**对比文件名称**：2009-05-06_EP2056381A_发明公开_EP2056381A1 CELL, ELECTRODE, AND COLLECTOR USED IN THEM
**目标专利名称**：1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
**模型名称**：GPT-4
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (中文翻译) | 公开性论述 |
| **技术特征A**：所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 《直接公开》 | [0001] “本发明涉及一种电极，其包括集电器和承载在集电器上的活性材料。” | 对比文件开篇即公开了电极的基本结构为“集电器 + 活性材料”，且活性材料是涂布（承载）在集电器上的，与特征A完全相同。因此本领域技术人员可以直接毫无疑义地确定该特征被公开。 |
| **技术特征B**：所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态 《直接公开》 | [0041] “当基部和主突起通过变形金属板同时形成时，主突起可以通过例如使用表面具有规则图案凹部的辊压金属板而获得。”；[0067] “形成包括具有平坦面的基部和从平坦面突起的多个主突起的片状基材。”；[0074] “接着，形成从主突起顶部突起的次突起。” | 对比文件明确公开了通过辊压、电镀、喷砂等方式对集电器进行表面处理，最终在集电器表面形成主突起和次突起的形态。实施例中主突起规则地布置在整个表面（[0063] 提及“整个表面”的形态可通过处理实现），且表面处理后整个集电器表面（包括基部平坦面与突起）具有了特定的三维形态。因此特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力 《直接公开》 | [0036] “通过使用本发明的集电器，活性材料与集电器之间的结合面积变大。因此，活性材料与集电器之间的结合变强，抑制了由于Li吸收时活性材料的膨胀应力导致活性材料从集电器分离。” | 对比文件明确陈述了表面处理（形成突起）能够增大结合面积、增强粘附力，与特征C所要达到的效果完全一致。因此特征C被直接公开。 |
| **技术特征D**：其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理 《未公开》 | [0041] “当基部和主突起通过变形金属板同时形成时，主突起可以通过例如使用表面具有规则图案凹部的辊压金属板而获得。”；[0070] “在辊压中，使用表面形成有凹部（或沟槽）的辊对片材进行机械加工和塑性变形，形成主突起。” | 对比文件明确使用表面具有 **凹部**（recessed portions）的辊进行辊压，即辊图案为凹雕图案，而非本发明权利要求所限定的“浮雕图案”（凸起图案）。虽然原理相似，但图案类型相反，本领域技术人员不能毫无疑义地从凹雕辊直接得到使用浮雕辊的技术方案。对比文件亦未给出使用浮雕图案辊的任何教导或暗示。因此特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且中形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm 《直接公开》 | 关于图案截面形状：[0042] “主突起横截面的形状可以是矩形、多边形、圆形或椭圆形，没有限制。”；关于不规则处间隔：[0054] “次突起的平均投影间距优选为0.5～6μm。” | 对比文件中主突起的形状直接反映了辊上图案（凹部）的垂直横截面形状，明确列出了多边形、圆形、椭圆形等，与特征E第一部分完全相同。同时，次突起之间的平均投影间距（0.5～6μm）完全落入0.001～10μm范围内，相当于公开了“不规则处之间的间隔”。虽然对比文件用“次突起”而目标专利用“不规则处”，但二者实质对应。因此特征E的两部分均被直接公开。 |
| **技术特征F**：所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm 《直接公开》 | [0051] “包含次突起的主突起顶部的表面粗糙度（十点平均高度）Rz2优选为0.9～9μm，进一步优选1.5～7μm。” | 对比文件中的Rz2（十点平均高度）直接表征了峰谷高度差，即“谷的深度”。其优选范围0.9～9μm完全落在0.001～10μm之内。因此特征F的数值范围被直接公开。 |
| **技术特征G**：其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm 《未公开》 | [0052] “包含次突起的主突起顶部的表面粗糙度Ra优选为0.3～5μm。” | 对比文件仅公开了主突起顶部的局部Ra为0.3～5μm，而特征G要求整个集电器表面的Ra大于1μm且不大于10μm。对比文件的Ra范围上限为5μm，不能毫无疑义地推断出可以大于5μm达到10μm。且局部Ra与整个表面Ra在概念上不完全等同。本领域技术人员不能从对比文件直接得到Ra可在1～10μm范围内任意选定的教导，故特征G未被直接公开。由于对比文件未给出Ra>5μm的任何暗示，亦不满足隐含公开的条件。 |
| **技术特征H**：其中所述电极为正极和负极中的至少一种 《直接公开》 | [0167] “本发明进一步涉及一种电池，其包括上述电极、该电极的对电极和电解质。虽然对电池类型没有特别限制，但本发明优选应用于锂二次电池。本发明的电极适用于锂二次电池的负极。能够用作锂二次电池正极的电极可用作对电极。”；[0168] “作为正极活性材料，可以使用锂钴酸盐、锂镍酸盐、锂锰酸盐等。” | 对比文件明确教导其电极既可用作负极（主要实施例），也可用作正极（通过使用不同的活性材料），相当于公开了电极为正极和/或负极。因此特征H被直接公开。 |
| **技术特征I**：其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4) 《未公开》 | [0117] “活性材料优选包含选自硅元素(Si)和锡元素(Sn)中的至少一种，因为其能实现高容量。……活性材料特别优选是含硅元素的材料。”；[0118] “含硅和氧的化合物优选为氧化硅，特别是通式SiOx(0<x<2)表示的氧化硅。” | 对比文件全文仅涉及Si基、Sn基负极活性材料，完全没有提及锂钛氧化物（如Li₄Ti₅O₁₂等）作为负极活性材料，更未给出式4的LiaTibO4及其范围。因此特征I未被公开。 |
| **技术特征J**：其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于化学式LiaTibO4的信息，故更未公开a、b的具体取值范围。特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述集电器的厚度为3μm～500μm 《直接公开》 | [0064] “通常，集电器的厚度为例如1～50μm，没有限制。特别是从保持电极强度和确保电极体积能量密度的观点出发，集电器的厚度优选为10～50μm，特别优选15～40μm。” | 对比文件公开了集电器厚度为1～50μm，该范围与特征K的3～500μm部分重叠（3～50μm部分）。本领域技术人员可以毫无疑义地从对比文件得到集电器厚度为3～50μm的技术方案，该厚度完全落入特征K的范围内。因此特征K被直接公开（至少公开了其子范围，且目标专利并不排除该子范围）。 |
| **技术特征L**：其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) 《未公开》 | [0168] “作为正极活性材料，可以使用锂钴酸盐(LiCoO₂)、锂镍酸盐(LiNiO₂)、锂锰酸盐(LiMn₂O₄)等。” | 对比文件仅列举了简单的三元层状氧化物和LiMn₂O₄，并未公开通式(1)所定义的掺杂尖晶石结构（M为特定元素、包含A阴离子等）。因此特征L未被公开。 |
| **技术特征M**：其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，且0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未披露特征M中的任何参数或元素选择。因此特征M未被公开。 |
| **技术特征N**：A为至少一种一价阴离子或二价阴离子 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件无任何关于阴离子掺杂的教导。因此特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开镍掺杂的尖晶石LiNiyMn2-yO4。因此特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开相关的x、y取值范围。因此特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开这些具体的镍锰尖晶石化合物。因此特征Q未被公开。 |
| **技术特征R**：其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何锂钛氧化物。因此特征R未被公开。 |
**说明**：根据对比文件公开内容的分析，技术特征D、G、I、J、L、M、N、O、P、Q、R未被直接公开或隐含公开，故不对应输出任何代码。技术特征A、B、C、E、F、H、K被直接公开，技术特征无隐含公开。
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