对比文件名称：JP2000262494A_Description_20260619_2340
目标专利名称：指纹识别模块和包括该指纹识别模块的电子装置 CN111512447B
模型名称：未指定（本次调用未提供具体模型名称）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中（无实质技术内容） | 对比文件全文包含类似连接词“ことを特徴とする”等。 | 该特征仅为语法连接词，无技术限定，对比文件必然使用类似表述，不构成具体技术特征，无需公开性判断。 |
| 技术特征B：所述导电图案部包括：上导电图案部（未公开） | 对比文件[0034]：“センサ２１及び配線群２２ａ，２２ｂは、銅膜などの導電性膜から構成される。”翻译：“传感器21和布线组22a、22b由铜膜等导电膜构成。” | 对比文件仅公开了单层导电图案（配线群），未公开由上下导电图案部组成的导电图案部结构，更未区分“上导电图案部”。 |
| 技术特征C：所述上导电图案部设置在所述基板的上表面上（未公开） | 对比文件[0035]：“テープ状絶縁基板２０には、開口２５ａ，２５ｂが設けられている。”翻译：“带状绝缘基板20设有开口25a、25b。” | 对比文件未提及基板的“上表面”或“下表面”概念，也未指定导电图案设置的具体表面，未公开该特征。 |
| 技术特征D：下导电图案部（未公开） | 对比文件[0034]同B。 | 对比文件未公开“下导电图案部”，整体导电图案为单层。 |
| 技术特征E：所述下导电图案部设置在所述基板的下表面上（未公开） | 对比文件全文未提及基板下表面设置导电图案。 | 对比文件未公开任何关于下表面导电图案的内容。 |
| 技术特征F：通孔（未公开） | 对比文件[0035]提及基板上的“開口２５ａ，２５ｂ”，这些是开口（slit/hole），并非通孔（via）。 | 对比文件中的开口用于安装芯片或形成外部电极，未公开穿过基板用于连接上下导电图案的通孔。 |
| 技术特征G：所述通孔穿过所述基板并连接在所述上导电图案部与所述下导电图案部之间（未公开） | 对比文件[0035]同F。 | 由于对比文件未公开上下导电图案部及通孔，故未公开该连接关系。 |
| 技术特征H：其中（无实质技术内容） | 同特征A。 | 同特征A。 |
| 技术特征I：所述上导电图案部和所述下导电图案部中的每一者包括：设置在所述基板上的布线图案层（未公开） | 对比文件[0037]：“センサ２１及び配線群２２ａ，２２ｂは、導電性膜の堆積工程及び導電膜のエッチング工程によりテープ状絶縁基板２０上に形成される。”翻译：“传感器21和布线组22a、22b通过导电膜沉积工艺和导电膜蚀刻工艺形成在带状绝缘基板20上。” | 对比文件仅公开了单一的布线图案层（配线群）设置在基板的一个表面上，未公开两个导电图案部各自包括布线图案层的方案。 |
| 技术特征J：设置在所述布线图案层上并包含锡的第一镀层（未公开） | 对比文件[0034]：“銅膜などの導電性膜”即铜膜等导电膜。 | 对比文件未公开任何镀层，特别是未公开包含锡的镀层。 |
| 技术特征K：设置在所述第一镀层上并包含锡的第二镀层（未公开） | 对比文件[0034]同J。 | 对比文件未公开任何多层镀层结构。 |
| 技术特征L：还包括：第一连接部（未公开） | 对比文件[0038]：“配線群２２ａ，２２ｂと半導体チップ２３は、インナーリードボンディング（ＩＬＢ）により互いに接続される。”翻译：“布线组22a、22b和半导体芯片23通过内引线键合（ILB）彼此连接。” | 对比文件中的ILB结构用于连接芯片与布线，但该连接部对应于第二芯片（ASIC），而目标专利的第一连接部用于第一芯片（指纹传感器）。对比文件中的传感器为直接形成在基板上的电极阵列，不存在独立的“第一连接部”。 |
| 技术特征M：所述第一连接部设置在通过所述保护层的所述第一开口区域暴露的所述导电图案部上（未公开） | 对比文件[0035]提及开口25a用于芯片，但该开口对应第二芯片（ASIC）安装区域；[0039]提到保护性树脂涂布，但未明确保护层具有暴露导电图案的第一开口区域用于第一连接部。 | 对比文件没有公开用于第一芯片（传感器）的连接部，因此也不存在对应的保护层第一开口区域及暴露的导电图案部。 |
