对比文件名称：1993-03-26_None_发明专利_JPH0574479A Spiral nonaqueous battery
目标专利名称：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料。《直接公开》 | 【0022】“金属箔に活物質粒子とバインダーを塗布あるいは塗工し”<br>【0016】“これらの片面あるいは両面に活物質及びバインダーを接着した金属箔”<br>翻译：<br>【0022】“将活物质粒子与粘合剂涂布或涂工在金属箔上”<br>【0016】“将这些活物质及粘合剂接着在单面或双面上的金属箔” | 对比文件明确公开了电极包含集电器（金属箔）和涂布在其上的电极活性材料，其作用与本专利相同，均为构成电极。因此直接公开。 |
| 技术特征B：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态。《直接公开》 | 【0020】“本発明の集電体としての金属箔は、その表面粗度が平均として０．１〜０．９μｍであり、外観は艶消しを呈する。光沢、半光沢の外観を有する前記金属箔に、エッチング処理、レーザー処理、無電解メッキ、電解メッキ、サンドブラスト等により、表面粗度として０．１〜０．９μｍ、好ましくは０．２〜０．８μｍ、更に好ましくは０．６〜０．８μｍに制御する。”<br>翻译：<br>“本发明的作为集电体的金属箔，其表面粗糙度平均为0.1‑0.9μm，外观呈现消光。对于具有光泽、半光泽外观的所述金属箔，通过蚀刻处理、激光处理、化学镀、电镀、喷砂等，将表面粗糙度控制为0.1‑0.9μm，优选0.2‑0.8μm，更优选0.6‑0.8μm。” | 对比文件公开了对集电体金属箔进行表面处理以形成特定表面粗糙度，该粗糙度是整体表面性质，即整个表面具有此形态。其目的及作用与本专利特征B完全相同。因此直接公开。 |
| 技术特征C：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力。《直接公开》 | 【0008】“活物質粒子と金属箔との接着性を従来より格段に高めることを目的”<br>【0031】“活物質粒子と金属箔との接着性を従来より格段に高めることができ”<br>翻译：<br>【0008】“以比以往显著提高活物质粒子与金属箔的粘附性为目的”<br>【0031】“能够比以往显著提高活物质粒子与金属箔的粘附性” | 对比文件明确将提高粘附力作为目的和效果，与本专利特征C的作用完全相同。因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理。《未公开》 | 对比文件全文未提及使用辊压或浮雕图案进行表面处理。 | 对比文件公开的表面处理方式为蚀刻、激光、电镀、喷砂等，完全未涉及具有浮雕图案的辊进行辊压。本领域技术人员基于对比文件内容无法合理推断出该特定方式，因此既无直接公开也无隐含公开。 |
| 技术特征E：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm。《未公开》 | 对比文件全文未提及图案的垂直横截面形状以及不规则处之间的间隔。 | 对比文件仅涉及表面粗糙度Ra，未公开任何关于图案形状或间隔的信息。没有直接公开，也无法隐含公开。 |
| 技术特征F：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm。《直接公开》 | 【0021】“金属箔表面の凹部の深さを拡大写真で測定し、平均の深さを表面粗度とする。”<br>【0020】“表面粗度として０．１〜０．９μｍ”<br>翻译：<br>【0021】“通过放大照片测量金属箔表面凹部的深度，将平均深度作为表面粗糙度。”<br>【0020】“表面粗糙度为0.1‑0.9μm” | 对比文件明确将凹部深度（即谷深度）的平均值定义为表面粗糙度，并公开其范围为0.1‑0.9μm，该范围完全落入目标专利要求的0.001μm～10μm范围内。因此直接公开了谷深度特征。 |
| 技术特征G：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm。《未公开》 | 【0021】“表面粗度０．１μｍ未満では接着性の向上は殆どなく、１μｍ以上では塗工中に金属箔の切断を招き好ましくない。”<br>翻译：<br>“表面粗糙度小于0.1μm时几乎没有粘附性改进，1μm以上则会在涂布过程中导致金属箔切断，不优选。” | 对比文件明确将表面粗糙度限定在0.1‑0.9μm，并明确指出1μm以上不优选，存在技术偏见。因此对比文件未公开且教导避免Ra大于1μm的特征，既无直接公开也无隐含公开。 |
