返回项目页面
对比文件列表
2001-09-21_JP2001257380A_发明专利_JP2001257380A Light-emitting diode array and manufacturing method therefor_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2007-12-13_US2007284598A_发明申请_US20070284598A1 Semiconductor Light Emitting Device_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e_t_u+++.docx
2026-07-03 01:17
2008-07-31_US2008179602A_发明申请_US20080179602A1 FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
2026-07-03 01:17
2008-09-18_WO2008111693A_发明申请_WO2008111693A1 AC LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z_l_m_n_p_t_u+++.docx
2026-07-03 01:17
2008-09-25_US2008230789A_发明申请_US20080230789A1 Light emitting device, method of manufacturing the same and monolithic light emitting diode array_+++A_B_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-05-20_JP2010517273A_发明专利_JP2010517273A Method of making fault-tolerant luminous body, the system and fault-tolerant light emitter including a fault-tolerant light emitter_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2010-06-24_JP2010521807A_发明专利_JP2010521807A AC drive type light-emitting diode_+++A_B_C_W_X_Y_Z_t_u+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-03-17_US2011062459A_发明申请_US20110062459A1 AC LIGHT EMITTING DIODE HAVING FULL-WAVE LIGHT EMITTING CELL AND HALF-WAVE LIGHT EMITTING CELL_+++A_B_C_W_X_Y_Z_g_n_p+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-04-21_US2011089442A_发明申请_US20110089442A1 OPTOELECTRONIC DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-08-31_EP2362420A_发明公开_EP2362420A1 Semiconductor Light Emitting Device Having Multi-Cell Array, Light Emitting Module, and Illumination Apparatus_+++A_B_C_N_O_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-09-01_US2011211348A_发明申请_US20110211348A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM_+++A_C_W_X_Y_Z_e+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-09-15_JP2011181925A_发明专利_JP2011181925A Semiconductor light emitting device including multi-cell array, light emitting module, and lighting system_+++A_B_C_N_P_T_U_W_X_Y_Z_d_e_f_g_h_i_j_k_l_m_r_s_v+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-07-26_US2012187424A_发明申请_US20120187424A1 LIGHT EMITTING DIODE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-03-04_JP2013046170A_发明专利_JP2013046170A Indication light detector and detection method_+++a_w_x_y_z+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-03-07_US2013056785A_发明申请_US20130056785A1 LIGHT EMITTING DEVICE_+++A_B_C_W_X_Y_Z+++.docx
2026-07-03 01:17
2011-08-31_EP2362420A_发明公开_EP2362420A1 Semiconductor Light Emitting Device Having Multi-Cell Array, Light Emitting Module, and Illumination Apparatus_+++A_B_C_N_O_W_X_Y_Z_e+++.docx

对比文件名称:2011-08-31_EP2362420A_发明公开_EP2362420A1 Semiconductor Light Emitting Device Having Multi-Cell Array, Light Emitting Module, and Illumination Apparatus

目标专利名称:1661发光器件CN104752451B

本次调用的模型名称:DeepSeek-提升版 (深度思考模式)