| 技术特征N：第二连接部（直接公开） | 对比文件[0038]：“配線群２２ａ，２２ｂと半導体チップ２３は、インナーリードボンディング（ＩＬＢ）により互いに接続される。”翻译：“布线组22a、22b和半导体芯片23通过内引线键合（ILB）彼此连接。” | 对比文件中的ILB结构即用于连接第二芯片（ASIC）与导电图案的连接部，本领域技术人员可直接毫无疑义地确定该结构为“第二连接部”。 |
| 技术特征O：所述第二连接部设置在通过所述保护层的所述第二开口区域暴露的所述导电图案部上（直接公开） | 对比文件[0035]：“テープ状絶縁基板２０には、半導体チップ２３を搭載する領域及び配線群２２ｂの一部分に開口２５ａ，２５ｂが設けられている。”翻译：“带状绝缘基板20设有用于安装半导体芯片23的开口25a以及用于布线组22b一部分的开口25b。” [0039]：“配線群（電極アレイを含む）２２ａ，２２ｂを保護するために、ソルダーレジスト膜２４ｂを使用している。”翻译：“为了保护布线组（包括电极阵列）22a、22b，使用阻焊膜24b。” | 开口25a用于安装芯片（第二芯片），该开口区域必然暴露导电图案（配线群22a的末端）以便进行ILB连接。阻焊膜（保护层）在开口区域不覆盖，形成暴露区域。本领域技术人员可毫无疑义地确定第二连接部（ILB凸点）设置在该暴露的导电图案上。 |
| 技术特征P：所述第一连接部的横截面形状不同于所述第二连接部的横截面形状（未公开） | 对比文件全文未描述任何连接部的横截面形状。 | 对比文件未公开第一连接部和第二连接部的形状，更未公开形状不同。 |
| 技术特征Q：其中（无实质技术内容） | 同特征A。 | 同特征A。 |
| 技术特征R：通过所述第一开口区域暴露的所述导电图案部具有7μm至10μm的范围内的厚度（未公开） | 对比文件全文未提及任何导电图案部的厚度具体范围。 | 对比文件未公开该厚度范围，尤其未提及第一开口区域暴露的导电图案部的厚度。 |
| 技术特征S：其中（无实质技术内容） | 同特征A。 | 同特征A。 |
| 技术特征T：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形（未公开） | 对比文件全文无连接部形状描述。 | 对比文件未公开第一连接部的横截面形状。 |
| 技术特征U：所述第二连接部的所述横截面形状包括弯曲表面（未公开） | 对比文件全文无连接部形状描述。 | 对比文件未公开第二连接部的弯曲表面形状。 |
| 技术特征V：还包括：第三连接部（未公开） | 对比文件仅有一个半导体芯片23（ASIC），没有第三芯片及相应的第三连接部。 | 对比文件未公开第三连接部。 |
| 技术特征W：所述第三连接部设置在通过所述保护层的所述第三开口区域暴露的所述导电图案部上（未公开） | 对比文件无第三开口区域。 | 对比文件未公开第三连接部及其设置位置。 |
| 技术特征X：具有与所述第一连接部的所述横截面形状不同的横截面形状（未公开） | 对比文件无相关形状公开。 | 对比文件未公开任何横截面形状差异。 |
| 技术特征Y：所述第一连接部的所述横截面形状包括矩形（未公开） | 同特征T。 | 同特征T。 |
| 技术特征Z：所述第三连接部的所述横截面形状包括弯曲表面（未公开） | 对比文件无第三连接部。 | 对比文件未公开第三连接部及其形状。 |
### 结论
根据上述比对，对比文件JP2000262494A直接公开了技术特征N和第二技术特征O，即：
- 第二连接部（通过内引线键合连接芯片与布线）；
- 第二连接部设置在通过保护层的第二开口区域暴露的导电图案部上（开口25a用于芯片，阻焊膜不覆盖该区域）。
其他技术特征均未被直接或隐含公开。
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