**对比文件名称**：2015-10-01_WO2015148571A_发明申请_WO2015148571A1 METALLIZATION OF SOLAR CELLS
**目标专利名称**：1655太阳能电池CN107845689B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek（深度思考模型）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 该太阳能电池包括：半导体基板（直接公开） | 段落[0039]： “the substrate 100 has disposed there above N-type semiconductor regions 106 and P-type semiconductor regions 108 disposed on a thin dielectric material 102 …” 翻译：“基板100上设置有N型半导体区域106和P型半导体区域108，它们位于薄介电材料102上……” | 对比文件明确公开了半导体基板100，该基板为单晶硅基板（段落[0040]）。本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该特征与目标专利的技术特征A完全相同。 |
| **技术特征B：** 在所述半导体基板的一个表面上的控制钝化膜，该控制钝化膜由介电材料形成（直接公开） | 段落[0040]： “the thin dielectric layer 102 is a tunneling silicon oxide layer having a thickness of approximately 2 nanometers or less.” 翻译：“薄介电层102是厚度约为2纳米或更小的隧道氧化硅层。” | 对比文件公开了位于基板100一个表面（背面）上的薄介电层102，该层由硅氧化物（介电材料）形成。该层在基板与后续半导体层之间起到钝化和载流子传输作用，与目标专利中控制钝化膜的功能实质相同。因此技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：** 在所述控制钝化膜上的半导体层，该半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域（直接公开） | 段落[0039]： “a plurality of alternating N-type 106 and P-type 108 regions is formed in a semiconductor layer 104 formed above a substrate 100.” 翻译：“在基板100上方的半导体层104中形成多个交替的N型106和P型108区域。” | 对比文件明确公开了在薄介电层102上形成半导体层104，该层包含交替的N型和P型区域（分别对应第一和第二导电类型）。这些区域通过掺杂形成，与目标专利的第一导电区域和第二导电区域一一对应。因此技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：** 所述半导体基板还包括扩散区域，该扩散区域包括与所述控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域（未公开） | 全文未发现对基板内部扩散区域的任何描述。 | 对比文件仅在半导体层104中形成掺杂区域，并未在基板100内部形成扩散区域。对比文件的半导体层与基板之间设有薄介电层，且未提及掺杂剂穿过该层进入基板形成扩散区。因此，本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得到该特征。 |
| **技术特征E：** 所述第一扩散区域被局部地形成以与所述第一导电区域对应，并且具有低于所述第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 全文未发现对基板内部扩散区域的描述。 | 基于技术特征D未公开，作为其具体限定的技术特征E同样未被对比文件公开。 |
| **技术特征F：** 所述第二扩散区域被局部地形成以与所述第二导电区域对应，并且具有低于所述第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度（未公开） | 全文未发现对基板内部扩散区域的描述。 | 基于技术特征D未公开，作为其具体限定的技术特征F同样未被对比文件公开。 |
| **技术特征G：** 所述半导体基板包括具有所述第二导电类型的基极区域（直接公开） | 段落[0040]： “the substrate 100 is a monocrystalline silicon substrate, such as a bulk single crystalline N-type doped silicon substrate.” 翻译：“基板100是单晶硅基板，例如体单晶N型掺杂硅基板。” | 对比文件明确公开基板100为N型掺杂（第二导电类型），该N型区域构成基极区域。因此技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H：** 所述第二扩散区域比所述第一扩散区域厚；并且所述控制钝化膜包括局部地形成在所述第一导电区域和所述第一扩散区域之间的第一掺杂部分以及局部地形成在所述第二导电区域和所述第二扩散区域之间的第二掺杂部分（未公开） | 全文未发现对扩散区域厚度比较或控制钝化膜内掺杂部分的描述。 | 由于对比文件未公开任何扩散区域，亦未公开控制钝化膜被掺杂的部分，故技术特征H完全未被公开。 |
| **技术特征I：** 所述控制钝化膜是由非晶结构组成的非晶膜或者包括所述非晶结构和部分结晶部分的非晶膜（隐含公开） | 段落[0040]： “thin dielectric layer 102 is a tunneling silicon oxide layer”。 翻译：“薄介电层102是隧道氧化硅层。” | 对比文件虽然未直接描述介电层102的微观结构，但本领域技术人员公知，通过热氧化或沉积形成的超薄氧化硅（如厚度约2nm）通常具有非晶结构。目标专利中控制钝化膜的功能同样要求非晶结构以利于掺杂剂扩散，对比文件中的氧化层在结构上很可能为非晶，两者可合理关联。因此，根据隐含公开的宽松标准，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征J：** 该太阳能电池还包括：在所述半导体基板或所述半导体层上的绝缘膜（直接公开） | 段落[0050]： “a passivation material layer 118 is formed in the trenches 114 and, in an embodiment, covering the metal seed layer 110.” 段落[0050]还提到：“additional embodiments can include formation of a passivation and/or anti-reflective coating (ARC) layers (shown collectively as layer 124) on the light-receiving surface 101.” 翻译：“在沟槽114中形成钝化材料层118，并在一个实施例中覆盖金属种子层110。其他实施例可包括在光接收表面101上形成钝化和/或抗反射涂层（统称为层124）。” | 对比文件明确公开了在基板或半导体层上形成绝缘膜（如钝化材料层118、抗反射涂层124等），因此技术特征J被直接公开。 |
