对比文件名称：2019-10-16_KR1020190117387A_发明公开_KR1020190117387A 전극, 상기 전극을 포함하는 이차 전지, 및 상기 전극의 제조 방법
目标专利名称：1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B
模型名称：本次调用模型（未指定）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括负极集电器。** 《直接公开》 | [0029]：“所述电极可以进一步包括集电器”。[0030]：“所述集电器可以使用铜、不锈钢、铝、镍、钛、这些的合金、或表面经碳、镍、钛、银等处理的材料，或煅烧碳等”。 | 对比文件明确公开了电极包括集电器，且可适用于负极，本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征，因此直接公开。 |
| **技术特征B：设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层。** 未公开 | 对比文件仅公开了单层电极活性材料层（[0029]等），未提及“第一”层，也没有任何关于多层活性材料层的描述或暗示。 | 对比文件未公开第一负极活性材料层的概念，也无任何教导或暗示存在两层结构，因此不公开。 |
| **技术特征C：和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层。** 未公开 | 对比文件仅公开单层结构，未公开第二层及其与第一层的位置关系。 | 对比文件缺乏两层结构的任何记载，本领域技术人员无法合理推断出该特征，因此不公开。 |
| **技术特征D：其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂；并且所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂。** 未公开 | 对比文件没有区分第一层和第二层，也没有提及第一导电剂或第二导电剂的不同组成。 | 对比文件未公开任何双层结构及相应的材料区分，因此不公开。 |
| **技术特征E：其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料。** 《隐含公开》 | [0037]：“负极活性材料的例子包括SiO<sub>v</sub> (0<v<2) 等硅基材料”。 | 对比文件公开了负极活性材料可以包括硅基活性材料（SiO<sub>v</sub>），虽然未指定“第二层”，但本领域技术人员在面对负极设计时，很容易将这类硅基材料用于活性材料层（可视为第二层），存在合理推断的可能性，根据宽松标准，隐含公开。 |
| **技术特征F：所述硅基活性材料包括SiO<sub>x</sub>(0≤x<2)。** 《直接公开》 | [0037]：“SiO<sub>v</sub> (0<v<2)”。 | 对比文件公开了硅基活性材料包括SiO<sub>v</sub> (0<v<2)，即目标专利中的SiO<sub>x</sub>（除x=0外，但SiO<sub>x</sub>通常包括0<x<2），实质相同，因此直接公开。 |
| **技术特征G：所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构。** 《隐含公开》 | [0041]：“所述导电剂包括2至5,000个单壁碳纳米管单元结合的碳纳米管结构”。[0043]-[0044]进一步描述该结构。 | 对比文件明确公开了导电剂包括所述碳纳米管结构，虽然未写明“第二导电剂”，但该导电剂用于电极活性材料层，本领域技术人员容易将该层视为第二层，从而合理推断第二导电剂包含该结构，隐含公开。 |
| **技术特征H：所述碳纳米管结构以0.01重量％至1.0重量％的量被包括在所述第二负极活性材料层中。** 《隐含公开》 | [0050]：“所述碳纳米管结构可以在所述电极活性材料层中以0.01重量%至0.5重量%被包含”。 | 对比文件公开了碳纳米管结构在电极活性材料层中的含量范围（0.01-0.5%），该范围落入目标专利要求的0.01-1.0%内。由于该层可对应于第二层，本领域技术人员能合理推断该含量适用于第二负极活性材料层，隐含公开。 |
| **技术特征I：所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种。** 未公开 | 对比文件没有关于第一导电剂的内容；多壁碳纳米管单元仅在[0043]作为背景技术对比，并未作为本发明的导电剂使用。 | 对比文件未公开第一层，也未将多壁碳纳米管单元作为可行的导电剂，因此该特征不公开。 |
| **技术特征J：其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构。** 《隐含公开》 | [0042]：“在所述电极内，所述碳纳米管结构可以相互连接以呈现网络结构”。 | 对比文件公开了碳纳米管结构在电极内形成网络，虽然未写明“第二层”，但该网络结构自然存在于整个活性材料层中，本领域技术人员可合理推断其在第二层中也如此，隐含公开。 |
| **技术特征K：其中在所述碳纳米管结构中。** 《直接公开》 | [0042]：“在所述碳纳米管结构内，所述单壁碳纳米管单元并排排列”。 | 对比文件明确记载了“在碳纳米管结构内”这一情景，因此直接公开。 |
| **技术特征L：所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合。** 《直接公开》 | [0042]：“单壁碳纳米管单元并排排列并结合起来（单元的长轴相互平行结合形成柔性圆柱结构）”。 | 对比文件详细描述了单壁碳纳米管单元以长轴平行方式结合，直接公开。 |
| **技术特征M：其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm。** 《直接公开》 | [0049]：“所述碳纳米管结构的平均长度可以是1μm至100μm”。 | 对比文件公开的平均长度范围（1-100μm）完全落入目标范围（1-500μm），因此直接公开。 |
| **技术特征N：其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm。** 《直接公开》 | [0049]：“具体地，平均长度为5μm至50μm”。 | 对比文件公开的优选范围（5-50μm）在目标范围（2-50μm）内，直接公开了5-50μm部分。 |
| **技术特征O：其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm。** 《直接公开》 | [0048]：“所述碳纳米管结构的平均直径可以是1nm至300nm”。 | 对比文件公开的范围（1-300nm）与目标范围（2-500nm）部分重叠（2-300nm），直接公开该重叠部分。 |
| **技术特征P：其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm。** 《直接公开》 | [0048]：“具体地，平均直径为3nm至150nm”。 | 对比文件公开的优选范围（3-150nm）与目标范围（5-200nm）重叠（5-150nm），直接公开该重叠部分。 |
| **技术特征Q：其中在所述碳纳米管结构中。** 《直接公开》 | 同K：[0042]：“在所述碳纳米管结构内”。 | 同特征K，直接公开。 |
| **技术特征R：所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm。** 《直接公开》 | [0045]：“所述单壁碳纳米管单元的平均直径可以是0.5nm至10nm”。 | 对比文件完全公开了该数值范围，直接公开。 |
| **技术特征S：其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构。** 《直接公开》 | [0041]：“最优选，所述碳纳米管结构是2至50个单壁碳纳米管单元结合的碳纳米管结构”。 | 对比文件明确记载了该优选方案，直接公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。** 未公开 | 对比文件未提及第一负极活性材料层，也没有公开活性材料层的厚度范围（仅公开了集电器厚度3-500μm）。 | 对比文件无相关记载，不公开。 |
| **技术特征U：其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm。** 未公开 | 对比文件未提及第二负极活性材料层厚度。 | 对比文件无相关记载，不公开。 |
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