对比文件名称：2007-09-06_DE102006013812A_发明专利_DE102006013812A1 Thin film capacitor and method of making the same, electronic device and printed circuit board
目标专利名称：CN106165094B 用于晶片翘曲减小的应力缓解结构
本次调用的模型名称：DeepSeek
## 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括：支撑第一沉积层间电介质的基板<br>**未被公开** | 对比文件说明书“DETAILIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG”部分：<br>“Ein Isolierfilm 12 wird auf einem Basissubstrat 10 gebildet, wie in 1A und 1B veranschaulicht. Das Basissubstrat 10 ist z.B. ein Halbleitersubstrat, spezifischer ein Siliciumsubstrat. Als Isolierfilm 12 wird beispielsweise ein Siliciumoxidfilm gebildet.”<br>（译文：如图1A和1B所示，在基板10上形成绝缘膜12。基板10例如是半导体基板，具体是硅基板。绝缘膜12例如是氧化硅膜。） | 对比文件公开了基板（Basissubstrat）以及其上形成的绝缘膜（Isolierfilm）。然而，目标专利中的“基板”用于支撑一个包含“第一沉积层间电介质”的特定结构，其整体目的在于通过层间电介质的特定布置来减小晶片翘曲。对比文件中的基板是用于支撑薄膜电容器（Kondensatorteile）的基底，其上的绝缘膜（12）用于隔离基板与电容器部件（见原文“Der Isolierfilm 12 dient zum Isolieren des Basissubstrats 10 und der Kondensatorteile 20”）。两者作用不同：目标专利的基板是应力缓解结构的物理支撑和应力源，而对比文件的基板是电容器器件的载体和电隔离部分。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或通过合理推理得出目标专利中用于支撑特定应力缓解层间电介质结构的基板技术方案。因此，该技术特征未被直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征B**：包括后端制程（BEOL）导电层的第一导电栈，所述第一导电栈处于相对于所述基板的第一标高处，<br>**未被公开** | 对比文件说明书多处描述了形成在基板上的导电层，例如：<br>“Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 ... Auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 werden Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 ... gebildet. So werden Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektroden 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 enthalten.”<br>（译文：电容器电极（下电极）14...在介电电容器膜16上形成电容器电极（上电极）18...。从而形成电容器部件20，每个包括电容器电极14、介电电容器膜16和电容器电极18。） | 对比文件确实公开了在基板上方不同高度处的导电层（如下电极14和上电极18）。然而，目标专利的“第一导电栈”明确限定为包括“后端制程（BEOL）导电层”。根据目标专利说明书[0005]段，BEOL工艺涉及将FEOL和MEOL工艺中创建的半导体器件互连的一系列步骤。对比文件中描述的导电层（14, 18等）是构成薄膜电容器（MIM结构）的电极，属于无源器件本身的一部分，而非用于互连多个器件或晶体管的BEOL互连层。两者的功能和所属工艺阶段不同。此外，目标专利的“导电栈”是一个为缓解应力而设计的、可能包含多个导电层和通孔互连的垂直结构（见图3B的导电栈I”），而对比文件中的层叠结构是为了形成电容器。因此，本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出目标专利中具有特定BEOL属性的“第一导电栈”。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：其中第一导电栈包括第一导电层直接在所述基板的表面上、第一沉积层间电介质仅在第一导电层的表面上、第二沉积电介质层在第一导电层上、第二导电层在第二沉积电介质层上、以及第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层<br>**未被公开** | 对比文件说明书描述了多层结构，例如在第一实施例中：<br>“Kondensatorelektroden (untere Elektroden) 14 ... werden auf dem Isolierfilm 12 gebildet.”<br>“Ein dielektrischer Kondensatorfilm 16 wird auf den Kondensatorelektroden 14 gebildet.”<br>“Kondensatorelektroden (obere Elektroden) 18 werden auf dem dielektrischen Kondensatorfilm 16 gebildet.”<br>（译文：电容器电极（下电极）14...在绝缘膜12上形成。介电电容器膜16在电容器电极14上形成。电容器电极（上电极）18在介电电容器膜16上形成。）<br>以及通孔连接：<br>“Herausführende Elektroden 26a ... werden auf dem Isolierfilm 12 und den Kondensatorelektroden 14 in den Öffnungen 24a gebildet.”<br>“Außenanschlusselektroden 34a ... sind mit der ersten Kondensatorelektrode über den ersten leitenden Barrierefilm elektrisch verbunden.”<br>（译文：引线电极26a...在开口24a中的绝缘膜12和电容器电极14上形成。外部连接电极34a...通过第一导电阻挡膜与第一电容器电极电连接。） | 对比文件公开了以下结构：1）下电极（类似第一导电层）在绝缘膜（类似第一沉积层间电介质？但绝缘膜12覆盖整个基板表面，并非“仅在第一导电层的表面上”）上；2）介电膜（16，类似第二沉积电介质层）在下电极上；3）上电极（18，类似第二导电层）在介电膜上；4）存在引线电极（26a）和外部电极（34a）通过开口/通孔实现电连接。然而，目标专利的特征C描述了一个非常具体的堆叠和连接关系，特别是“第三导电层直接在第一沉积层间电介质上并且通过第一通孔耦合到第一导电层”。在对比文件中，引线电极（26a）和外部电极（34a）用于将电容器电极引出至外部，并非在堆叠内部形成一个“第三导电层”并通过通孔耦合到下电极以构成一个“导电栈”。