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对比文件列表
2002-06-27_US2002082683A_发明申请_US20020082683A1 Radiopaque markers for implantable prostheses_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M_N_O_P_Q_R_S_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-04-25_JP2013077391A_发明专利_JP2013077391A Negative electrode for lithium ion secondary battery, and lithium ion secondary battery including the negative electrode for lithium ion secondary battery_+++A_B_C_T_U_d+++.docx
2026-07-03 00:57
2013-12-26_US2013344382A_发明申请_US20130344382A1 LI-ION BATTERY POSITIVE PLATE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2014-01-09_JP2014003015A_发明专利_JP2014003015A Pole piece structure of lithium ion battery anode_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2014-05-07_GB2507535A_发明专利_GB2507535A Multilayer electrode for metal ion battery_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-01-19_JP2015011959A_发明专利_JP2015011959A リチウムイオン二次電池_+++A_B_C_D_E_F_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-01-29_JP2015018663A_发明专利_JP2015018663A リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池_+++A_B_C_E_F+++.docx
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2015-07-27_KR1020150086288A_发明公开_KR1020150086288A 장치 및 장치의 형성 방법_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-02_CN104885262A_发明公开_CN104885262A 装置和形成装置的方法_+++A_B_C_D_E_T_U+++.docx
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2015-09-09_EP2915204A_发明公开_EP2915204A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-12-24_JP2015537347A_发明专利_JP2015537347A デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_I_T_U+++.docx
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2017-07-21_KR1020170084798A_发明公开_KR1020170084798A 비표면적이 큰 음극 활물질층을 포함하는 음극 및 이의 제조방법_+++A_B_C_D_T_U_j+++.docx
2026-07-03 00:57
2017-09-25_KR1020170107213A_发明公开_KR1020170107213A 리튬이차전지용 다층전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬이차전지_+++A_B_C_D_E_F_T_U_i+++.docx
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2018-01-10_EP2915204B_发明授权_EP2915204B1 MULTILAYERED ELECTRODE AND METHOD OF ITS FORMATION_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-02-07_JP6277197B_发明专利_JP6277197B2 デバイスおよびデバイスの形成方法_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
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2018-06-26_US10008716B_发明授权_US10008716B2 Device and method of forming a device_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx
2026-07-03 00:57
2018-08-09_JP2018125077A_发明专利_JP2018125077A リチウムイオン二次電池用負極_+++A_B_C_E_F_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2019-06-11_KR1020190065172A_发明公开_KR20190065172A 음극 및 이를 포함하는 이차전지_+++A_B_C_D_E_F_j_r_t_u+++.docx
2026-07-03 00:57
2021-08-02_None_发明专利_JPWO2020021763A1 非水電解質二次電池用負極および非水電解質二次電池_+++A_B_C_I+++.docx
2026-07-03 00:57
WO2020021763A1_Description_20260618_2342_+++A_B_C_I_T_U+++.docx
2026-07-03 00:57
2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE_+++A_B_C_D_E_T_U_i+++.docx

对比文件的名称:2015-10-01_US2015280221A_发明申请_US20150280221A1 DEVICE AND METHOD OF FORMING A DEVICE