| **技术特征K：** 所述控制钝化膜比所述绝缘膜薄；并且所述控制钝化膜包括掺杂浓度高于所述绝缘膜的掺杂浓度的部分（未公开） | 段落[0040]给出薄介电层102厚度约2nm，而钝化层118等通常更厚（如>50nm），因此“控制钝化膜比绝缘膜薄”这一子特征可直接从对比文件得出。但对比文件全文未提及介电层102内存在掺杂，更未提及掺杂浓度高于绝缘膜。 | 对比文件仅公开了控制钝化膜（薄介电层102）比绝缘膜（钝化层118）薄，但未公开“控制钝化膜包括掺杂浓度高于绝缘膜的掺杂浓度的部分”。本领域技术人员无法从对比文件合理推断出介电层具有掺杂且浓度高于绝缘膜。因此技术特征K未被整体公开，仅部分子特征未构成完整公开。 |
| **技术特征L：** 所述第一掺杂部分或所述第二掺杂部分包括低掺杂部分以及掺杂浓度高于所述低掺杂部分的掺杂浓度的高掺杂部分（未公开） | 全文未发现对控制钝化膜内掺杂部分浓度分区的描述。 | 对比文件未公开控制钝化膜被掺杂，更未提及掺杂部分中存在低掺杂和高掺杂区域。因此技术特征L未被公开。 |
| **技术特征M：** 当在厚度方向上观看所述第一导电区域或所述第二导电区域、所述控制钝化膜以及所述扩散区域时，掺杂浓度朝着所述半导体基板的内部连续地减小；并且所述扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值大于所述第一导电区域或所述第二导电区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 全文未发现对基板内扩散区域掺杂分布或浓度梯度的描述。 | 对比文件未公开基板内的扩散区域，也未公开任何关于掺杂从外向内连续减小或浓度梯度比较的内容。因此技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：** 所述扩散区域比所述第一导电区域和所述第二导电区域中的每一个厚（未公开） | 全文未发现对扩散区域厚度的描述。 | 基于扩散区域本身未公开，其厚度比较技术特征N当然未被公开。 |
| **技术特征O：** 所述第一扩散区域和所述第二扩散区域彼此间隔开，并且所述基极区域被设置在所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间（未公开） | 全文未发现对扩散区域间隔的描述。 | 对比文件未公开基板内的扩散区域，更未公开其间隔关系。因此技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：** 势垒区域被设置在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；并且所述控制钝化膜包括所述半导体基板与所述势垒区域之间的未掺杂部分（未公开） | 段落[0047]-[0048]描述了在N型和P型区域之间形成沟槽114并填充钝化材料，但该沟槽穿透半导体层和薄介电层，并未在介电层中保留未掺杂部分。 | 对比文件虽然通过沟槽隔离导电区域，但该沟槽未在介电层中形成未掺杂部分（介电层被蚀刻去除）。因此技术特征P中“控制钝化膜包括未掺杂部分”未被公开，整体特征未公开。 |
| **技术特征Q：** 当在厚度方向上观看所述第一扩散区域和所述第二扩散区域时，所述第二扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一扩散区域中的掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 全文未发现对扩散区域浓度梯度的任何描述。 | 基于扩散区域未公开，该特征当然未被公开。 |
| **技术特征R：** 所述半导体层具有多晶结构，该多晶结构具有纳米尺寸的晶粒（隐含公开） | 段落[0041]： “the semiconductor layer 104 having the plurality of alternating N-type and P-type regions is formed from polycrystalline silicon formed by, e.g., using a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process.” 翻译：“具有多个交替N型和P型区域的半导体层104由多晶硅形成，例如使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺形成。” | 对比文件直接公开了半导体层为多晶硅结构。本领域技术人员公知，PECVD法沉积的多晶硅晶粒尺寸通常在纳米到亚微米级别，尤其是初始生长的多晶硅层中纳米尺寸晶粒普遍存在。目标专利强调纳米尺寸晶粒（1nm至小于1μm），对比文件的多晶硅完全可能包含此类晶粒，且无相反教导。因此，根据隐含公开的宽松标准，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征S：** 在掺杂分布中，第一导电类型掺杂剂或第二导电类型掺杂剂的掺杂浓度从所述第一导电区域或所述第二导电区域经由所述控制钝化膜朝着所述第一扩散区域或所述第二扩散区域连续地减小（未公开） | 全文未发现对通过控制钝化膜向基板内掺杂分布连续减小的描述。 | 对比文件未公开基板内扩散区域，也未涉及掺杂剂穿过介电层进入基板形成浓度梯度。因此技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T：** 所述掺杂分布包括第一掺杂分布以及不同于所述第一掺杂分布的第二掺杂分布，所述第一掺杂分布位于所述控制钝化膜或者所述第一导电区域或所述第二导电区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中，所述第二掺杂分布位于所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的与所述控制钝化膜相邻的部分中；并且所述第二掺杂分布中的第二掺杂浓度梯度的绝对值小于所述第一掺杂分布中的第一掺杂浓度梯度的绝对值（未公开） | 全文未发现对控制钝化膜内与扩散区域内不同分布区域的描述。 | 技术特征T基于未公开的掺杂分布，整体未被对比文件公开。 |
| **技术特征U：** 所述第一扩散区域或所述第二扩散区域具有100nm至300nm的厚度；或所述第一扩散区域或所述第二扩散区域的厚度与所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度相同或者小于所述第一导电区域或所述第二导电区域的厚度（未公开） | 全文未发现对扩散区域厚度的任何限定或比较。 | 基于扩散区域未公开，技术特征U未被公开。 |
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### 公开性代码输出
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、G、J，隐含公开了技术特征I、R。其余技术特征（D、E、F、H、K、L、M、N、O、P、Q、S、T、U）未被公开。按照输出格式，在回答结尾插入对应代码。
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