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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
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2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
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2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
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2015-01-29_JP2015018663A_发明专利_JP2015018663A リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池_+++A_B_C_E_F+++.docx
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2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
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2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-08-09_JP2018125077A_发明专利_JP2018125077A リチウムイオン二次電池用負極_+++A_B_C_E_F_t_u+++.docx
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2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池_+++A_B_C_I+++.docx
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WO2020021763A1_Description_20260618_2342_+++A_B_C_I_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx

对比文件的名称:2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE

目标专利的名称:1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B

本次调用的模型名称:DeepSeek AI

技术特征描述及公开性结果对比文件原文引用(译文)公开性论述
**A**:包括负极集电器<br>《直接公开》[0023] “ comprising a current collector 1” 以及实施例1中“coated on the current collector 1 (a copper foil)”。对比文件明确公开了负极集电器(电流收集器)作为电极组件的一部分,其作用和目标专利中的负极集电器完全相同,均为承载活性材料层并提供电子传导,因此本领域技术人员可直接确定该特征被公开。
**B**:设置在所述负极集电器上的第一负极活性材料层<br>《直接公开》[0023] “ a base diaphragm 2 arranged on the surface of the current collector 1”。对比文件明确公开了在集电器表面上设置的第一层(base diaphragm),该层包含石墨活性物质等,与目标专利中第一负极活性材料层的位置和功能相同,因此直接公开。
**C**:和设置在所述第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层<br>《直接公开》[0023] “ a top diaphragm 3 arranged on the surface of the base diaphragm 2”。对比文件明确公开了第一层上再设置的第二层(top diaphragm),该层包含硅基活性物质等,与目标专利中第二负极活性材料层的位置和结构相同,因此直接公开。
**D**:其中所述第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;并且中所述第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂<br>《直接公开》[0023] “ both the base diaphragm 2 and the top diaphragm 3 respectively comprise an active substance, an adhesive and a conductive additive”。对比文件明确公开了两层均包含活性物质、粘合剂和导电添加剂(即导电剂),且第一层(base)的活性物质为石墨,第二层(top)的活性物质为硅/合金等,与目标专利两层的组成要素相同,因此直接公开。
**E**:其中所述第二负极活性材料包括硅基活性材料<br>《直接公开》[0023] “ the active substance of the top diaphragm 3 is at least one among silicon, silicon alloy and tin alloy”。对比文件公开第二层活性物质包括硅、硅合金(均为硅基材料),与目标专利中第二负极活性材料使用硅基活性材料完全一致,因此直接公开。
**F**:所述硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)<br>《直接公开》[0023] “ silicon”(硅)。对比文件公开的第二层活性物质包括单质硅(Si),SiOx中x=0时即为单质硅,属于SiOx(0≤x<2)的范围内,且对比文件虽未明确写出“SiOx”,但本领域技术人员可毫无疑义地从“silicon”得出该技术方案,因此直接公开。
**G**:所述第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构<br>《未公开》对比文件仅在[0019]和实施例中提及“carbon nano tube”或“carbon nano tubes”,但未描述碳纳米管的具体结构形式或限定单壁管单元及结合数量。目标专利要求第二导电剂为特定的rope状碳纳米管结构(2‑5000个单壁管并排结合),对比文件仅笼统提及碳纳米管,未公开该特定结构,无法直接得到;同时本领域技术人员不能从对比文件的内容合理推断出该结构,不构成隐含公开。
**H**:所述碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在所述第二负极活性材料层中<br>《未公开》对比文件未公开任何关于“碳纳米管结构”的含量信息,更未给出0.01‑1.0wt%的范围。对比文件未提及该特定结构的含量,无法直接得到;也不能合理推断出该含量范围,因此未公开。
**I**:所述第一导电剂包括选自由所述碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种<br>《隐含公开》[0019] “ the conductive additive is at least one among … a carbon nano tube”;实施例4中base diaphragm的导电添加剂为“carbon nano tubes”。对比文件公开了第一层(base)可使用碳纳米管作为导电添加剂,而碳纳米管通常包括多壁碳纳米管单元。虽然未明确指定为多壁,但本领域技术人员根据公知常识可以合理推知该碳纳米管可能是多壁碳纳米管单元,且此使用方式与目标专利中第一导电剂包含多壁碳纳米管单元的作用类似。因此,基于宽松的隐含公开标准,该特征被隐含公开。
**J**:其中所述碳纳米管结构在所述第二负极活性材料层中互连以形成网络结构<br>《未公开》对比文件未描述碳纳米管结构或任何碳纳米管互连形成网络的内容。对比文件没有公开碳纳米管结构,更无互连成网的内容,不能直接或合理推断得出该特征,因此未公开。
**K**:其中在所述碳纳米管结构中<br>《未公开》对比文件未描述“碳纳米管结构”。该特征为前置描述,但对比文件未公开碳纳米管结构,故不能认为公开此内容。
**L**:所述单壁碳纳米管单元在所述单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合<br>《未公开》对比文件未涉及单壁碳纳米管单元的具体取向或结合状态。对比文件未公开碳纳米管的排列结合方式,无法直接或合理推断出该特征。
**M**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm<br>《未公开》对比文件未提供碳纳米管结构及其长度信息。对比文件无相关公开,不能直接或隐含得出该范围。
**N**:其中所述碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm<br>《未公开》同上。同上。
**O**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm<br>《未公开》对比文件未提供碳纳米管结构及其直径信息。同上。
**P**:其中所述碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm<br>《未公开》同上。同上。
**Q**:其中在所述碳纳米管结构中<br>《未公开》对比文件未描述“碳纳米管结构”。同特征K,未公开。
**R**:所述单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm<br>《未公开》对比文件未提供单壁碳纳米管单元或直径信息。对比文件无相关公开,不能直接或隐含得出该范围。
**S**:其中所述碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构<br>《未公开》对比文件未描述碳纳米管结构,更未限定结合单元数量。对比文件无任何关于该特定结构及单元数量的公开,不能直接或隐含得出。
**T**:其中所述第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》[0012] “ the bas diaphragm has a thickness of 2‑30 μm”;实施例1中base diaphragm厚度为2μm,实施例3为10μm,实施例4为15μm等。对比文件明确公开第一层(base)厚度为2‑30μm,该范围完全落入权利要求限定的1‑100μm内,且具体实施例也给出多个落入该范围的数值,因此本领域技术人员可直接得出该特征已被公开。
**U**:其中所述第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm<br>《直接公开》[0012] “ the top diaphragm has a thickness of 40‑150 μm”;实施例1中top diaphragm厚度为65μm,实施例3为40μm,实施例4为100μm等。对比文件公开的第二层(top)厚度范围40‑150μm虽不完全落入1‑100μm,但其中40μm、65μm、100μm等具体数值均落在1‑100μm内,本领域技术人员可直接得出该第二层可具有这些厚度,因此公开了该范围内的厚度,故直接公开。

根据上述比对,对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、F、T、U,隐含公开了技术特征I。

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