对比文件的结构是平面电容器加垂直引线，而目标专利的特征C描述的是一个垂直互连的堆叠结构（导电栈）。两者的布局、连接关系和目的（电容器 vs. 应力缓解互连结构）均不同。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该特定结构。因此，该技术特征未被直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征D**：以及包括BEOL导电层的第二导电栈，第二导电栈处于相对于所述基板的不同于第一标高的第二标高处，其中第二导电栈包括直接在所述基板的表面上的第三导电层。<br>**未被公开** | 同技术特征B和C的引用，对比文件展示了在基板上不同高度的层。例如，下电极14和上电极18处于不同高度。此外，在某些实施例中（如第九实施例，图22A），电极通过开口19与下层连接。但未明确描述一个独立的“第二导电栈”，其包括“直接在基板表面上的第三导电层”。 | 如特征B所述，对比文件中的导电层是电容器电极，并非BEOL导电层。特征D要求存在一个与第一导电栈标高不同的“第二导电栈”，且其包含“直接在基板表面上的第三导电层”。目标专利的此特征旨在通过在不同高度设置导电栈来分散应力（见图3B，第二导电栈II”中的第四导电层118直接接触基板102）。对比文件中没有描述这种为缓解应力而设计的、具有不同标高且包含直接接触基板表面的导电层的并行导电栈结构。对比文件的所有层都是为了构建单个或多个电容器单元，其布局是功能性的（形成电容），而非为了机械应力管理。因此，本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出该技术特征。 |
| **技术特征E**：其特征在于，所述基板的表面被暴露在第一导电栈与第二导电栈之间。<br>**未被公开** | 对比文件说明书未描述在器件结构之间有意识地暴露基板表面。相反，其结构通常被绝缘膜（12）、阻挡膜（22, 28）和保护膜（30）连续覆盖，以防止氢或水渗透（例如，“Der isolierende Barrierefilm 22 dient dazu zu verhindern, dass Wasserstoff oder Wasser die Kondensatorteile 120 erreicht.”）。 | 目标专利的技术特征E是应力缓解结构的核心之一，通过在第一和第二导电栈之间移除层间电介质，暴露基板表面，从而减少整体介电材料厚度和应力（参见说明书[0038]段和图3B）。对比文件的核心问题之一是防止氢或水到达电介质膜，因此其设计趋向于使用连续的阻挡层和保护层来密封电容器部件，而非有意暴露基板。两者的设计原则完全相反（一个要暴露以减少应力，一个要覆盖以阻挡污染）。本领域技术人员无法从对比文件覆盖密封的结构中，推理出在特定区域暴露基板表面以缓解应力的技术方案。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征F**：其特征在于，包括用第一导电层和第三导电层形成的电感器。<br>**未被公开** | 对比文件全文仅涉及薄膜电容器（Dünnfilmkondensator）及其制造方法，未提及或暗示电感器（Induktivität 仅在讨论电容器性能时作为寄生参数提到，如“Die Induktanz kann verringert werden”）的形成。 | 目标专利的特征F限定了器件中包含由特定导电层形成的电感器。对比文件的主题是薄膜电容器，说明书和权利要求均未描述电感器结构。本领域技术人员阅读对比文件后，无法毫无疑义地得出或通过合理推理得出其中包含电感器技术特征。因此，该技术特征未被直接公开或隐含公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，第一导电栈包括用第一导电层、第一导电层与第二导电层之间的第二沉积电介质层、以及第二导电层形成的金属-绝缘体-金属电容器。<br>**《隐含公开》** | 对比文件说明书明确描述了金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构：<br>“So werden Kondensatorteile 20 gebildet, die jeweils die Kondensatorelektroden 14, den dielektrischen Kondensatorfilm 16 und die Kondensatorelektroden 18 enthalten.”<br>（译文：从而形成电容器部件20，每个包括电容器电极14、介电电容器膜16和电容器电极18。）<br>其中，14和18是金属电极（如Pt），16是介电膜（如BST）。这构成了一个MIM电容器。 | 对比文件的核心发明就是薄膜电容器，其基本结构即为金属-绝缘体-金属（MIM）电容器，其中下电极（14）、介电膜（16）和上电极（18）分别对应于目标专利中的第一导电层、第二沉积电介质层和第二导电层。尽管目标专利将此MIM电容器集成到其应力缓解结构（第一导电栈）中，而对比文件中的MIM电容器是作为独立器件或嵌入其他封装中描述，但MIM电容器本身的结构已被对比文件充分公开。本领域技术人员能够从对比文件中直接认识到其公开了一个由两层金属电极和中间介电层构成的MIM电容器。因此，该技术特征被对比文件隐含公开（因为对比文件公开了MIM电容器这一子特征，尽管其集成环境不同）。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述集成器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理（PDA）、位置固定的数据单元、以及计算机中的至少一者中。<br>**《直接公开》** | 对比文件说明书“DETAILIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG”部分，在描述电子设备和印刷电路板时提到：<br>“Gemäß noch einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine elektronische Anordnung vorgesehen, mit: einer Leiterplatte; einem auf der Leiterplatte montierten Dünnfilmkondensator ... und einer Halbleiteranordnung, die auf der Leiterplatte montiert ist.”<br>以及后续描述了包含该电容器的封装（Paket）和印刷电路板（Leiterplatte）。这些都属于通信设备、计算机等电子设备的一部分。 | 目标专利的特征H是典型的应用领域限定，属于用途特征。对比文件明确公开了其薄膜电容器可以用于电子设备（elektronische Anordnung）、封装基板（Paketsubstrat）和印刷电路板（Leiterplatte）中。这些应用场景覆盖了目标专利所列出的多种电子设备类型（如通信设备、计算机等）。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出，其公开的器件可以纳入到此类电子设备中。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
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