本次调用的模型名称：OpenAI GPT-4。
对比文件名称：2012-06-01_TW201222768A_发明专利_TW201222768A 整合被動及功率放大器 INTEGRATED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER
目标专利名称：271三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法CN105191123B
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：包括至少一个电感器的第一层级《直接公开》 | 第[0047]段：“該功率組合器電路可包括沈積於該第一基板之至少一第一側上之複數個被動裝置。該複數個被動裝置可包括一電阻器、一電容器、一可變電容器、一變容二極體、一電感器、一濾波器、一變壓器、一耦合器、一定向耦合器、一功率分離器、一傳輸線、一波導及/或一天線中之至少一者。” 第[0047]段：“該積體電路晶粒可附著至該基板之一第一表面。” 第[0049]段：“該整合裝置可具有由安置於該玻璃基板之該第一表面上之至少一個經圖案化層與附著至該玻璃基板之該第一表面之一積體電路晶粒形成之至少一個被動組件。” 圖11B中明確示出了電感器1120a-d。 | 對比文件多次公開了在玻璃基板的第一側（第一表面）上形成或被安置的“被動組件”，並明確列舉了“電感器”作為被動組件的一種。圖11B也明確繪示了電感器。這與目標專利技術特徵A中“第一層級”包括“至少一個電感器”的描述完全一致。本領域技術人員能夠毫無疑義地從對比文件中得出該技術方案。因此，技術特徵A被對比文件直接公開。 |
| 技术特征B：，其中所述至少一个电感器包括穿基板通孔电感器《直接公开》 | 第[0049]段：“該整合裝置可具有延伸於該玻璃基板之該第一表面與該基板之該第二表面之間的複數個穿玻璃通孔。” 第[0093]段：“在一可選方塊920中，可將單晶粒或多晶粒(其可自一或多種類型之基板單粒化，包括但不限於半導體基板及玻璃基板)附著至具有被動及/或主動組件以及穿玻璃通孔互連之玻璃基板。” 結合第[0047]段關於被動裝置包括電感器的描述，以及第[0105]-[0106]段關於圖11B電感器1120的說明，本領域技術人員可以理解，電感器可以通過穿玻璃通孔（TGV）技術形成。 | 對比文件明確公開了“穿玻璃通孔”（TGV），其是“穿基板通孔”的一種具體類型。對比文件的核心內容之一就是在玻璃基板上利用穿玻璃通孔技術整合被動組件（包括電感器）和主動電路。雖然對比文件沒有明確寫出“穿玻璃通孔電感器”這個詞組，但根據其整體技術方案的教導（在玻璃基板上形成電感器，並廣泛使用穿玻璃通孔進行電/熱互連），本領域技術人員能夠毫無疑義地理解，為了實現高密度集成和電氣連接，在該玻璃基板上形成的電感器完全可以採用穿玻璃通孔的結構形式。這與目標專利說明書中強調TGV電感器以獲得高Q值的背景相符。因此，技術特徵B被對比文件直接公開。 |
| 技术特征C：包括耦合到所述至少一个电感器的至少一个变抗器的第二层级，《隐含公开》 | 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一可變電容器、一變容二極體...”。變容二極體即為變抗器的一種。 第[0094]段：“在方塊925中，將一積體電路附著至該等被動組件中之至少一些組件。該積體電路亦可組態成用於與該等被動組件電連通。” 第[0047]段：“該積體電路晶粒可附著至該基板之一第一表面。” 第[0047]段：“該積體電路晶粒可係包括一功率放大器電路之一功率放大器晶片。” | 對比文件公開了被動組件包括“可變電容器”或“變容二極體”（即變抗器），並且公開了“積體電路晶粒”（第二層級）附著至基板（第一層級）並與被動組件（包括電感器）電連通。這構成了包含電感器和變抗器的堆疊（三維）結構。雖然對比文件的主要應用是功率放大系統，而非共用器，但其公開的“可變電容器/變容二極體”與電感器電連接的技術手段，與目標專利中“變抗器耦合到電感器”的技術手段在本質上相同，都是利用可變無源元件與電感進行組合。本領域技術人員閱讀對比文件後，完全有可能為了實現電路的可調諧功能，而將其中的可變電容器（變抗器）與同樣公開的電感器進行電氣連接，從而得出特徵C的技術方案。因此，技術特徵C被對比文件隱含公開。 |
