对比文件名称：2000-08-08_US6100776A_发明授权_US6100776A High-frequency composite transmission section with switch, LC filter, and notch filter
目标专利名称：三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法
本次调用模型名称：专利创造性评估模型
根据目标专利说明书及权利要求，以及对比文件US6100776A的内容，现进行技术特征比对分析如下：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》** | [2] “The two-terminal switch 11 is composed of first sending lines SL11 to SL13, and a coil L11, which are first inductance elements... The LC filter 12 is composed of second sending lines SL21 and SL22, which are second inductance elements... The notch filter 13 is composed of third sending lines SL31 to SL33, which are third inductance elements...” [2] “The high-frequency composite unit 10 includes a layered structure 14 containing the first to third sending lines SL11 to SL13, SL21, SL22, SL31 to SL33... therein; on the top face of the layered structure 14, which is a main surface of the same, are mounted the first and second diodes D11, D31, and D32...” | 对比文件明确公开了其高频复合单元（high-frequency composite unit）包含一个分层结构（layered structure 14），该结构内包含了作为电感元件的多个发送线（sending lines），例如第一电感元件SL11-SL13、第二电感元件SL21、SL22和第三电感元件SL31-SL33。这些电感元件（即“至少一个电感器”）被集成在由多层介质层堆叠形成的分层结构内部（即“第一层级”）。这与目标专利中“第一层级包括至少一个电感器”的技术特征相同。在对比文件中，这些电感元件是构成开关、LC滤波器和陷波滤波器的组成部分，其作用是为电路提供电感值；在目标专利中，电感器也是形成可调谐共用器滤波器的基本元件。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件中得出该技术方案。 |
| **B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《未公开》** | [2] “strip electrodes Lp1 to Lp33, comprising conductive layers, are respectively formed by printing on the upper surfaces of the fourth to eighth dielectric layers 14d to 14h and the tenth to thirteenth dielectric layers 14j to 14m.” | 对比文件中公开的电感元件（如发送线SL11-SL13等）是通过在介质层（dielectric layer）上表面印刷（printing）形成的带状电极（strip electrodes）。这种结构是平面布线（planar）电感，而非“穿基板通孔（through-substrate via, TSV）”电感器。后者通常指垂直穿过半导体或玻璃基板的导电柱。对比文件说明书及附图（图4-6）均未描述或暗示存在穿过基板（如从顶层到底层）的垂直通孔电感结构。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“穿基板通孔电感器”这一具体结构特征。 |
| **C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《直接公开》** | [2] “The notch filter 13 is composed of ... second diodes D31 and D32, which are second switching elements.” [2] “...the notch filter 13 serves to allow a high-frequency signal to pass through and to block the second harmonic of the high-frequency signal, when the low-frequency side is used... a control of the voltage applied to a second switching element of the notch filter permits the inductance components and capacitance components of an LC resonant circuit... to be controlled. As a result, a resonance frequency of the notch filter can be controlled.” [2] “on the top face of the layered structure 14... are mounted the first and second diodes D11, D31, and D32...” | 对比文件明确公开了陷波滤波器（notch filter 13）包含第二二极管D31、D32作为第二开关元件（second switching element）。通过控制施加在其上的电压（Vcc31， Vcc32），可以使其呈现电感或电容特性（见操作描述：turned ON to make them inductor components; turned OFF to make them capacitance components），从而控制LC谐振电路的谐振频率。这种通过电压控制电容/电感特性的二极管，在本领域即相当于变抗器（varactor）或可变电容元件。这些二极管（D31, D32）被“安装（mounted）”在分层结构（layered structure 14）的顶面（top face），这构成了不同于内部介质层的“第二层级”。并且，这些二极管通过电路连接（例如，与第三发送线SL32、SL33并联）耦合到作为电感元件的第三发送线（SL32， SL33）。因此，对比文件公开了“包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级”这一特征。二者作用相同，均用于提供可变电抗以实现频率调谐。 |
