对比文件名称：US20130056785A1（LIGHT EMITTING DEVICE）
目标专利名称：CN104752451B（发光器件）
本次调用的模型名称：深度思考AI模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：衬底《直接公开》 | 段落[0041]：“所述发光器件100可包括支撑构件110”以及段落[0042]：“支撑构件110可以是导电的或非导电的，例如，可至少选自蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3。” | 对比文件中的支撑构件110相当于目标专利的衬底，用于支撑发光结构，材质与目标专利中衬底材料（如蓝宝石）重叠，且作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元《直接公开》 | 段落[0326]：“发光器件400可包括支撑构件410和设置在支撑构件410上的第一和第二区段420和430。发光器件400可包括被划分为第一至第四发光单元BD1至BD4的发光结构。” | 对比文件明确将发光结构划分为多个发光单元（BD1-BD4），这些单元在支撑构件上彼此间隔开（通过沟槽隔离），因此直接公开。 |
| 技术特征C：构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线《直接公开》 | 段落[0342]：“可提供连接电极448以电连接第一和第二电极442和444以及第一至第四发光单元BD1至BD4。” | 连接电极448用于电连接相邻发光单元，起到与目标专利中连接线相同的作用，因此直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及发光单元在第一方向上的长度之和的关系，也未给出任何关于未连接与连接相邻单元长度比较的教导或暗示，本领域技术人员无法直接或间接得出该特征。 |
| 技术特征E：其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及宽度相同的限定，也未公开任何宽度参数，因此不能直接或隐含公开。 |
| 技术特征F：所述第二方向不同于所述第一方向；并且所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义第一、第二方向，也未比较面积，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及任何间隔距离的比较，所有发光单元之间可能具有相同间隔，故未公开。 |
| 技术特征H：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-1间隔距离，也未比较第一间隔距离与2-1间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-2间隔距离，也未进行此类比较，因此未公开。 |
| 技术特征J：其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离《未公开》（同H） | 同上。 | 同上。 |
| 技术特征K：所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-2间隔距离，也未比较，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-1和2-2间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义，也未提及不同，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-1间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征O：所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义，也未比较，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义2-2间隔距离，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义，也未比较，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何数值比例，因此未公开。 |
| 技术特征S：比所述第二间隔距离小《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 同特征G，未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一方向是垂直方向《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义方向名称，因此未公开。 |
| 技术特征U：所述第二方向是水平方向《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未定义方向名称，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未统计数目比较，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述发光单元中的每个发光单元包括《直接公开》 | 段落[0326]：“发光器件400可包括被划分为第一至第四发光单元BD1至BD4的发光结构。”每个发光单元（如BD1）是独立的发光单元。 | 对比文件明确存在多个发光单元（BD1-BD4），因此每个发光单元包括相应结构，直接公开。 |
| 技术特征X：包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构《直接公开》 | 段落[0041]：“第一区段120包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层122、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层126以及位于第一半导体层122与第二半导体层126之间的第一有源层124。” | 第一半导体层122（n型）、第一有源层124、第二半导体层126（p型）依次设置在衬底上，构成发光结构，直接公开。 |
| 技术特征Y：设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极《直接公开》 | 段落[0092]：“第一电极142可设置在第一半导体层122上。” | 第一电极142直接设置在第一导电型半导体层（n型）上，用于电连接，直接公开。 |
| 技术特征Z：设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极《直接公开》 | 段落[0092]：“第二电极144可设置在第四半导体层136上。”第四半导体层136为第二导电型（p型），且第二电极设置在其上。 | 第二电极144设置在第二导电型半导体层（p型）上，用于电连接，直接公开。 |
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、W、X、Y、Z，未公开其他技术特征。
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