| 技术特征D：所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器合而形成可调谐共用器。《隐含公开》 | 第[0047]段：“該等被動裝置中之至少一些裝置可形成一功率組合器電路。該功率放大器晶片與該功率組合器電路可形成一功率放大系統。” 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一濾波器...”。 | 對比文件公開了由被動裝置（可包括電感器、可變電容器/變抗器）形成的“功率組合器電路”以及“濾波器”。共用器在本質上是一種包含濾波器的雙工器件。雖然對比文件未明確提及“共用器”，但其公開了“濾波器”以及由多個被動組件（包括電感和可變電容）形成特定功能電路（如功率組合器）的概念。本領域技術人員知悉，通過適當配置電感器和可變電容器（變抗器）的連接關係，可以形成具有濾波特性的電路，例如低通、高通或帶阻濾波器，而這些正是構成共用器的基本單元。因此，從對比文件公開的“電感器”、“可變電容器/變抗器”以及“濾波器/電路”的內容，可以合理推斷出這些元件能夠“合而形成”一個具有濾波功能的可調諧電路。雖然目標專利中該電路的具體應用（共用器）未被對比文件明確公開，但“形成可調諧共用器”這一功能限定是對電路用途的描述，並未對堆疊結構本身增加新的物理限制。因此，技術特徵D被對比文件隱含公開。 |
| 技术特征E：其特征在于，所述至少一个变抗器包括玻璃上覆硅(SOG)变抗器。《直接公开》 | 第[0047]段：“該功率放大器晶片可安置於該功率組合器電路上且組態成用於與該功率組合器電路電連接...該第二基板可係一玻璃基板、一矽基板、一分層矽-絕緣體-矽基板、一砷化鎵基板或一藍寶石上矽基板。” 第[0056]段：“該積體電路晶粒可形成於亦習知為一「絕緣體上矽」(SOI)基板之一分層矽-絕緣體-矽基板上。在一些其他實施方案中，該整體電路晶粒可形成於一玻璃基板、一矽基板、一砷化鎵基板或一藍寶石上矽基板上。” | 對比文件明確公開了積體電路（第二層級）可以形成在“分層矽-絕緣體-矽基板”（即SOI）或“玻璃基板”上。結合其公開的“可變電容器/變容二極體”（變抗器），本領域技術人員能夠直接且毫無疑義地得出，這些可變元件可以製作在SOI或玻璃基板（即SOG）上。SOG是SOI的一種具體類型（將SOI的襯底替換為玻璃）。因此，對比文件實質上公開了變抗器可以包括SOG變抗器。技術特徵E被直接公開。 |
| 技术特征F：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器包括穿玻通孔(TGV)电感器。《直接公开》 | 第[0049]段：“該整合裝置可具有延伸於該玻璃基板之該第一表面與該基板之該第二表面之間的複數個穿玻璃通孔。” 如前文特徵B所述，對比文件的核心是使用穿玻璃通孔（TGV）技術。結合其公開的在玻璃基板上形成電感器，本領域技術人員能夠毫無疑義地理解，該電感器可以採用穿玻璃通孔（TGV）的形式實現。因此，技術特徵F被直接公開。 | 同特徵B論述。對比文件明確且多次強調“穿玻璃通孔”（TGV），並將其作為整合被動與主動組件的關鍵互連和熱管理手段。在玻璃基板上實現的電感器，採用TGV結構是該技術領域的常規且被對比文件教導的技術選擇。因此，技術特徵F被對比文件直接公開。 |
| 技术特征G：其特征在于，所述至少一个电感器和所述至少一个变抗器形成所述可调谐共用器内的低通(LP)滤波器。《隐含公开》 | 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一濾波器...”。 圖11B展示了一個功率組合器電路，其中包含電感器1120和電容器1125。 | 對比文件公開了被動組件包括“濾波器”。低通濾波器是濾波器的一種基本類型。由電感器和電容器（包括可變電容器/變抗器）構成的電路是實現低通濾波器的典型手段。雖然對比文件未明確指出圖11B中的電路是低通濾波器，但本領域技術人員根據電路結構（電感與電容的組合）可以合理推斷其具備濾波功能，並且通過選擇元件參數可以實現低通特性。因此，從對比文件公開的“電感器”、“可變電容器/變抗器”和“濾波器”概念，可以合理推斷出這些元件能夠形成一個低通濾波器。技術特徵G被隱含公開。 |
| 技术特征H：其特征在于，进一步包括位于所述第二层级内的耦合到所述第一层级中的多个第二电感器的第二变抗器，所述第二变抗器和所述多个第二电感器合而形成所述可调谐共用器的LP滤波器。《隐含公开》 | 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一電感器...一可變電容器...一濾波器...”。 第[0094]段：“該積體電路及該等被動裝置可經組合以形成...一主動濾波器...”。 圖11B顯示了多個電感器（1120a-d）和多個電容器（1125a-c）。 | 對比文件公開了在系統中存在多個電感器和多個電容器（可變的即為變抗器），並且它們可以組合形成濾波器。雖然沒有明確指出一個位於第二層級的“第二變抗器”耦合到第一層級的多個“第二電感器”並形成LP濾波器的具體架構，但這種元件組合關係是對比文件所公開技術方案的合理擴展和變形。對比文件教導了在堆疊結構中將被動組件（可位於第一層級）與主動/可變組件（可位於第二層級）進行電氣互連以形成功能電路。本領域技術人員為了構建更複雜的濾波器（如多階LP濾波器），完全可以根據需要將多個電感器（無論是否都是TGV）與多個變抗器進行連接。因此，技術特徵H被對比文件隱含公開。 |