| 技术特征H：其中所述电极为正极和负极中的至少一种。《直接公开》 | 【0013】“正極活物質”、【0015】“負極活物質”<br>【0016】“これらの片面あるいは両面に活物質及びバインダーを接着した金属箔”<br>翻译：<br>【0013】“正极活物质”、【0015】“负极活物质”<br>【0016】“将这些活物质及粘合剂接着在单面或双面上的金属箔” | 对比文件明确分别制造正极和负极，均使用金属箔集电器涂布活性材料，因此直接公开了电极为正极和/或负极。 |
| 技术特征I：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4)。《未公开》 | 【0012】“リチウムチタン酸化物、例えば Ｌｉ X Ｔｉ 2 Ｏ 4”（出现在正极活物质列表中）<br>【0014】“負極活物質としての炭素質材料”<br>翻译：<br>【0012】“锂钛氧化物，例如Li X Ti2O4”<br>【0014】“作为负极活物质的碳质材料” | 对比文件仅在正极活物质列表中提及锂钛氧化物，而明确指定负极活物质为碳质材料，没有公开将锂钛氧化物用作负极活性材料。因此不直接公开，亦不能隐含公开。 |
| 技术特征J：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5。《未公开》 | 对比文件未给出Li X Ti2O4中X的具体范围。 | 对比文件仅给出通式Li X Ti2O4，未限定a和b的具体取值范围，因此未公开。 |
| 技术特征K：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm。《直接公开》 | 【0013】“厚み１００μｍ〜５μｍのアルミニウム、ニッケル、ステンレススチール等”<br>【0015】“厚み１００μｍ〜５μｍの銅、ニッケル、ステンレススチール等”<br>翻译：<br>【0013】“厚度100μm‑5μm的铝、镍、不锈钢等”<br>【0015】“厚度100μm‑5μm的铜、镍、不锈钢等” | 对比文件公开了集电器厚度范围5μm至100μm，该范围落入目标专利的3μm‑500μm范围内。因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1)。《未公开》 | 【0010】“リチウムマンガン酸化物、例えば Ｌｉ X ＭｎＯ 2 、Ｌｉ X Ｍｎ 2 Ｏ 4 （０＜Ｘ≦１）、ＬｉＣｏ X Ｍｎ 2-X Ｏ 4 （０＜Ｘ≦０．５）”<br>翻译：<br>“锂锰氧化物，例如Li X MnO2、Li X Mn2O4（0<X≤1）、LiCo X Mn2-X O4（0<X≤0.5）” | 对比文件公开了尖晶石型LiMn2O4及Co掺杂的LiCo X Mn2-X O4，但未公开通式1中M选自多种元素且包含A阴离子的更广泛限定。因此未直接公开，亦不能隐含公开。 |
| 技术特征M：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi。《未公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开上述参数和元素选择，因此未公开。 |
| 技术特征N：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。《未公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未涉及阴离子取代，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2)。《未公开》 | 对比文件仅出现LiCo X Mn2-X O4，无Ni取代类似物。 | 对比文件未公开LixNiyMn2-yO4，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5。《未公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开相关范围，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4。《未公开》 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开这些具体化合物，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4。《未公开》 | 【0012】“リチウムチタン酸化物、例えば Ｌｉ X Ｔｉ 2 Ｏ 4”（出现在正极活物质列表中）<br>翻译：<br>“锂钛氧化物，例如Li X Ti2O4” | 对比文件仅作为正极活物质列出通式Li X Ti2O4，未具体公开Li1.33Ti1.67O4，且未作为负极活性材料。因此未公开。 |
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