| **D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《直接公开》** | [2] “a high-frequency composite unit, wherein: a two-terminal switch constituting a transmission section, an LC filter, and a notch filter are connected between a first terminal and a second terminal; and said two-terminal switch, said LC filter, and said notch filter are integrated into a layered structure...” [2] “...the notch filter 13 is composed of third sending lines SL31 to SL33, which are third inductance elements, ... second diodes D31 and D32, which are second switching elements... a control of the voltage applied to a second switching element of the notch filter permits ... a resonance frequency of the notch filter can be controlled.” | 对比文件公开的高频复合单元（high-frequency composite unit）集成了开关、LC滤波器和陷波滤波器，其功能是在天线与收发电路之间进行信号路径选择和滤波，这实质上就是一种“共用器（diplexer）”或复合射频前端模块。其中的陷波滤波器（notch filter 13）由电感元件（第三发送线SL32， SL33）和作为变抗器的开关元件（第二二极管D31， D32）共同构成一个LC谐振电路，并且通过控制电压可以改变其谐振频率（即“可调谐”）。因此，对比文件中的电感器和变抗器（二极管）共同形成了一个可调谐的滤波器部分，该部分集成在高频复合单元（即共用器）中。这与目标专利中“合而形成可调谐共用器”的特征相符，作用均为构成可调谐的滤波网络。 |
| **E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《未公开》** | 对比文件全文未提及“玻璃上覆硅（SOG）”或类似结构。 | 对比文件中仅将二极管（D31， D32）描述为“开关元件（switching element）”，并通过控制电压改变其呈现的电抗特性来实现调谐。说明书未披露这些二极管的具体材料或制造工艺，特别是没有提及使用“玻璃上覆硅（SOG）”这种特定的半导体-on-绝缘体技术来制造变抗器。本领域技术人员无法从对比文件的内容中毫无疑义地得出或合理推断出变抗器是SOG变抗器。因此，该特定类型的变抗器结构未被对比文件公开。 |
| **F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《未公开》** | 同特征B的引用。对比文件中的电感元件是印刷在介质层表面的带状电极。 | 基于特征B的分析，对比文件未公开“穿基板通孔电感器”，更不可能公开其下位概念“穿玻通孔（TGV）电感器”。TGV是特定于玻璃基板的垂直互连技术。对比文件的电感结构是平面多层陶瓷（可能为LTCC）技术中的印刷导体，与TGV结构有本质区别。因此，该特征未被公开。 |
| **G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《未公开》** | [2] “the LC filter 12, which is a Low Pass Filter, serves to block the third harmonic...” [2] “The LC filter 12 is composed of second sending lines SL21 and SL22, which are second inductance elements, and second condensers C21 to C25, which are second capacitance elements.” | 对比文件中明确将LC滤波器12描述为低通滤波器（Low Pass Filter），但它是由第二发送线（电感）和第二电容器（电容）组成的。而目标专利特征G限定了“所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器”形成LP滤波器。在对比文件中，由电感（第三发送线）和作为变抗器的二极管（第二二极管）共同构成的是“陷波滤波器（notch filter）”，其功能是产生可调谐的带阻（陷波），而非低通滤波。虽然陷波滤波器可能具有带通特性，但其核心功能是频率选择性衰减，与让低频信号通过、衰减高频信号的低通滤波器（LPF）功能不同。对比文件没有教导或暗示将电感和变抗器的组合配置成低通滤波器。因此，该特征未被公开。 |
