对比文件名称：2016-08-24_CN103959154B_发明授权_CN103959154B 液晶显示装置；目标专利名称：1585基板CN110770646B；本次调用的模型名称：GPT-4。
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括：基础层《直接公开》 | [0066]：“玻璃基板等透明的绝缘基板2”；[0012]：“绝缘基板101、102”。 | 对比文件明确公开了玻璃等绝缘基板作为基础层，用于承载间隔物等元件，与目标专利的基础层作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：和设置在所述基础层上的复数个间隔物《直接公开》 | [0066]：“在BM4上配置有副间隔物5和主间隔物15”。 | 对比文件直接公开了在基板上配置多个间隔物（副间隔物和主间隔物），这些间隔物用于保持单元间隙，与目标专利的间隔物设置方式和目的相同，因此直接公开。 |
| 技术特征C：其中每个间隔物为在顶部具有半球形部分的半球形间隔物《隐含公开》 | [0067]：“副间隔物5形成为圆滑的凸形状”；[0079]：“副间隔物5的形状接近凸形状”；[0081]图7-9示出多种凸形，其中部分形状（如圆形前端）可视为半球形部分。 | 对比文件未明确使用“半球形”一词，但其描述的圆滑凸形状在顶部呈弧形弯曲，与半球形部分形态相似；本领域技术人员根据其功能（避免前端凹部产生的取向缺陷）可合理推断该凸形状的顶部包含半球形部分，因此隐含公开。 |
| 技术特征D：其中所述半球形部分为所述间隔物的包含弯曲形状的部分《隐含公开》 | 同上，[0067]描述厚度单调递增再单调递减形成弯曲轮廓。 | 对比文件公开的间隔物具有连续弯曲的轮廓（凸形状），该弯曲部分即为顶部区域，与特征D中“包含弯曲形状的部分”对应；在特征C隐含公开的基础上，特征D也隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述弯曲形状的截面具有最大曲率为150mm⁻¹或更小的轨迹《未公开》 | 对比文件全文未提及任何曲率数值。 | 对比文件仅公开间隔物的高度、底面直径等尺寸，未涉及截面曲率，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出最大曲率150mm⁻¹的限制，因此未公开。 |
| 技术特征F：其中所述间隔物中的每个间隔物为包括所述半球形部分并且具有高于所述半球形部分的高度的柱状间隔物《未公开》 | 对比文件未描述柱状部分；实施例中副间隔物整体高度2.5μm。 | 对比文件的副间隔物为直接形成的凸起，无分离的柱状部分和半球形部分，高度均为凸起高度；目标专利的“柱状间隔物”结构未被任何实施方式公开或暗示，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述半球形部分的高度在5μm至20μm的范围内；并且中相对于所述基础层的总面积，被所述间隔物占据的面积比率为20％或更小《未公开》 | [0166]：“副间隔物的底面的直径为12μm、厚度为2.5μm”；无面积比率信息。 | 对比文件实施例中副间隔物高度为2.5μm，远低于5μm下限；且未公开间隔物占据面积比率，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中，所述复数个间隔物的标准间距为P，当在所述基础层的表面上任选地选择具有10P作为一条边长度的两个或更多个正方形区域时，存在于每个正方形区域中的间隔物的数量的标准偏差为2或更小《未公开》 | 对比文件未提及标准间距、标准偏差等统计参数。 | 对比文件仅描述间隔物大致规则地配置在子像素中，未涉及任何特定的密度均匀性量化指标，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述复数个间隔物布置为使得相邻间隔物之间的间距的分布由间隔正态分布图表示《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开任何间距分布图，亦未暗示存在正态分布形式的排列，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中，在所述间隔正态分布图中，相邻间隔物之间的间距表示在所述间隔正态分布图的X轴上并且具有给定间距的相邻间隔物的比率表示在所述间隔正态分布图的Y轴上《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未定义任何分布图坐标轴，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中具有给定间距的相邻间隔物的比率的总和为1；并且中所述复数个间隔物设置成使得所述间隔正态分布图的半高宽为0.5μm至1,000μm以及所述间隔正态分布图的最大高度小于1《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开半高宽、最大高度等分布图参数，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《直接公开》 | [0081]：“副间隔物也可以一部分平坦，具体而言，例如既可以如图8(a)所示那样从剖面看时为梯形，也可以如图8(c)所示那样为前端部平坦的圆柱状。” | 对比文件明确公开间隔物具有平坦部分（梯形顶部、圆柱状顶部），平坦部分的截面轨迹曲率为0，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述半球形部分的宽度在2μm至40μm的范围内《直接公开》 | [0166]：“副间隔物的底面的直径为12μm”。 | 对比文件公开副间隔物底面直径12μm，该直径对应于目标专利中半球形部分的宽度（间隔物底部宽度），12μm落在2‑40μm范围内，因此直接公开。 |
| 技术特征N：其中在所述间隔物的底部形成其中截面轨迹为曲率中心形成在截面外部的弯曲形状的渐缩部分《未公开》 | 对比文件未描述间隔物底部具有特定渐缩弯曲形状。 | 对比文件附图及文字均未显示间隔物底部存在曲率中心在外部的弯曲渐缩部分，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中配向膜形成在所述基础层和所述间隔物上；并且中形成在所述间隔物上的所述配向膜的顶部具有半球形《未公开》 | [0083]：“通常涂敷液几乎不残留在副间隔物5上，因此水平光取向膜7不形成在副间隔物5上，或者在副间隔物5上仅极微量地形成。” | 对比文件明确说明取向膜通常不在副间隔物上形成或仅极微量，未公开配向膜完整形成于间隔物上并具有半球形顶部，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的截面轨迹的最大曲率为2,000mm⁻¹或更小《未公开》 | 同特征O，未公开配向膜形成于间隔物上。 | 基于特征O未公开，此特征前提不成立，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述配向膜的顶部的所述半球形的所述截面轨迹包括曲率为0mm⁻¹的轨迹《未公开》 | 同特征O。 | 基于特征O未公开，故未公开。 |
| 技术特征R：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的高度在1μm至50μm的范围内《未公开》 | 同特征O。 | 基于特征O未公开，故未公开。 |
| 技术特征S：其中形成在所述间隔物上的所述配向膜的宽度在1μm至80μm的范围内《未公开》 | 同特征O。 | 基于特征O未公开，故未公开。 |
| 技术特征T：当任选地选择所述复数个间隔物中的三个、四个或六个间隔物时《未公开》 | 对比文件未涉及选择特定数量间隔物形成闭合图形。 | 对比文件未公开或暗示这种选择方案，因此未公开。 |
| 技术特征U：条件是当选择选定的间隔物以形成作为闭合图形的三角形、四边形或六边形时《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开间隔物形成闭合图形的方式，因此未公开。 |
| 技术特征V：在所述闭合图形中不存在其他间隔物《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开闭合图形内部无其他间隔物的条件，因此未公开。 |
| 技术特征W：所述间隔物设置成使得所述三角形、所述四边形或所述六边形中的边的长度中的至少一者不同《未公开》 | 对比文件无相关内容。 | 对比文件未公开间隔物间距存在差异性的具体设计，因此未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<c>>><<<d>>><<<L>>><<<M>>>