对比文件名称：2006-03-23_JP2006080450A_发明专利_JP2006080450A Solar battery manufacturing method
目标专利名称：1655太阳能电池CN107845689B
本次调用的模型名称：GPT-4
以下是特征比对表格，对于每个技术特征，第一栏给出技术特征描述及公开性判断结果，第二栏给出对比文件原文引用（已翻译为中文），第三栏给出公开性论述。
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该太阳能电池包括：半导体基板《直接公开》 | [2]段：“P型单晶硅晶圆21” | 对比文件明确公开了P型单晶硅晶圆作为半导体基板，相当于技术特征A的半导体基板，作用相同。 |
| 技术特征B：在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成《直接公开》 | [2]段：“作为背面钝化膜27，形成硅氮化物（SiNx，特别优选Si3N4）或氧化钛（TiOx，特别优选TiO2）。” 且该膜位于硅基板背面。 | 对比文件公开了在硅基板背面形成的背面钝化膜，其由氮化硅或氧化钛等介电材料构成，位于基板的一个表面上，结构与特征B相同。 |
| 技术特征C：在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域《未公开》 | 无相关内容。对比文件中，P+扩散层23和N+扩散层24直接形成在硅基板内部，不存在独立的半导体层。 | 技术特征C要求控制钝化膜上具有包含不同导电区域的半导体层，对比文件中导电区域是基板的一部分，未公开分离的半导体层。 |
| 技术特征D：其中，所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域《直接公开》 | [2]段：“P+扩散层23与N+扩散层24”形成在硅基板背面，背面钝化膜27覆盖其上，故相邻。 | 对比文件明确公开了P+扩散层和N+扩散层作为扩散区域，位于硅基板中且与背面钝化膜（控制钝化膜）相邻，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 无对应结构。对比文件中没有第一导电区域（半导体层中的区域），且P+扩散层本身为高掺杂。 | 特征E要求第一扩散区域与第一导电区域对应且掺杂浓度更低，对比文件不存在该对应关系，故未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度《未公开》 | 同特征E，无对应关系。 | 未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域《直接公开》 | [2]段：“P型单晶硅晶圆21”及“P型半导体基板61”。 | 对比文件硅基板为P型导电类型，即第二导电类型，构成基极区域，直接公开。 |
| 技术特征H：其中，所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且中，所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分《未公开》 | 未提及扩散区域厚度比较；钝化膜中无掺杂部分。 | 对比文件未公开厚度比较，也未公开控制钝化膜中含有掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征I：其中，所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜《隐含公开》 | [2]段：形成SiNx或TiO2膜，通常通过PECVD沉积的这类膜为非晶结构。 | 虽然对比文件未明确说明膜的结构，但本领域技术人员公知，SiNx或TiO2钝化膜通过PECVD等方法形成时通常为非晶膜，因此隐含公开其具有非晶结构。 |
| 技术特征J：该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜《直接公开》 | [2]段：“受光面形成反射防止膜26”；背面还形成背面钝化膜27。 | 对比文件公开了抗反射膜（绝缘膜）和背面钝化膜，均为绝缘膜，位于基板或半导体层上，直接公开。 |
| 技术特征K：其中，所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且中，所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分《未公开》 | 未提及厚度比较和掺杂浓度差异。 | 对比文件未公开控制钝化膜与绝缘膜的厚度关系，也未提及掺杂浓度差异，故未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件没有公开控制钝化膜内具有不同掺杂浓度的部分，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且中，所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无此三层结构及浓度梯度描述。 | 对比文件缺少控制钝化膜上的导电区域，无法形成所述掺杂浓度分布，故未公开。 |
| 技术特征N：其中，所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚《未公开》 | 无比较关系。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中，所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间《直接公开》 | [2]段：“通过光刻工艺在背面仅曝光要形成P+扩散的区域，湿法蚀刻氧化膜22…BBr3气相扩散形成P+扩散层23，氧化膜22作为扩散掩模，有氧化膜的部分不被扩散。”类似方法形成N+扩散层，因此P+和N+区域之间保留未扩散的基极区域。 | 对比文件利用氧化膜掩模分别形成P+和N+扩散层，两者之间必然存在未扩散的基极区域区域，且彼此间隔，直接公开。 |
| 技术特征P：其中，势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且中，所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分《未公开》 | 无势垒区域及相关结构。 | 对比文件没有公开势垒区域，也未涉及控制钝化膜在势垒区域下的未掺杂部分，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中，当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无浓度梯度比较。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中，所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒《未公开》 | 无半导体层。 | 对比文件中没有半导体层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中，在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小《未公开》 | 无此掺杂分布。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且中，所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值《未公开》 | 无相关掺杂分布。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或中，所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度《未公开》 | 未提及扩散区域厚度数值及与导电区域的厚度关系。 | 对比文件未公开扩散区域的厚度范围或与导电区域的厚度比较，故未公开。 |
根据以上比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、D、G、J、O，隐含公开了技术特征I，其他技术特征未公开。
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