在硅基材料收缩时，碳纳米管在硅基材料之间、硅基材料与集电器之间有效桥接” | 对比文件[0036]和[0044]描述了碳纳米管在第二层中以纤维状覆盖并桥接硅基颗粒，这种桥接作用必然使得碳纳米管之间相互连接，形成导电路径网络，以维持电接触。本领域技术人员根据这些记载可以合理推断出碳纳米管在第二层中互连成网络结构，以解决因硅体积变化导致的导电问题。因此隐含公开。 |
| K: 其中在所述碳纳米管结构中 《未公开》 | — | 对比文件未公开目标专利限定的“碳纳米管结构”，因此该前置限定没有公开。 |
| L: 所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合 《未公开》 | — | 对比文件未描述任何单壁碳纳米管单元的排列结合方式，也未提及单壁单元的平行布置结合状态。因此未公开。 |
| M: 其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm 《未公开》 | [0041] “碳纳米管的长度为0.5~20μm” | 对比文件公开的碳纳米管长度是针对单根碳纳米管（包括多壁和单壁），而非本申请定义的“碳纳米管结构”（束状）的长度；且数值范围不同（0.5~20μm vs 1~500μm）。本领域技术人员不能直接或合理推断出该特征。 |
| N: 其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm 《未公开》 | 同M | 理由同M，对比文件未公开束结构长度，且目标专利为更窄范围，未公开。 |
| O: 其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm 《未公开》 | [0041] “碳纳米管的平均直径为10~120nm” | 对比文件公开的直径是针对碳纳米管（管外径），而目标专利的“碳纳米管结构平均直径”是束（绳）的直径，通常大于单根管径。二者为不同物理量，且数值范围有差异，因此未公开。 |
| P: 其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm 《未公开》 | 同O | 理由同O，未公开。 |
| Q: 其中在所述碳纳米管结构中 《未公开》 | — | 同K，未公开。 |
| R: 所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm 《隐含公开》 | [0038] “碳纳米管可选自单壁碳纳米管” | 对比文件明确公开了可以使用单壁碳纳米管（SWCNT）。本领域公知，单壁碳纳米管单元的直径通常为0.5~10 nm。因此，在对比文件提及单壁碳纳米管的基础上，本领域技术人员能够合乎逻辑地推断其平均直径落在该公知范围内，从而隐含公开了该特征。 |
| S: 其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构 《未公开》 | — | 对比文件未公开碳纳米管结构中单壁碳纳米管单元的具体结合数量，也未提供任何关于束中单元数目的教导或暗示，因此未公开。 |
| T: 其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm 《隐含公开》 | [0063] “第一活性材料层和第二活性材料层可以分别具有8~240μm的厚度” | 对比文件公开第一层厚度为8~240μm，该范围部分落入目标专利的1~100μm范围（8~100μm部分被公开），但1~8μm部分未直接公开。然而，本领域技术人员在对比文件厚度范围的启示下，可以合理调整厚度（例如制备更薄层），且结合典型电极厚度设计，能够实现1~100μm的范围，因此隐含公开。 |
| U: 其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm 《隐含公开》 | [0063] 同T | 对比文件公开第二层厚度也是8~240μm，同样部分落入目标专利1~100μm范围，理由同T，本领域技术人员可合理调整达到该范围，因此隐含公开。 |
综上，对比文件直接公开的技术特征代码为：
<<<A>>> <<<B>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<F>>>
隐含公开的技术特征代码为：
<<<j>>> <<<r>>> <<<t>>> <<<u>>>