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**对比文件名称：** 2008-07-31_US2008179602A_发明申请_US20080179602A1 FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS
**目标专利名称：** 1661发光器件CN104752451B
**本次调用的模型名称：** 深度思考模型（AI）
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：衬底 《直接公开》 | 段落[0234]：“在公共衬底200上的多个发光器件110”。 | 对比文件明确记载了发光器件形成于公共衬底上，该衬底即为目标专利的“衬底”，作用相同，均为提供机械支撑和生长基础，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元 《直接公开》 | 段落[0234]：“发光器件110由隔离区112定义，隔离区112限定了各个发光器件110的周边”。 | 对比文件通过隔离区将发光器件彼此间隔开，形成多个独立的发光单元，与目标专利中“彼此间隔开的多个发光单元”实质相同，且位于衬底上，因此直接公开。 |
| 技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线 《直接公开》 | 段落[0235]：“后续行中的发光器件110的阳极116通过互连图案118连接到前一行的器件110的阴极114”。 | 对比文件的互连图案直接连接相邻行（即相邻发光单元），作用与目标专利的连接线相同，均为电连接相邻发光单元，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和 《未公开》 | 无相关记载。对比文件仅提及“各个发光器件可以具有相同或不同的尺寸”（段落[0297]），但未涉及未连接与连接相邻单元在第一方向上的长度之和比较。 | 对比文件未公开未通过连接线连接的相邻单元与通过连接线连接的相邻单元在第一方向上的长度之和的关系，也未给出任何技术启示或隐含条件使本领域技术人员能够合理推断出该特征，因此未公开。 |
| 技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的 《未公开》 | 无相关记载。对比文件未提及宽度是否相同。 | 对比文件未涉及第一相邻发光单元与第二相邻发光单元在第二方向上的宽度比较，本领域技术人员无法从对比文件内容合理推断出该特征，因此未公开。 |
| 技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积 《未公开》 | 无相关记载。对比文件未提及面积比较。 | 对比文件虽允许不同尺寸，但未公开未连接与连接相邻单元的面积关系，且未限定方向不同，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小 《未公开》 | 无相关记载。对比文件仅描述隔离区112，但未区分不同位置间隔距离的大小关系。 | 对比文件未公开未连接相邻单元与连接相邻单元之间的间隔距离比较，本领域技术人员无法从对比文件唯一推断出第一间隔距离小于第二间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未定义2-1间隔距离，也未公开第一间隔距离与2-1间隔距离的大小关系，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未定义2-2间隔距离，也未公开第一间隔距离与2-2间隔距离的大小关系，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离 《未公开》 | 同特征H，无相关记载。 | 同特征H，未公开。 |
| 技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离 《未公开》 | 同特征I，无相关记载。 | 同特征I，未公开。 |
| 技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未定义2-1和2-2间隔距离，更未公开两者是否相同，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未定义2-1和2-2间隔距离，更未公开两者是否不同，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开第二相邻发光单元在第一方向上的间隔距离定义，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开第一间隔距离与2-1间隔距离的关系，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开第二相邻发光单元在第二方向上的间隔距离定义，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开第一间隔距离与2-2间隔距离的关系，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开任何数值比例关系，因此未公开。 |
| 技术特征S：比所述第二间隔距离小 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未公开第一间隔距离比第二间隔距离小，因此未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向 《隐含公开》 | 段落[0024]中提及“行（rows）”和“列（columns）”，并描述阵列具有行和列。 | 对比文件虽然未明确使用“垂直”一词，但技术领域中“列”通常对应垂直方向，“行”通常对应水平方向。本领域技术人员结合公知常识可以合理推断出该阵列中的第一方向（列方向）为垂直方向，因此隐含公开。 |
| 技术特征U：所述第二方向是水平方向 《隐含公开》 | 同上，段落[0024]提及“行（rows）”和“列（columns）”。 | 基于同样的理由，本领域技术人员可以合理推断出第二方向（行方向）为水平方向，因此隐含公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大 《未公开》 | 无相关记载。 | 对比文件未涉及第一相邻发光单元与第二相邻发光单元的数目比较，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括 《直接公开》 | 段落[0241]描述每个发光器件110包括n型半导体层204、量子阱层206、p型半导体层208等。 | 对比文件明确公开了每个发光器件的层结构，即目标专利的“发光单元包括”，因此直接公开。 |
| 技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构 《直接公开》 | 段落[0241]：“每个发光器件110还包括n型半导体层204（可作为接触层）、一个或多个量子阱层206和p型半导体层208”。 | 对比文件的n型层、量子阱层、p型层依次设置在衬底上，分别对应第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极 《直接公开》 | 段落[0245]：“n型接触114提供每个器件的阴极接触”。 | 对比文件的n型接触114设置于n型半导体层（第一导电型）上，作为第一电极，因此直接公开。 |
| 技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极 《直接公开》 | 段落[0245]：“p型接触116提供每个器件的阳极接触”。 | 对比文件的p型接触116设置于p型半导体层（第二导电型）上，作为第二电极，因此直接公开。 |
根据以上对比分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、W、X、Y、Z；隐含公开了技术特征T、U。其他技术特征未公开。
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