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对比文件列表
2008-07-03_JP2008151773A_发明专利_JP2008151773A Method of mixture in microchannel_+++W_m_s+++.docx
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2009-09-03_WO2009106507A_发明申请_WO2009106507A2 GRAPHITE NANOPLATELETS AND COMPOSITIONS_+++I_N_O_Q_S_T_W_j_k_l_m_p_r_u_v+++.docx
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2010-01-01_TW201000398A_发明专利_TW201000398A 石墨奈米小板及組成物 GRAPHITE NANOPLATELETS AND COMPOSITIONS_+++I_N_O_Q_S_T_W_j_k+++.docx
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2010-02-04_US2010028681A_发明申请_US20100028681A1 Pristine and Functionalized Graphene Materials_+++W_o_q_s+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++I_N_O_Q_S_T_W+++.docx
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2010-11-03_KR1020100117684A_发明公开_KR1020100117684A 흑연 나노판 및 조성물_+++I_N_O_Q_S_T_W_a_b_c_d_e_f_g_h_j_k_r_x_y_z+++.docx
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2010-12-22_EP2262727A_发明公开_EP2262727A2 GRAPHITE NANOPLATELETS AND COMPOSITIONS_+++I_N_O_Q_S_T_W+++.docx
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2011-04-28_JP2011513167A_发明专利_JP2011513167A Nanoplatelets and composition of graphite_+++I_J_K_N_O_S_T_W_q+++.docx
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2013-01-14_KR1020130004638A_发明公开_KR1020130004638A 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++B_I_L_M_N_O_R_S_T_W_X_c+++.docx
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2013-06-18_KR101274441B_发明授权_KR101274441B1 그래핀, 흑연 나노 플레이트의 혼합 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++B_I_L_M_N_O_R_S_T_W_X_c+++.docx
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2013-07-22_KR1020130083128A_发明公开_KR1020130083128A 그래핀 분산액 및 그의 분말의 제조 방법_+++E_H_I_L_M_N_O_R_S_T_W_a_f+++.docx
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2014-04-10_WO2014053510A_发明申请_WO2014053510A1 GRAPHEN-HALTIGE SUSPENSION, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG, GRAPHENPLÄTTCHEN UND VERWENDUNG_+++B_C_L_N_O_S_T_W_y_z+++.docx
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2014-04-30_CN102015529B_发明授权_CN102015529B 纳米石墨片和组合物_+++I_N_O_Q_S_T_W+++.docx
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2009-09-03_WO2009106507A_发明申请_WO2009106507A2 GRAPHITE NANOPLATELETS AND COMPOSITIONS_+++I_N_O_Q_S_T_W_j_k_l_m_p_r_u_v+++.docx