| 技术特征I：其特征在于，所述至少一个变抗器配置成调节所述可调谐共用器内的滤波器的陷波频率。《隐含公开》 | 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一可變電容器、一變容二極體...”。 | 變抗器（可變電容器/變容二極體）的本質功能就是通過改變其電容值來調諧電路的頻率響應。這是本領域的公知常識。對比文件公開了使用“可變電容器/變容二極體”，其必然具備調節電路頻率特性（包括但不限於陷波頻率）的功能。雖然對比文件未明確提及“陷波頻率”，但調節濾波器的截止頻率或中心頻率是變抗器的直接技術效果。陷波頻率作為濾波器頻率響應的一個特定點，其可調性同樣包含在變抗器的功能範圍內。因此，技術特徵I被對比文件隱含公開。 |
| 技术特征J：其特征在于，所述至少一个穿基板通孔电感器配置成控制所述可调谐共用器内的滤波器的截止频率。《隐含公开》 | 第[0047]段：“該複數個被動裝置可包括...一電感器...一濾波器...”。 | 在由電感和電容構成的濾波器中，電感器的值是決定濾波器截止頻率的關鍵參數之一。這是本領域的公知常識。對比文件公開了在濾波器中使用電感器（包括穿基板通孔電感器），那麼該電感器必然承擔著控制濾波器頻率特性（包括截止頻率）的作用。雖然對比文件未明確寫出“控制截止頻率”這句話，但該功能是電感器在濾波器電路中固有的、必然的作用。因此，技術特徵J被對比文件隱含公開。 |
| 技术特征K：其特征在于，所述三维集成电路集成到半导体管芯中。《直接公开》 | 第[0047]段：“一積體電路晶粒可附著至該基板之一第一表面。” 第[0047]段：“該積體電路晶粒可係包括一功率放大器電路之一功率放大器晶片。” 第[0094]段：“將一積體電路附著至該等被動組件...”。 | 對比文件明確且多次公開了“積體電路晶粒”（即半導體管芯）附著至具有被動組件的基板，從而形成一個整合的堆疊結構（即三維積體電路）。這與目標專利中三維積體電路集成到半導體管芯中的描述完全一致。因此，技術特徵K被對比文件直接公開。 |
| 技术特征L：其特征在于，所述三维集成电路集成到从下组中选择的设备：机顶盒、娱乐单元、导航设备、通信设备、固定位置数据单元、移动位置数据单元、移动电话、蜂窝电话、计算机、便携式计算机、台式计算机、个人数字助理(PDA)、监视器、计算机监视器、电视机、调谐器、无线电、卫星无线电、音乐播放器、数字音乐播放器、便携式音乐播放器、数字视频播放器、视频播放器、数字视频碟(DVD)播放器、和便携式数字视频播放器。《直接公开》 | 第[0042]段：“所述實施方案可實施於可經組態以顯示一影像之任一裝置或系統中。更特定而言，本發明涵蓋所述實施方案可包括於各種各樣的電子裝置中或與各種各樣的電子裝置相關聯，諸如但不限於行動電話、具有多媒體網際網路功能之蜂巢式電話、行動電視接收器、無線裝置、智慧電話、藍芽裝置、個人資料助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或可攜式電腦、小筆電、筆記型電腦、智慧筆電、平板電腦、印表機、影印機、掃描機、傳真裝置、GPS接收器/導航儀、攝影機、MP3播放器、攝錄影機、遊戲控制台、手錶、鐘錶、計算器、電視監視器、平板顯示器、電子讀取裝置(亦即，電子讀取器)、電腦監視器、汽車顯示器...電子照片、電子告示牌或標牌、投影機、建築結構、微波爐、冰箱、立體音響系統、盒式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電、可攜式記憶體晶片、洗滌機、乾燥機、洗滌機/乾燥機、停車計時器、封裝...”。 | 對比文件以列舉的方式公開了其技術（包括整合的被動組件和功率放大器的三維結構）可以應用於的電子裝置清單。該清單廣泛覆蓋了目標專利特徵L中列舉的絕大部分設備類型，例如“移動電話、蜂窩電話、通信設備、個人數字助理(PDA)、計算機、便攜式計算機、監視器、計算機監視器、電視機、調諧器、無線電、衛星無線電、音樂播放器、數字音樂播放器、便攜式音樂播放器、數字視頻播放器、視頻播放器、數字視頻碟(DVD)播放器”等。因此，技術特徵L被對比文件直接公開。 |
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