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**A:衬底**《直接公开》[0059] “根据本实施例的多单元阵列半导体发光器件10包括衬底11”。对比文件明确公开了用于承载发光单元的衬底,与目标专利的衬底完全相同,作用一致,因此直接公开。
**B:在所述衬底上设置为彼此间隔开的多个发光单元**《直接公开》[0059] “多个发光单元C以6×6图案排列在衬底11的上表面”;[0025] “隔离区域可以包括暴露衬底的区域”。对比文件不仅公开了多个发光单元排列在衬底上,而且通过隔离区域(Isolation region)使发光单元之间彼此间隔开,技术内容完全相同,因此直接公开。
**C:构造为电连接所述发光单元中的相邻发光单元的连接线**《直接公开》[0067] “互连部件15可以将每个列中的相邻发光单元C串联连接彼此”。对比文件明确公开了连接线(互连部件interconnection part)用于电连接相邻的发光单元,实现单元间的电气导通,与目标专利的连接线作用相同,因此直接公开。
**D:其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元的在第一方向上的长度之和大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元的在第一方向上的长度之和**《未公开》无相关公开内容对比文件中的所有发光单元具有相同的尺寸,未给出任何关于长度之和比较的教导;未讨论通过改变间隔来调整单元长度的技术手段,因此未公开。
**E:其中所述第一相邻发光单元和所述第二相邻发光单元的在第二方向上的宽度是相同的**《隐含公开》附图1、4、7等显示所有发光单元形状一致;说明书[0059]“多个发光单元C以6×6图案排列”暗示规则的阵列。对比文件虽未直接记载宽度数值,但本领域技术人员从阵列的规则性和半导体工艺的对称性可以合理推知所有发光单元具有相同宽度;既然第一相邻和第二相邻同时存在于阵列中,其宽度必然相同。因此该特征被隐含公开。
**F:所述第二方向不同于所述第一方向;并且中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第一相邻发光单元的面积大于所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的所述第二相邻发光单元的面积**《未公开》无相关公开内容基于特征D和E未公开长度之和大于及宽度相同的前提,且对比文件中所有单元面积相等,未涉及面积比较,因此未公开。
**G:其中所述发光单元中的未通过所述连接线连接的彼此相邻的第一相邻发光单元之间的第一间隔距离比所述发光单元中的通过所述连接线连接的彼此相邻的第二相邻发光单元之间的第二间隔距离小**《未公开》无相关公开内容对比文件所有发光单元之间的间隔由统一的隔离工艺形成,附图显示间隔宽度一致,没有区分未连接与连接单元的不同间隔,更不存在“小于”的关系,因此未公开。
**H:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**《未公开》无相关公开内容基于特征G未公开,且对比文件中间隔相等,不满足小于关系,因此未公开。
**I:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**《未公开》无相关公开内容对比文件中未定义第二方向上的第二相邻间隔(2-2),且第一间隔等于其他间隔,不满足小于,因此未公开。
**J:其中所述第一相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第一方向上使彼此间隔开的2-1间隔距离**《未公开》无相关公开内容同特征H,对比文件未公开此关系,因此未公开。
**K:所述第一间隔距离小于所述第二相邻发光单元在所述第二方向上使彼此间隔开的2-2间隔距离**《未公开》无相关公开内容同特征I,未公开。
**L:其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是相同的**《未公开》无相关公开内容对比文件中,第二方向(行方向)上的第二相邻发光单元不存在(因无连接线),所以2-2间隔距离不存在,无法判断相同与否,因此未公开。
**M:其中所述2-1间隔距离和所述2-2间隔距离是彼此不同的**《未公开》无相关公开内容同特征L,2-2不存在,故未公开。
**N:其中所述第二相邻发光单元在所述第一方向上彼此间隔开2-1间隔距离**《直接公开》[0025] “隔离区域可以包括暴露衬底的区域”;图1明确显示同一列(第一方向)内相邻发光单元之间存在隔离间隔;[0067] 互连部件串联列内单元,说明单元以一定间隔放置。对比文件公开了通过连接线连接的相邻发光单元(第二相邻)在第一方向(列方向)上彼此间隔开,该间隔距离由隔离区域宽度决定,即2-1间隔距离。因此直接公开。
**O:所述第一间隔距离与所述2-1间隔距离相同**《直接公开》图1、4等显示所有间隔距离一致;[0025]隔离区域宽度均匀。在对比文件中,未通过连接线连接的相邻发光单元(第一相邻)之间的间隔距离(第一间隔)与通过连接线连接的相邻发光单元在第一方向上的间隔距离(2-1间隔)完全相同,因为所有发光单元之间的隔离区域宽度一致。因此直接公开。
**P:其中所述第二相邻发光单元在所述第二方向上彼此间隔开2-2间隔距离**《未公开》无相关公开内容对比文件仅在第一方向(列方向)存在通过连接线直接电连接的相邻单元,第二方向(行方向)上没有这种连接,因此不存在第二相邻发光单元在第二方向上的间隔,未公开。
**Q:所述第一间隔距离与所述2-2间隔距离相同**《未公开》无相关公开内容基于特征P未公开,2-2间隔距离开放不存在,故无法比较,未公开。
**R:其中所述第一间隔距离是所述第二相邻发光单元彼此间隔开的第二间隔距离的0.2倍或更大**《未公开》无相关公开内容对比文件未公开任何间隔距离的数值比例关系,所有间隔相等,不满足0.2倍或更大的条件,因此未公开。
**S:比所述第二间隔距离小**《未公开》无相关公开内容对比文件中间隔距离全部相同,不存在“小于”的关系,因此未公开。
**T:其中所述第一方向是垂直方向**《未公开》无相关公开内容对比文件未指定垂直或水平方向命名,且如果按照未连接相邻的方向来定义第一方向,则对比文件中未连接相邻位于水平方向而非垂直方向,因此未公开。
**U:所述第二方向是水平方向**《未公开》无相关公开内容同特征T,未公开。
**V:其中所述第一相邻发光单元的数目比所述第二相邻发光单元的数目大**《未公开》无相关公开内容对比文件典型6×6阵列中,第一相邻(未连接,如水平相邻)与第二相邻(连接,如列内相邻)的数目相等(各30对),未呈现大于关系,也未讨论数目差异,因此未公开。
**W:其中所述发光单元中的每个发光单元包括**《直接公开》[0060] “发光单元C每个均具有依次形成在衬底上表面的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层”。对比文件以明确文字公开了每个发光单元均包含后续的特征X、Y、Z,因此直接公开。
**X:包括依次设置在所述衬底上的第一导电型半导体层有源层和第二导电型半导体层的发光结构**《直接公开》[0060] “第一导电型半导体层12a、有源层12c和第二导电型半导体层12b依次形成在衬底11的上表面”。对比文件直接公开了发光结构的具体层叠顺序和材料,与目标专利的发光结构完全对应,因此直接公开。
**Y:设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极**《直接公开》[0062] “第一电极13a和第二电极13b分别连接到第一导电型半导体层12a和第二导电型半导体层12b”。对比文件明确公开了第一电极形成在第一导电型半导体层上,用于电接触,因此直接公开。
**Z:设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极**《直接公开》[0062] “第一电极13a和第二电极13b分别连接到第一导电型半导体层12a和第二导电型半导体层12b”。对比文件明确公开了第二电极设置在第二导电型半导体层上,因此直接公开。

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<e>>><<<N>>><<<O>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>><<<Z>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE