**对比文件名称**：2008-09-25_US2008230789A_发明申请_US20080230789A1 Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array
**目标专利名称**：1661发光器件CN104752451B
**本次调用的模型名称**：AI大语言模型（未指定具体型号）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：衬底。《直接公开》** | [0043]：“衬底结构17可以由导电材料形成。衬底结构可以是通过电镀形成的金属层。”<br>[0039]：“环绕发光堆叠11的底面和侧表面形成的衬底结构17。” | 对比文件明确公开了用于承载发光单元的衬底结构（substrate structure），该结构与目标专利的“衬底”在支撑功能上实质相同，因此直接公开。 |
| **特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元。《直接公开》** | [0045]：“多个发光堆叠……当应用于单片LED阵列时，容易实现电路结构。”<br>[0069]：“在生长衬底上依次生长n型半导体层、有源层、p型半导体层，然后通过台面蚀刻形成多个发光堆叠。” | 对比文件公开了多个发光堆叠（即发光单元）彼此间隔地形成，并最终嵌入衬底结构中。多个单元之间的间隔特征明确，因此直接公开。 |
| **特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线。《直接公开》** | [0054]：“导电层24……可以通过电路层29连接到相邻LED单元的第一接触28。”<br>[0082]：“形成电路层119以将LED单元120A和120B彼此连接。” | 对比文件的“电路层”（circuit layer）用于直接电连接相邻的LED单元，其功能与目标专利的连接线完全相同，因此直接公开。 |
| **特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和。《未公开》** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未定义第一相邻发光单元和第二相邻发光单元的分类，亦未涉及任何长度之和的比较，未公开。 |
| **特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的。《隐含公开》** | [0114]：“将LED单元设置为占据基本相同的面积。” 结合图6A中单元形状规则、排列整齐。 | 对比文件公开了所有LED单元面积基本相同，在规整的布局中，单元在各个方向的尺寸也基本一致。本领域技术人员可以合理推断出未定义的第一相邻与第二相邻发光单元在第二方向上的宽度相同，因此隐含公开。 |
| **特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积。《未公开》** | [0114]：“将LED单元设置为占据基本相同的面积。” | 对比文件明确教导各LED单元占据基本相同的面积，而非面积不同。因此未公开。 |
| **特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件没有提及“第一相邻发光单元”和“第二相邻发光单元”的区分，也没有描述间隔距离的大小关系；未直接公开，也不能合理推断出该差异。 |
| **特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义2-1间隔距离，也未比较第一间隔距离与2-1间隔距离，未公开。 |
| **特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义2-2间隔距离，也未进行横向比较，未公开。 |
| **特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 同特征H，未公开。 |
| **特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 同特征I，未公开。 |
| **特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义2-1和2-2间隔距离，更未比较其关系，未公开。 |
| **特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 同上，未公开。 |
| **特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义“第二相邻发光单元在第一方向上的间隔”这一概念，未公开。 |
| **特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 未公开。 |
| **特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 未公开。 |
| **特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 未公开。 |
| **特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未涉及任何数值范围，未公开。 |
| **特征S：比所述第二间隔距离小。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 同特征G，未公开。 |
| **特征T：其中所述第一方向是垂直方向。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义方向术语，未公开。 |
| **特征U：所述第二方向是水平方向。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 同上，未公开。 |
| **特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大。《未公开》** | 对比文件无记载。 | 对比文件未定义第一相邻和第二相邻的分类，无法比较数目，未公开。 |
| **特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括。《直接公开》** | [0039]：“每个发光堆叠11包括第一导电型半导体层11a和第二导电型半导体层11b以及其间的有源层11c。” | 对比文件的每个LED单元均包含发光堆叠，直接公开了每个发光单元的基本构成。 |
| **特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构。《直接公开》** | [0039]：“发光堆叠11具有第一和第二导电型半导体层11a、11b和有源层11c置于其间。” 结合[0069]：层顺序为依次生长。 | 对比文件公开了第一导电型、有源层、第二导电型依次层叠的发光结构，其形式与目标专利实质相同，直接公开。 |
| **特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极。《直接公开》** | [0082]：“n型接触层118形成在发光堆叠111的第一表面上以连接n型半导体层111a。” | 对比文件公开了n型接触（第一电极）直接设置在第一导电型半导体层上，直接公开。 |
| **特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极。《直接公开》** | [0074]：“p型接触层113形成在第二表面的暴露接触形成部分上。” | 对比文件公开了p型接触（第二电极）直接设置在第二导电型半导体层上，直接公开。 |
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**直接公开的特征代码汇总**（按字母顺序）：
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>>
**隐含公开的特征代码**：
<<<e>>>
（其余技术特征未公开，不插入任何代码）