| **H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《未公开》** | [2] “The LC filter 12 is composed of second sending lines SL21 and SL22, which are second inductance elements, and second condensers C21 to C25, which are second capacitance elements.” [2] “the LC filter 12, which is a Low Pass Filter...” | 对比文件确实包含一个低通滤波器（LC filter 12），并且它由第二电感元件（第二发送线SL21， SL22）构成。然而，该LC滤波器中的电容元件是第二电容器（C21-C25），这些是固定的电容器，而非“变抗器”。对比文件没有公开在该LC滤波器中使用任何可变电容元件（变抗器）。说明书和权利要求中均未提及该LC滤波器是可调谐的。因此，“第二变抗器”以及由“第二变抗器和多个第二电感器合而形成可调谐共用器的LP滤波器”这一限定特征未被对比文件公开。 |
| **I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《直接公开》** | [2] “...a control of the voltage applied to a second switching element of the notch filter permits the inductance components and capacitance components of an LC resonant circuit composed of third inductance elements, third capacitance elements, resonators, and second switching elements to be controlled. As a result, a resonance frequency of the notch filter can be controlled.” | 对比文件明确记载了通过控制施加到第二开关元件（即第二二极管D31， D32，其作为变抗器）的电压，可以控制由第三电感元件、第三电容元件、谐振器和第二开关元件组成的LC谐振电路的电感分量和电容分量，从而控制陷波滤波器（notch filter）的谐振频率。这直接、明确地公开了变抗器（第二二极管）被配置用于调节共用器（高频复合单元）内滤波器（陷波滤波器）的陷波频率（谐振频率）。其作用与目标专利中变抗器调节陷波频率的作用完全相同。 |
| **J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《隐含公开》** | [2] “The LC filter 12 is composed of second sending lines SL21 and SL22, which are second inductance elements, and second condensers C21 to C25, which are second capacitance elements.” [2] “the LC filter 12, which is a Low Pass Filter, serves to block the third harmonic on a low-frequency side and the second harmonic and the third harmonic on a high-frequency side.” | 目标专利特征J限定了穿基板通孔电感器用于控制滤波器的截止频率。对比文件虽未明确提及“截止频率”，但其LC滤波器12作为低通滤波器，其滤波特性（包括截止频率）必然由其组成元件——第二电感元件（第二发送线）和第二电容元件的值共同决定。本领域技术人员公知，低通滤波器的截止频率由电路中的电感和电容参数决定。因此，对比文件中作为电感元件的第二发送线（SL21, SL22）必然参与决定并控制LC滤波器12的截止频率。尽管对比文件中的电感器结构（平面带状线）与目标专利的“穿基板通孔电感器”不同，但“配置成控制滤波器的截止频率”这一功能已被公开。考虑到隐含公开判断标准宽松，可以合理推断出该功能特征。 |
| **K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《未公开》** | [2] “The high-frequency composite unit 10 includes a layered structure 14 containing the first to third sending lines... therein” [2] “the layered structure 14 (FIG. 3) is formed by stacking the first to seventeenth dielectric layers, namely, 14a to 14q, sequentially from the top.” | 对比文件公开的高频复合单元采用“分层结构（layered structure）”，该结构由多个介质层（dielectric layers）堆叠而成，内部包含印刷的电极和通孔。这通常对应于低温共烧陶瓷（LTCC）或多层印刷电路板（PCB）技术，而非“半导体管芯（semiconductor die）”。半导体管芯通常指在单晶半导体衬底（如硅）上通过半导体工艺制造的有源/无源器件集合体。对比文件未描述将所述电路集成到单一的半导体管芯中。因此，该特征未被公开。 |
| **L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》** | [2] “The present invention relates to a high-frequency composite unit for use in mobile communication apparatuses such as a cellular phone, and the like, that can handle multiple frequency bands.” | 对比文件在说明书第[2]段开篇即明确指出，本发明涉及一种用于移动通信装置（如蜂窝电话等）的高频复合单元。因此，对比文件已明确公开了其高频复合单元（即其三维集成结构）可集成到“移动电话”或“蜂窝电话”中，而这两者均包含在目标专利特征L所列举的设备列表中。虽然列表中的其他设备未被提及，但公开了其中至少一种具体设备类型，即已满足“集成到从下组中选择的设备”这一特征的公开性。其作用与应用场景相同。 |
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