对比文件名称:2009-09-03_WO2009106507A_发明申请_WO2009106507A2 GRAPHITE NANOPLATELETS AND COMPOSITIONS

目标专利名称:1628利用高速均质化预处理和高压均质化制备石墨烯的方法CN107108226B

本次调用模型名称:DeepSeek 大语言模型

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用 (中文翻译,含段落编号)公开性论述
A: 步骤1,对含有膨胀石墨和分散剂的分散液进行高速均质化来制备进料溶液的步骤(未公开)D1未公开在高压均质前进行专门的“高速均质化预处理”步骤。D1全文中没有出现“高速均质”和“进料溶液”的对应概念。目标专利的步骤1是专门为高压均质化制备进料溶液的前处理步骤,旨在解决膨胀石墨在高压均质器中分散性差的问题。D1完全未采用高压均质器剥离,也不存在该独立的预处理步骤。本技术特征未被公开。
B: 步骤2,使所述进料溶液通过高压均质器的步骤(未公开)D1公开的剥离方法为湿磨(Dyno-研磨机)、超声或受控空化(SPR)。未公开“高压均质器”及其相关操作。目标专利步骤2的核心在于使用“高压均质器”进行剥离。D1的湿磨、超声和受控空化的设备结构与原理均与高压均质器不同。不存在使物料通过高压均质器的步骤。
C: 高压均质器包括入口、出口以及连接在所述入口和所述出口之间并且具有微米级直径的微通道(未公开)D1公开的湿磨设备([p0152])存在研磨腔(包含研磨珠和缝隙),受控空化设备([p0163])具有出、入口,但均非目标专利所指的具有固定微米级直径微通道的“高压均质器”结构。目标专利高压均质器的剪切力来源于高压流体通过微通道。D1未描述任何高压均质器的入口、出口与微通道的特定连接结构。
D: 所述高速均质化通过以3000至8000rpm搅拌所述分散液来进行(未公开)D1实施例5中SPR反应器设定为3600 rpm,但该转速对应的是受控空化剥离步骤,而非目标专利所指的“高速均质化预处理”步骤。D1不存在目标专利的“高速均质化预处理”步骤,因此该步骤的转速参数也不存在。
E: 所述高速均质化进行0.5至3小时(未公开)D1未公开该时间参数。D1的预处理步骤不存在,因此时间参数不存在。
F: 并使用高速均质器进行搅拌(未公开)[p0155] “需要通过顶部机械搅拌器(overhead mechanical stirrer)或手动搅拌,以确保膨胀石墨与泵入Dyno-研磨机的矿物油混合。”D1使用的是“顶部机械搅拌器”,这是一种常规的低剪切搅拌装置,而非目标专利中限定的一种具有转子和定子结构且能提供高剪切速率(>10⁴秒⁻¹)的专用于均质化的“高速均质器”。
G: 其中在高速均质器的转子和定子之间施加的剪切速率为>10⁴ 秒⁻¹(未公开)D1未公开该剪切速率参数。D1未公开高速均质器(或任何等同预处理设备)的任何剪切速率参数。
H: 其中,所述膨胀石墨与所述分散剂的重量比为2.5至20(未公开)[p0163] “使PLURONIC P123与等离子体膨胀石墨的重量比为1:1”。[p0167] “17磅PLURONIC P123(分散剂)和17磅等离子体膨胀石墨”。D1的实施例明确公开的重量比为1:1,与目标专利限定的2.5至20范围完全不同。D1没有部分公开该比例范围。
I: 其中,所述膨胀石墨在所述分散液中的浓度为0.5重量%至5重量%(直接公开)[p0153] “通常,起始分散液中等离子体处理石墨在DRAKEOL® 34矿物油中的最大浓度为0.5重量%”。[p0163] “通常,水性分散液的初始浓度为1-2重量%,...但可以制成更高浓度(高达5重量%)”。D1明确教导了石墨剥离前在分散液中的浓度范围为0.5重量%至5重量%(包括0.5%、1-2%、最高5%)。这与目标专利限定的膨胀石墨在分散液中的浓度范围完全一致,且在D1中的作用同样是提供适合后续剪切剥离的初始分散体系。
J: 其中,所述膨胀石墨的振实密度为0.01至0.5g/cm³(隐含公开)[p0057] “通过等离子处理得到的比密度为约0.03至约0.001 g/cc (即0.03至0.001 g/cm³)。”D1公开的膨胀石墨振实密度为0.001至0.03 g/cm³,与目标专利限定的0.01至0.5 g/cm³的范围部分重叠(0.01-0.03 g/cm³)。D1部分公开了该技术特征。
K: BET表面积为5至50 m²/g(隐含公开)[p0058] “通过等离子处理得到的BET表面积大于约30 m²/g,例如约60至约600 m²/g,例如约70至约150 m²/g。”D1公开的BET表面积范围为>30 m²/g,与目标专利限定的5至50 m²/g的范围部分重叠(30-50 m²/g)。D1部分公开了该技术特征。
L: 芘类低分子量衍生物(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂。”芘类低分子量衍生物(如芘丁酸衍生物)是本领域常用的非离子/阴离子型石墨烯分散剂。D1广泛公开了各类表面活性剂,本领域技术人员可以合理推断出该具体物质属于其公开的上位概念范畴。
