**对比文件名称：** 2007-05-24_WO2007058451A_发明申请_WO2007058451A1 LIQUID LENS AND A METHOD FOR PRODUCING THE SAME
**目标专利名称：** 1579液体透镜模块、包括液体透镜模块的相机模块以及包括相机模块的光学设备CN112189149B
**本次调用的模型名称：** 资深专利代理师评估模型（基于GPT-4架构）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：第一板，包括容纳导电液体和非导电液体的腔体<br><br>《直接公开》 | [22] “提供一种制造液体透镜的方法，包括步骤：提供具有中心孔的硅衬底；……将导电液体和非导电液体注入由该孔和下基板围成的液体储存器中。”<br>[23] “一种液体透镜结构，包括：具有中心孔的硅衬底；……”（原文：providing a silicon substrate having a hole in the center; ... putting conductive liquid and non-conductive liquid into a liquid storage enclosed by the hole and the lower substrate; ... a liquid lens structure comprising a silicon substrate having a hole in the center thereof.） | 对比文件明确公开了硅衬底（相当于第一板）具有孔（腔体），该孔容纳导电液体（水）和非导电液体（油），且上下由玻璃基板密封形成腔体。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：第二板和第三板，分别设置在所述第一板的上方和下方<br><br>《直接公开》 | [23] “一种液体透镜结构，包括：具有中心孔的硅衬底；透明的下基板，其上表面设有电极，并且密封地结合到硅衬底的下部；以及透明的上基板，密封地结合到硅衬底的上部。”（原文：a transparent lower substrate ... bonded to a lower part of the silicon substrate hermetically; and a transparent upper substrate bonded to an upper part of the silicon substrate hermetically.） | 对比文件直接公开了上玻璃基板和下玻璃基板（相当于第二板和第三板）分别设置在硅衬底（第一板）的上方和下方，并与硅衬底密封结合。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：第一电极和第二电极，分别设置在所述第一板的一侧和另一侧上，其中，所述腔体具有倾斜表面，所述倾斜表面从形成在所述第二板的下方的入射开口延伸到出射开口<br><br>未公开 | [49] “在图6的步骤中，如果硅衬底100上的孔120是垂直形成的，则可以获得如图13所示的具有垂直结构的液体透镜。”<br>[45]-[46] “下电极160形成在下玻璃基板150上……下玻璃基板150与硅衬底100结合。”<br>[24] “通过使用诸如硅的导电材料作为基板，可以克服形成电极的困难。”（原文：difficulty in forming an electrode can be overcome by using a conductive material, such as silicon, for a substrate.） | 对比文件中，电极的设置方式与目标专利不同：下电极形成于下玻璃基板（第三板）上，而非第一板上；硅衬底虽可导电但整体作为基板，未明确作为独立电极设置在第一板“一侧”和“另一侧”。此外，对比文件明确描述了孔可以垂直形成（图13），未公开腔体具有倾斜表面，也未公开入射开口、出射开口及其位置关系。因此，技术特征C未被直接公开，也不能从对比文件中合理推断出该特征。 |
| **技术特征D**：其中，在宏观状态下模块倾斜角度为1°<br><br>未公开 | 对比文件全文未涉及任何倾斜角度、模块倾斜角度或宏观状态下的角度条件。 | 目标专利的该特征涉及手抖动补偿（OIS）性能要求，对比文件未讨论任何与倾斜角度或OIS相关的参数。因此，技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：其中，所述液体透镜模块的总体厚度为1mm或更小<br><br>未公开 | 对比文件全文未提及液体透镜模块的总体厚度或任何厚度数值。 | 目标专利限定模块总体厚度≤1mm，对比文件没有给出任何厚度限制或具体数值。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：其中，所述第一板的厚度为0.75mm<br><br>未公开 | 对比文件全文未提及第一板（硅衬底）的具体厚度数值。 | 目标专利限定第一板厚度为0.75mm，对比文件未公开任何厚度尺寸。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其中，光在其内入射于液体透镜模块上的光程范围为1.6mm至1.85mm；并且，在宏观状态下和在宏观状态下满足OIS倾斜条件的比值大于0.3且小于或等于0.42，所述比值是指所述第一板在所述入射开口和所述出射开口之间的厚度与所述入射开口的宽度的比值<br><br>未公开 | 对比文件全文未涉及光程范围、入射开口宽度、第一板厚度与开口宽度的比值等参数。 | 目标专利的该特征通过特定几何尺寸关系实现OIS倾斜条件。对比文件没有公开任何光程范围、入射开口宽度或厚度比值。因此，技术特征G未被公开。 |
### 总结
通过特征比对表分析，对比文件WO2007058451A1仅明确公开了技术特征A和B，对于技术特征C至G均未直接或隐含公开。技术特征C中关于电极设置于第一板两侧、腔体倾斜表面等细节与对比文件明显不同；技术特征D至G涉及的具体数值和性能参数在对比文件中完全未提及。因此，对比文件不能破坏目标专利权利要求中技术特征A和B之外的其他特征的创造性。
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