目标专利的名称:1515负极和包括所述负极的二次电池CN114730859B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:包括负极集电器** 《直接公开》段落[0103]:“电池200具有导电负极集电器层201,例如金属层。”对比文件明确公开了负极集电器(导电负极集电器层201),与目标专利的负极集电器作用相同,均为提供电子传导和支撑活性材料,因此直接公开。
**技术特征B:设置在负极集电器上的第一负极活性材料层** 《直接公开》段落[0103]:“第一复合负极层203a”。对比文件公开了第一复合负极层203a位于集电器层201上,作为负极活性材料层,直接公开。
**技术特征C:设置在第一负极活性材料层上的第二负极活性材料层** 《直接公开》段落[0103]:“第二复合负极层203b”。对比文件公开了第二复合负极层203b设置在第一复合负极层203a上,直接公开。
**技术特征D:第一负极活性材料层包括第一负极活性材料和第一导电剂;第二负极活性材料层包括第二负极活性材料和第二导电剂** 《直接公开》段落[0104]:“每个复合负极层203a和203b包含粘合剂和一种或多种电活性材料颗粒……还可以包含一种或多种额外组分,例如一种或多种非活性导电材料颗粒,如炭黑。”;段落[0239]具体示出第一层包含VGCF(气相生长碳纤维)作为导电剂,第二层包含Cmix(含碳纳米管、VGCF、炭黑)作为导电剂。对比文件明确公开每个复合负极层可包含导电剂,且实施例中第一层含有VGCF,第二层含有Cmix(包含碳纳米管等),因此直接公开第一、第二负极活性材料层各自包含导电剂。
**技术特征E:第二负极活性材料包括硅基活性材料** 《直接公开》段落[0112]:“第二复合层包含硅作为主要活性组分”。段落[0239]第二层使用“活性硅”。对比文件公开第二复合负极层的主要活性组分为硅,属于硅基活性材料,直接公开。
**技术特征F:硅基活性材料包括SiOx(0≤x<2)** 《未公开》对比文件未公开SiOx相关内容。对比文件仅提及单质硅(掺杂或未掺杂),未记载SiOx(硅氧化物),本领域技术人员无法毫无疑义地从对比文件得出SiOx,也不存在合理推断的基础,因此未公开。
**技术特征G:第二导电剂包括其中2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构** 《未公开》段落[0072]:“导电颗粒添加剂……包括碳纤维、碳纳米管、科琴黑、灯黑、乙炔黑、沥青黑、石墨烯及其混合物。”对比文件仅泛泛提及碳纳米管,未描述其具体形态为“2至5,000个单壁碳纳米管单元并排结合的碳纳米管结构”,也未给出任何关于该特定结构的教导或暗示,因此未公开。
**技术特征H:碳纳米管结构以0.01重量%至1.0重量%的量被包括在第二负极活性材料层中** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的含量范围。对比文件未涉及碳纳米管结构的含量,实施例中第二层含碳纳米管约1.667重量%(按Cmix中CNT比例计算),但超出本特征范围,且未公开0.01-1.0%这一特定范围,因此未公开。
**技术特征I:第一导电剂包括选自由碳纳米管结构和多壁碳纳米管单元构成的群组中的至少一种** 《隐含公开》段落[0072]:“一个或多个复合电极层还可以包含导电颗粒添加剂,包括碳纤维、碳纳米管、科琴黑、灯黑、乙炔黑、沥青黑、石墨烯及其混合物。”对比文件公开了碳纳米管可作为导电添加剂用于任何复合电极层(包括第一层)。碳纳米管通常包括多壁碳纳米管,因此本领域技术人员可以合理推断第一导电剂可选择包含多壁碳纳米管单元。虽未明确,但基于对比文件内容有可能,故隐含公开。碳纳米管结构部分未公开,但至少部分满足。
**技术特征J:碳纳米管结构在第二负极活性材料层中互连以形成网络结构** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构及其互连形成网络。对比文件未定义碳纳米管结构,更未提及该结构在层内互连形成网络,因此未公开。
**技术特征K:其中在碳纳米管结构中** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构。该特征依存于碳纳米管结构,因碳纳米管结构未公开,故本特征未公开。
**技术特征L:单壁碳纳米管单元在单壁碳纳米管单元的长轴彼此平行布置的状态下结合** 《未公开》对比文件未公开该结合状态。对比文件未涉及单壁碳纳米管单元的排列方式,未公开。
**技术特征M:碳纳米管结构的平均长度为1μm至500μm** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的长度。对比文件未公开碳纳米管结构,更未提及其长度范围,未公开。
**技术特征N:碳纳米管结构的平均长度为2μm至50μm** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的长度。同特征M,未公开。
**技术特征O:碳纳米管结构的平均直径为2nm至500nm** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的直径。对比文件未公开碳纳米管结构,未提及其直径,未公开。
**技术特征P:碳纳米管结构的平均直径为5nm至200nm** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的直径。同特征O,未公开。
**技术特征Q:其中在碳纳米管结构中** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构。同特征K,未公开。
**技术特征R:单壁碳纳米管单元的平均直径为0.5nm至10nm** 《未公开》对比文件未公开单壁碳纳米管单元的直径。对比文件未提及单壁碳纳米管单元的具体直径,未公开。
**技术特征S:碳纳米管结构是其中彼此结合有2至50个单壁碳纳米管单元的碳纳米管结构** 《未公开》对比文件未公开碳纳米管结构的单元数量。对比文件未公开碳纳米管结构,也未限定束中单元数量,未公开。
**技术特征T:第一负极活性材料层的厚度为1μm至100μm** 《直接公开》段落[0157]:“第一复合电极层203a的厚度优选在约20-40微米范围内。”对比文件公开的第一层厚度优选范围20-40μm落入目标专利的1-100μm范围内,因此直接公开。
**技术特征U:第二负极活性材料层的厚度为1μm至100μm** 《直接公开》段落[0157]:“第二复合电极层203b的厚度优选在5-20微米范围内。”对比文件公开的第二层厚度优选范围5-20μm落入目标专利的1-100μm范围内,因此直接公开。

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