M: 纤维素聚合物(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是...非离子表面活性剂。”纤维素聚合物(如羟丙基甲基纤维素等)是典型的非离子型高分子分散剂。D1公开的非离子表面活性剂这一上位概念涵盖了该物质。
N: 阳离子表面活性剂(直接公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂。”D1明确、直接地公开了“阳离子表面活性剂”这一分散剂类别,与目标专利限定的作用相同。
O: 阴离子表面活性剂(直接公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂。”D1明确、直接地公开了“阴离子表面活性剂”这一分散剂类别。
P: 正十二烷基b‑D‑麦芽糖苷(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是...非离子...表面活性剂。”正十二烷基b‑D‑麦芽糖苷是一种非离子型糖苷表面活性剂,属于D1公开的非离子表面活性剂范畴。
Q: 两性表面活性剂(直接公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂(amphiphilic surfactants)。”D1明确、直接地公开了“两性表面活性剂”这一类分散剂。
R: 聚乙烯吡咯烷酮类聚合物(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是...非离子...表面活性剂。”PVP是常见的非离子高分子分散剂,属于D1公开的非离子表面活性剂范畴。
S: 聚氧化乙烯类聚合物(直接公开)[p0060] “优选的还有含有聚氧化乙烯单元的非离子表面活性剂。”D1明确、直接地公开了“含有聚氧化乙烯单元的非离子表面活性剂”,即聚氧化乙烯类聚合物作为分散剂。
T: 环氧乙烷‑环氧丙烷共聚物(直接公开)[p0060] “表面活性剂也可以是聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物(polyethylene oxide/polypropylene oxide copolymers),可作为PLURONIC(BASF)获得。”D1明确、直接地公开了环氧乙烷-环氧丙烷共聚物作为分散剂的具体实例,即目标专利限定的“环氧乙烷-环氧丙烷共聚物”。
U: 丹宁酸(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂。”丹宁酸是一种多酚两亲性物质,可作为分散剂,可归类于D1公开的阴离子或两性表面活性剂范畴。
V: 多种多环芳烃氧化物的混合物,其是含有60重量%以上的量的分子量为300至1000的多环芳烃氧化物的混合物(隐含公开)[p0060] “合适的表面活性剂是阴离子、阳离子、非离子或两性表面活性剂。”多环芳烃氧化物的混合物通常为非离子或两性化合物,属于D1公开的表面活性剂宽泛范畴。本领域技术人员可以合理推断该类型的混合物被涵盖。
W: 其中,所述分散液的溶剂是选自水、NMP、丙酮、DMF、DMSO、...中的一种或多种(直接公开)[p0162] “用水制成膨胀石墨的分散液...”。[p0213] “将27 mg无表面活性剂的石墨烯纳米片分散在50 mL二甲基甲酰胺(DMF)中”。D1明确、直接地公开了使用“水”和“N,N-二甲基甲酰胺(DMF)”作为石墨烯剥离分散液的溶剂,这两者均为目标专利权利要求所列举的溶剂中的具体物质。
X: 其中,所述进料溶液中的膨胀石墨在施加剪切力下通过微通道时被剥离,从而制备石墨烯(未公开)D1未公开该特征。D1全文未提及通过“高压均质器的微通道”使物料通过时被剥离的机理。D1的剥离在Dyno-研磨机(通过研磨介质)、超声仪(空化)或SPR(转子定子空化)中完成,不存在该特征。
Y: 其中,所述微通道的直径为50至300μm(未公开)D1未公开该直径。D1不存在高压均质器的微通道结构,更未公开其直径。
Z: 其中,所述进料溶液被引入到施加500至3000巴的压力下的所述高压均质器的入口并通过所述微通道(未公开)D1未公开该压力条件。D1的全部剥离工艺(湿磨、超声、受控空化)均不涉及在500-3000巴的高压下使物料通过微通道。

**公开性代码汇总**

根据上述比对,对比文件直接公开或隐含公开的技术特征代码如下:

直接公开代码:

<<<I>>><<<N>>><<<O>>><<<Q>>><<<S>>><<<T>>><<<W>>>

隐含公开代码:

<<<j>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<p>>><<<r>>><<<u>>><<<v>>>

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